一种半导体硅片用蚀刻槽的制作方法

1.本实用新型涉及一种蚀刻槽，具体为一种半导体硅片用蚀刻槽，属于半导体硅片加工技术领域。


背景技术：

2.半导体硅材料是最主要的元素半导体材料，包括硅多晶、硅单晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或间接用于制备半导体器件，硅为周期表中ⅳ族元素，在地壳中主要以二氧化硅和硅酸盐形式存在，丰度为27.7%，仅次于氧，硅的原子量为28.05，25℃下密度为2.329g/cm3，具有灰色金属光泽，较脆，硬度6.5mohs，稍低于石英，熔点1410℃，在熔点时体积收缩率9.5%，常温下硅表面覆盖一层极薄氧化层，化学性质不活泼。
3.在半导体芯片加工工艺中，广泛应用氧化、淀积、光刻、刻蚀、离子注入和金属化等几个主要步骤，因此需要用到蚀刻槽，但是传统的蚀刻槽仍存在一些不足，例如其喷淋头为固定结构，从而无法保证半导体硅片喷淋的均匀性，并且其在蚀刻过程中，无法将蚀刻液的温度维持在一定的范围内，这将无法保证半导体硅片加工的一致性，并且在生产过程中，蚀刻液的挥发和喷淋出的液滴容易附着在蚀刻槽的槽盖上，附着在槽盖上的酸性小液滴逐渐累积，将逐渐凝结成大的液滴，最终掉落到半导体硅片上，导致半导体硅片刻蚀不均，影响产品合格率。


技术实现要素：

4.本实用新型的目的就在于为了解决上述问题而提供一种半导体硅片用蚀刻槽，喷淋头可以在喷淋时进行规律的角度往复调节，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性，还可以在蚀刻的过程中时刻对蚀刻液的温度进行检测并可以保证蚀刻液的温度在一定的范围内，从而保证了半导体硅片的一致性，并且能够大幅减少槽盖上蚀刻液凝聚滴落的现象，保证了半导体硅片刻蚀的均匀性，提高产品的合格率。
5.本实用新型通过以下技术方案来实现上述目的，一种半导体硅片用蚀刻槽，包括槽体，所述槽体的内腔下部设有过滤网板，所述过滤网板将所述槽体的内腔分为下部的储液室及上部的喷淋室，所述储液室内设有蚀刻液，所述储液室的下方及四周均设有电阻加热网且所述电阻加热网设置于所述槽体的内壁，所述喷淋室的内腔两侧壁对称设有蚀刻支板，所述喷淋室的下部设有第一横管，所述喷淋室的上部设有第二横管，所述第一横管及所述第二横管上均横向等距间隔排列设有喷淋组件，所述槽体的两侧壁设有调节组件，所述槽体的顶部设有槽盖，所述槽盖的底部设有防滴组件。
6.优选的，所述槽体的一侧壁底部设有导液管，所述导液管的一端贯穿所述槽体的侧壁并延伸至所述储液室内且靠近所述导液管上连通设有水泵。
7.优选的，所述第一横管及所述第二横管的一端均贯穿所述槽体的侧壁且所述第一横管及所述第二横管的贯穿端均与所述导液管连通。
8.优选的，所述喷淋组件包括与所述第一横管及所述第二横管密封且连通的旋转接
头，所述旋转接头上设有连接板，所述连接板上设有喷淋头且所述喷淋头通过所述旋转接头分别与所述第一横管及所述第二横管连通，相邻的所述连接板上设有连接带。
9.优选的，所述调节组件包括防护箱，所述防护箱的内腔设有驱动电机，驱动电机的输出端固定设有驱动轴，所述驱动轴上贯穿且固定连接设有活动圆盘且所述驱动轴设置于所述活动圆盘的正面边缘处，所述活动圆盘的一侧设有活动板，所述活动板的侧壁中心处固定连接设有活动杆，所述活动杆的一端贯穿所述槽体的侧壁并延伸至所述喷淋室内且此端上设有推动块，所述推动块与相邻的所述连接板固定连接，所述推动块与所述槽体的侧壁之间设有复位弹簧且所述复位弹簧设置于所述活动杆的外表面上。
10.优选的，所述槽盖的顶部中心处固定连接有提拉把手，所述槽盖的两端设有铰接件，所述铰接件上转动连接设有紧固卡扣，所述槽体的两侧壁顶部固定连接有紧固卡槽，所述紧固卡扣与所述紧固卡槽为位置相对应且规格相互匹配设置。
11.优选的，所述防滴组件包括倒梯形的导液块，所述导液块的下方设有集液槽，所述集液槽通过连接杆与所述导液块的底部固定连接且所述集液槽的内腔底壁设有吸液海绵。
12.优选的，所述喷淋室的一侧壁上嵌设有温度传感器，另一侧壁上嵌设有控制器，所述温度传感器及所述控制器外均设有保护壳且所述温度传感器与所述电阻加热网均与所述控制器电性连接。
13.本实用新型的有益效果是：通过设置蚀刻支板可以对半导体硅片进行放置，以便于半导体硅片进行喷淋蚀刻，通过设置水泵可以将蚀刻液从储液室内抽入至导液管，进入第一横管及第二横管后通过其上的喷淋头喷出，对半导体硅片进行喷淋蚀刻，通过设置调节组件可以在喷淋时对喷淋头进行规律的角度往复调节，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性，通过设置驱动轴可以带动活动圆盘进行转动，活动圆盘会进行不规则的圆周运动，从而对活动板进行间歇的推动，活动板的推动则会对活动杆进行推动，活动杆则会推动推动块，从而通过推动块带动第一横管、第二横管、连接板及连接带带动喷淋头配合旋转接头进行一定角度的摆动，并通过复位弹簧进行复位，周而复始形成循环，使喷淋头在喷淋的过程中进行往复的摆动，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性，通过设置温度传感器可以对槽体内的温度进行检测，温度传感器上设定一个阈值，当槽体内腔的温度低于这个阈值时，温度传感器将信息传递至控制器，控制器则控制电阻加热网进行加热，从而对蚀刻液进行加热，当槽体内腔的温度高于这个阈值时，温度传感器将信息传递至控制器，控制器则控制电阻加热网停止加热，从而在蚀刻的过程中时刻对蚀刻液的温度进行检测并可以保证蚀刻液的温度在一定的范围内，从而保证了半导体硅片的一致性，通过设置槽盖可以对槽体进行密封防护，防止有害气体和蚀刻液发散，通过设置紧固卡扣、紧固卡槽可以对槽盖进行固定，通过设置防滴组件能够大幅减少槽盖上蚀刻液凝聚滴落的现象，保证了半导体硅片刻蚀的均匀性，提高产品的合格率，凝聚的蚀刻液滴会顺着导液块向下滴落，最终滴入集液槽内，并通过集液槽内腔的吸液海绵进行吸附。
附图说明
14.图1为本实用新型的主视图；
15.图2为本实用新型的结构示意图；
16.图3为本实用新型调节组件的结构示意图；
17.图4为本实用新型喷淋组件的结构示意图；
18.图5为本实用新型防滴组件的结构示意图；
19.图中：1、槽体；2、过滤网板；3、储液室；4、喷淋室；5、电阻加热网；6、蚀刻支板；7、导液管；8、水泵；9、第一横管；10、第二横管；11、旋转接头；12、连接板；13、喷淋头；14、连接带；15、防护箱；16、驱动轴；17、活动圆盘；18、活动板；19、活动杆；20、推动块；21、复位弹簧；22、槽盖；23、导液块；24、集液槽；25、吸液海绵；26、温度传感器；27、控制器。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
21.请参阅图1-5所示，一种半导体硅片用蚀刻槽，包括槽体1，所述槽体1的内腔下部设有过滤网板2，所述过滤网板2将所述槽体1的内腔分为下部的储液室3及上部的喷淋室4，所述储液室3内设有蚀刻液，所述储液室3的下方及四周均设有电阻加热网5且所述电阻加热网5设置于所述槽体1的内壁，所述喷淋室4的内腔两侧壁对称设有蚀刻支板6，所述喷淋室4的下部设有第一横管9，所述喷淋室4的上部设有第二横管10，所述第一横管9及所述第二横管10上均横向等距间隔排列设有喷淋组件，所述槽体1的两侧壁设有调节组件，所述槽体1的顶部设有槽盖22，所述槽盖22的底部设有防滴组件，蚀刻支板6可以对半导体硅片进行放置，以便于半导体硅片进行喷淋蚀刻，调节组件可以在喷淋时对喷淋头13进行规律的角度往复调节，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性，防滴组件能够大幅减少槽盖22上蚀刻液凝聚滴落的现象，保证了半导体硅片刻蚀的均匀性，提高产品的合格率。
22.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述槽体1的一侧壁底部设有导液管7，所述导液管7的一端贯穿所述槽体1的侧壁并延伸至所述储液室3内且靠近所述导液管7上连通设有水泵8，所述第一横管9及所述第二横管10的一端均贯穿所述槽体1的侧壁且所述第一横管9及所述第二横管10的贯穿端均与所述导液管7连通，水泵8可以将蚀刻液从储液室3内抽入至导液管7，进入第一横管9及第二横管10后通过其上的喷淋头13喷出，对半导体硅片进行喷淋蚀刻。
23.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述喷淋组件包括与所述第一横管9及所述第二横管10密封且连通的旋转接头11，所述旋转接头11上设有连接板12，所述连接板12上设有喷淋头13且所述喷淋头13通过所述旋转接头11分别与所述第一横管9及所述第二横管10连通，相邻的所述连接板12上设有连接带14。
24.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述调节组件包括防护箱15，所述防护箱15的内腔设有驱动电机，驱动电机的输出端固定设有驱动轴16，所述驱动轴16上贯穿且固定连接设有活动圆盘17且所述驱动轴16设置于所述活动圆盘17的正面边缘处，所述活动圆盘17的一侧设有活动板18，所述活动板18的侧壁中心处固定连接设有活动杆19，所述活动杆19的一端贯穿所述槽体1的侧壁并延伸至所述喷淋室4内且此端上设有推动块20，所述推动块20与相邻的所述连接板12固定连接，所述推动块20与所述槽体1的侧壁之间设有复位弹簧21且所述复位弹簧21设置于所述活动杆19的外表面上，驱动轴16可以带动活动圆盘17
进行转动，活动圆盘17会进行不规则的圆周运动，从而对活动板18进行间歇的推动，活动板18的推动则会对活动杆19进行推动，活动杆19则会推动推动块20，从而通过推动块20带动第一横管9、第二横管10、连接板12及连接带14带动喷淋头13配合旋转接头11进行一定角度的摆动，并通过复位弹簧21进行复位，周而复始形成循环，使喷淋头13在喷淋的过程中进行往复的摆动，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性。
25.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述槽盖22的顶部中心处固定连接有提拉把手，所述槽盖22的两端设有铰接件，所述铰接件上转动连接设有紧固卡扣，所述槽体1的两侧壁顶部固定连接有紧固卡槽，所述紧固卡扣与所述紧固卡槽为位置相对应且规格相互匹配设置，槽盖22可以对槽体1进行密封防护，防止有害气体和蚀刻液发散，通过设置紧固卡扣、紧固卡槽可以对槽盖22进行固定。
26.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述防滴组件包括倒梯形的导液块23，所述导液块23的下方设有集液槽24，所述集液槽24通过连接杆与所述导液块23的底部固定连接且所述集液槽24的内腔底壁设有吸液海绵25，凝聚的蚀刻液滴会顺着导液块23向下滴落，最终滴入集液槽24内，并通过集液槽24内腔的吸液海绵25进行吸附。
27.作为本实用新型的一种优选技术方案，所述喷淋室4的一侧壁上嵌设有温度传感器26，另一侧壁上嵌设有控制器27，所述温度传感器26及所述控制器27外均设有保护壳且所述温度传感器26与所述电阻加热网5均与所述控制器27电性连接，温度传感器26可以对槽体1内的温度进行检测，温度传感器26上设定一个阈值，当槽体1内腔的温度低于这个阈值时，温度传感器26将信息传递至控制器27，控制器27则控制电阻加热网5进行加热，从而对蚀刻液进行加热，当槽体1内腔的温度高于这个阈值时，温度传感器26将信息传递至控制器27，控制器27则控制电阻加热网5停止加热，从而在蚀刻的过程中时刻对蚀刻液的温度进行检测并可以保证蚀刻液的温度在一定的范围内，从而保证了半导体硅片的一致性。
28.本实用新型通过设置蚀刻支板6可以对半导体硅片进行放置，以便于半导体硅片进行喷淋蚀刻，通过设置水泵8可以将蚀刻液从储液室3内抽入至导液管7，进入第一横管9及第二横管10后通过其上的喷淋头13喷出，对半导体硅片进行喷淋蚀刻，通过设置调节组件可以在喷淋时对喷淋头13进行规律的角度往复调节，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性，通过设置驱动轴16可以带动活动圆盘17进行转动，活动圆盘17会进行不规则的圆周运动，从而对活动板18进行间歇的推动，活动板18的推动则会对活动杆19进行推动，活动杆19则会推动推动块20，从而通过推动块20带动第一横管9、第二横管10、连接板12及连接带14带动喷淋头13配合旋转接头11进行一定角度的摆动，并通过复位弹簧21进行复位，周而复始形成循环，使喷淋头13在喷淋的过程中进行往复的摆动，从而保证半导体硅片喷淋的均匀性，通过设置温度传感器26可以对槽体1内的温度进行检测，温度传感器26上设定一个阈值，当槽体1内腔的温度低于这个阈值时，温度传感器26将信息传递至控制器27，控制器27则控制电阻加热网5进行加热，从而对蚀刻液进行加热，当槽体1内腔的温度高于这个阈值时，温度传感器26将信息传递至控制器27，控制器27则控制电阻加热网5停止加热，从而在蚀刻的过程中时刻对蚀刻液的温度进行检测并可以保证蚀刻液的温度在一定的范围内，从而保证了半导体硅片的一致性，通过设置槽盖22可以对槽体1进行密封防护，防止有害气体和蚀刻液发散，通过设置紧固卡扣、紧固卡槽可以对槽盖22进行固定，通过设置防滴组件能够大幅减少槽盖22上蚀刻液凝聚滴落的现象，保证了半导体硅片刻蚀的均匀性，提高产品
的合格率，凝聚的蚀刻液滴会顺着导液块23向下滴落，最终滴入集液槽24内，并通过集液槽24内腔的吸液海绵25进行吸附。
29.对于本领域技术人员而言，显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
30.此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。