一种有机发光二极管基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，特别是涉及一种有机发光二极管基板及显示面板。


背景技术：

2.随着技术的不断进步，有机发光二极管(oled)的制作水平有了很大的提高，目前正朝着大尺寸、高精细的方向发展。对于顶发射oled，由于出光方向在阴极一侧，因此阴极的设计对显示性能有至关重要的影响。
3.阴极一般选择mg/ag结构或izo等透明结构，在制作过程中，由于顶部阴极较薄，电阻不够，往往需要采用辅助电极的方法。目前采用辅助电极的方法有很多种，例如使用精细金属掩膜板fmm打孔的方法制作辅助电极。虽然其在一定程度上能够降低阴极的电阻，但像素间存在串扰问题。


技术实现要素：

4.为了解决上述问题至少之一，本技术第一个实施例提供一种有机发光二极管基板，包括：
5.衬底；
6.设置在所述衬底上的多个阳极；设置在所述多个阳极远离所述衬底一侧的像素界定层，用于限定多个像素区域；
7.设置在所述像素界定层和阳极远离所述衬底一侧的有机发光二极管功能层，以及覆盖所述有机发光二极管功能层的阴极；
8.设置在所述像素区域上的辅助阴极界定层，用于限定辅助阴极区域，所述辅助阴极界定层在所述衬底的正投影与所述像素区域在所述衬底的正投影至少部分交叠，所述辅助阴极区域至少露出部分像素界定层；以及
9.设置在露出的所述像素界定层上的且位于所述辅助阴极区域的辅助阴极，所述辅助阴极与所述阴极电连接。
10.在一个具体实施例中，所述阴极覆盖所述有机发光二极管功能层和像素界定层，所述辅助阴极界定层设置在所述阴极上，所述辅助阴极设置在所述阴极上，并且所述辅助阴极、阴极和像素界定层在所述衬底上的正投影交叠。
11.在一个具体实施例中，所述有机发光二极管基板还包括覆盖所述辅助阴极和辅助阴极界定层的封装层。
12.在一个具体实施例中，所述阴极覆盖所述像素区域和部分像素界定层，所述辅助阴极界定层为覆盖所述阴极的第一封装层，所述辅助阴极界定层在所述衬底上的正投影与所述阴极在所述衬底上的正投影交叠。
13.在一个具体实施例中，所述有机发光二极管基板还包括设置在所述像素界定层和所述辅助阴极之间的金属辅助电极，所述金属辅助电极在所述衬底上的正投影与所述像素界定层在所述衬底上的正投影交叠，所述金属辅助电极通过所述辅助阴极与所述阴极电连
接。
14.在一个具体实施例中，所述有机发光二极管基板还包括：覆盖所述辅助阴极的辅助阴极保护层，用于保护所述辅助阴极并与所述辅助阴极界定层平齐；以及覆盖所述辅助阴极保护层和所述辅助阴极界定层的第二封装层。
15.在一个具体实施例中，靠近所述像素区域的所述辅助阴极在垂直于所述衬底方向的厚度、大于远离所述像素区域的所述辅助阴极在垂直于所述衬底方向的厚度。
16.在一个具体实施例中，所述阴极为氧化铟锌，所述辅助阴极为纳米银，所述辅助阴极相对于所述衬底的厚度大于所述阴极相对于所述衬底的厚度；和/ 或所述辅助阴极限定层具有疏液性。
17.在一个具体实施例中，所述有机发光二极管基板还包括设置在所述有机发光二极管功能层和所述阴极之间的牺牲层。
18.在一个具体实施例中，所述牺牲层在所述衬底上的正投影与所述像素区域在所述衬底上的正投影交叠，所述牺牲层在所述衬底上的正投影与所述像素界定层在所述衬底上的正投影分离；
19.所述牺牲层的材料包括银。
20.在一个具体实施例中，所述有机发光二极管功能层设置在所述阴极和像素界定层之间，并且所述阴极、像素界定成和有机发光二极管功能层在所述衬底上的正投影交叠。
21.本技术第二个实施例提供一种有机发光二极管显示面板，包括本技术第一个实施例所述的有机发光二极管基板。
22.本技术的有益效果如下：
23.本技术针对目前现有的问题，制定一种有机发光二极管基板及显示面板，通过设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，其辅助阴极的电阻小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果，弥补了现有技术中存在的问题，具有广泛的应用前景。
附图说明
24.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
25.图1示出本技术的一个实施例所述的有机发光二极管基板的结构示意图；
26.图2a-2g示出本技术的一个实施例所述的有机发光二极管基板的制作过程中各阶段结构示意图；
27.图3a-3h示出本技术的又一个实施例所述的有机发光二极管基板的制作过程中各阶段结构示意图；
28.图4a-4i示出本技术的又一个实施例所述的有机发光二极管基板的制作过程中各阶段结构示意图；
29.图5示出本技术的一个实施例所述的制作有机发光二极管基板的方法的流程图；
30.图6a示出本技术实施例所述的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度分析图；
31.图6b示出mg/ag结构的子像素发光宽度分析图；
32.图7示出本技术实施例所述的辅助阴极+阴极的结构与mg/ag结构的发光宽度的数值的对比图；
33.图8示出本技术实施例所述的辅助阴极+阴极的结构与mg/ag结构的像素发光长度的对比图。
具体实施方式
34.为了更清楚地说明本技术，下面结合优选实施例和附图对本技术做进一步的说明。附图中相似的部件以相同的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本技术的保护范围。
35.需要说明的是，本文中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。在本文中，除非另有说明，所采用的术语“位于同一层”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过同一构图工艺形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。在本文中，除非另有说明，表述“构图工艺”一般包括光刻胶的涂布、曝光、显影、刻蚀、光刻胶的剥离等步骤。表述“一次构图工艺”意指使用一块掩模板形成图案化的层、部件、构件等的工艺。
36.目前设计中，要求阴极具有较好的透光性和导电性，但同时满足透光性和导电性要求则存在较大的难度。例如，为了满足透光性要求，必然要求阴极的厚度较薄，但此时阴极的电阻较大，不仅会导致电压上升、功耗增大的问题，而且导致阴极上各处电压分布不均匀，出现亮度不均匀的问题。为了满足导电性要求，必然要求阴极的厚度较大，但此时阴极的透过率较低，会出现视角色偏问题。现有技术中，对于顶发射结构oled器件，阴极一般选择透明结构，有mg/ag结构，也有使用izo等透明结构，对于大尺寸oled，为了降低阴极的电阻，要么增加辅助阴极使用mg/ag,要么增加izo的厚度，但是无论哪种结构，都会增加像素之间的串扰。
37.为此，本技术的一个实施例提出了一种有机发光二极管基板，如图1所示，该基板包括：
38.衬底10；
39.设置在所述衬底10上的多个阳极30；
40.设置在所述多个阳极30远离所述衬底10一侧的像素界定层20，用于限定多个像素区域；
41.设置在所述像素界定层20和阳极30远离所述衬底10一侧的有机发光二极管功能层40，以及覆盖所述有机发光二极管功能层40的阴极60；
42.设置在所述像素区域上的辅助阴极界定层70，用于限定辅助阴极区域，所述辅助阴极界定层在所述衬底的正投影与所述像素区域在所述衬底的正投影至少部分交叠，所述辅助阴极区域至少露出部分像素界定层；以及设置在露出的所述像素界定层20上的且位于所述辅助阴极区域的辅助阴极80，所述辅助阴极80与所述阴极60电连接。
43.本实施例提出一种有机发光二极管基板，通过设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，其辅助阴极的电阻小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于
像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果，弥补了现有技术中存在的问题，具有广泛的应用前景。
44.在一个具体的示例中，以制作有机发光二极管基板为例进行说明：
45.首先，如图2a所示，在衬底10上形成多个阳极和用于限定多个像素区域的像素界定层20。
46.在本实施例中，在衬底上形成各子像素的阳极和限定各子像素的像素区域的像素界定层。本领域技术人员应当理解，所述衬底10包括基板和设置在所述基板上的驱动电路层，在此不再赘述。
47.其次，如图2b所示，在像素界定层和阳极远离所述衬底一侧形成有机发光二极管功能层40。
48.其中，有机发光二极管功能层40设置在所述像素区域内，有机发光二极管功能层可以是独立的oled器件，例如红光oled器件的功能层、绿光oled 器件的功能层和蓝光oled器件的功能层，也可以是白光oled器件的功能层，本技术对此不做限定。
49.本实施例中所述的像素区域为一个子像素对应的区域，即由像素界定层20 所界定的区域。
50.再次，如图2c所示，形成覆盖所述有机发光二极管功能层40和像素界定层20的阴极60。
51.在一个具体示例中，阴极为氧化铟锌(indium zinc oxid，izo)，阴极层在制作时采用溅射工艺，溅射成的阴极膜层致密性较好，其厚度在80～300nm之间以实现后续工艺时对下层oled器件，即对有机发光二极管功能层40的保护作用。
52.此外，本领域技术人员应当明了，所述有机发光二极管功能层设置在所述阴极和像素界定层之间，并且所述阴极、像素界定成和有机发光二极管功能层在所述衬底上的正投影交叠。进一步，所述有机发光二极管基板还包括覆盖所述有机发光二极管功能层40和像素界定层的有机层50，本领域技术人员应当理解，所述有机层50为所述有机发光二极管功能层40的一部分。
53.其次，如图2d所示，在所述阴极60上形成覆盖所述像素区域的用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层70，所述辅助阴极界定层70在所述衬底10的正投影与所述像素区域在所述衬底的正投影至少部分交叠，所述辅助阴极区域至少露出部分像素界定层。
54.本领域技术人员应当明了，本技术的像素界定层20的具体尺寸与像素区域的像素设计有关，本技术对此不做限定，依据具体产品和实际情况而定。
55.再次，在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极。在一个具体示例中，如图2e所示，在所述阴极60上形成位于所述辅助阴极区域的所述辅助阴极80，其中，所述辅助阴极80、阴极60和像素界定层20在所述衬底上的正投影交叠。
56.在一个具体示例中，辅助阴极为纳米银，其厚度在100～300nm之间。需要说明的是，本示例中所述辅助阴极相对于所述衬底的厚度大于所述阴极相对于所述衬底的厚度。辅助阴极与所述阴极电连接以使得边缘位置的电阻(参见图 2e，即辅助阴极与辅助阴极限定层相接触的切面电阻)小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果。
57.在本实施例中，辅助阴极限定层70具有疏液性，其厚度在0.8～1.5um之间，从而有
效限定辅助阴极。
58.在一个可选方式中，如图2g所示，所述有机发光二极管基板还包括设置在所述有机发光二极管功能层40和所述阴极60之间的牺牲层65，。其中，所述牺牲层65在所述衬底上的正投影与所述像素区域在所述衬底上的正投影交叠，所述牺牲层在所述衬底上的正投影与所述像素界定层在所述衬底上的正投影分离。
59.本示例中，采用银ag作为牺牲层材料，其厚度在8～150nm之间，能够起到微腔的作用，并实现对oled器件的保护。
60.最后，如图2f所示，形成覆盖所述辅助阴极80和辅助阴极界定层70的封装层90。
61.在一个具体示例中，封装层90采用无机-有机-无机三层封装结构，以提高封装能力从而达到抗水氧的目的。其中，无机封装层层是氧化硅，厚度为1000 nm；有机封装层层是环氧树脂，厚度为3～10um。
62.需要说明的是，上述封装层90的材料以及厚度是示例性的，本领域技术人员能够根据实际需求选取相应的封装层结构，本技术对此不做限定。
63.至此，本技术的一个实施例所述的有机发光二极管基板制作完成，如图2f 所示，其中，阴极60覆盖所述有机发光二极管功能层40和像素界定层20，所述辅助阴极界定层70设置在所述阴极60上，所述辅助阴极80设置在所述阴极上60，并且所述辅助阴极80、阴极60和像素界定层20在所述衬底10上的正投影交叠。
64.本实施例通过设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，其辅助阴极的电阻小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果，弥补了现有技术中存在的问题，具有广泛的应用前景。
65.在又一个可选的实施例中，仍以制作有机发光二极管基板为例进行说明：
66.首先，如图3a所示，在衬底100上形成多个阳极和用于限定多个像素区域的像素界定层200。
67.其次，如图3b所示，在像素界定层和阳极300远离所述衬底一侧形成有机发光二极管功能层400。
68.本实施例中所述的像素区域为一个子像素对应的区域，即由像素界定层 200所界定的区域。
69.再次，形成覆盖所述有机发光二极管功能层的阴极，具体的，如图3c所示，形成覆盖所述有机发光二极管功能层400和像素界定层200的阴极600。
70.此外，本领域技术人员应当明了，进一步，所述有机发光二极管基板还包括覆盖所述有机发光二极管功能层400和像素界定层的有机层500，本领域技术人员应当理解，所述有机层500为所述有机发光二极管功能层400的一部分。
71.需要说明的是，前述实施例和随之带来的有益效果同样适用于本实施例，相同的部分在此不再赘述。
72.接下来，形成覆盖所述像素区域的用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层，具体的：
73.如图3d所示，形成覆盖所述阴极的第一封装层700，其中，第一封装层 700为无机有机-无机三层封装结构。其中，无机封装层是氧化硅，厚度为1000 nm；有机封装层是环氧
树脂，厚度为3～10um。
74.如图3e所示，对所述第一封装层700和所述阴极600进行刻蚀以形成覆盖所述像素区域和部分像素界定层200的用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层，其中，所述辅助阴极界定层为覆盖所述阴极的第一封装层，其在所述衬底上的正投影与所述阴极在所述衬底上的正投影交叠。
75.换句话说，本实施例形成覆盖阴极600的第一封装层，在对像素区域进行封装的同时，利用第一封装层作为辅助阴极界定层以进一步限定辅助阴极。
76.然后，在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极，具体的：
77.如图3f所示，在所述露出的像素界定层200上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极800，所述辅助阴极800与所述阴极600电连接。
78.在一个具体示例中，辅助阴极为纳米银，其厚度在100nm左右，考虑到纳米银墨水干燥的特性，连接的边缘部分会略厚一些，也就是说，为了提高辅助阴极800与阴极600的连接性能，靠近所述像素区域的所述辅助阴极在垂直于所述衬底方向的厚度、大于远离所述像素区域的所述辅助阴极在垂直于所述所述衬底方向的厚度，即h2》h1。
79.本示例中，通过设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，其辅助阴极的电阻小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果，弥补了现有技术中存在的问题，具有广泛的应用前景。
80.其次，如图3g所示，形成覆盖所述辅助阴极的辅助阴极保护层1000，在一个具体示例中，辅助阴极保护层1000为环氧树脂材料，用于保护所述辅助阴极不受水氧侵蚀。
81.需要说明的是，所述辅助阴极保护层1000远离所述衬底100的表面与所述辅助阴极界定层，即第一封装层700远离所述衬底100的表面平齐。
82.最后，如图3h所示，形成覆盖所述辅助阴极保护层1000和所述辅助阴极界定层的第二封装层900。
83.在一个具体示例中，第二封装层900为无机保护层，其可以为sin/sio2 结构，厚度约300～500nm，用于进一步提高有机发光二极管的封装性能。需要说明的是，上述第二封装层900的材料以及厚度是示例性的，本领域技术人员能够根据实际需求选取相应的封装层结构，本技术对此不做限定。
84.至此，形成本技术又一个实施例所述的有机发光二极管基板，如图3h所示，该有机发光二极管基板中的阴极600覆盖所述像素区域和部分像素界定层 200，所述辅助阴极界定层为覆盖所述阴极的第一封装层700，所述辅助阴极界定层在所述衬底上的正投影与所述阴极在所述衬底上的正投影交叠，所述阴极和所述辅助阴极界定层共同限定所述辅助阴极区域。
85.本实施例中，通过设置辅助阴极使得边缘位置的电阻要小于阴极上的电阻，导致从阳极发出的空穴和像素边缘的空穴的电场力减弱，使得原本会在边缘位置处富集的空穴由于电阻变小而导出，有效降低侧向电流，从而不引起异常发光，达到减少像素间光学串扰的效果。
86.在又一个可选的实施例中，为了提高产品良率，如图4i所示，所述有机发光二极管基板还包括设置在所述像素界定层200和所述辅助阴极800之间的金属辅助电极110，所述
金属辅助电极110通过所述辅助阴极800与所述阴极600 电连接。
87.在一个具体示例中，如图4b所示，金属辅助电极层110位于像素界定层的上方，其厚度约为100～300nm，选择电导率高的材料作为金属辅助电极层，例如ag，al，mo，cu等，本技术对此不做限定。
88.在具体的制作过程中，也就是说，在如图4a所示的在所述多个阳极300 远离所述衬底100一侧形成用于限定多个像素区域的像素界定层200之后，在如图4c所示的在所述像素界定层200和阳极300远离所述衬底100一侧形成有机发光二极管功能层400之前，所述制作方法还包括：如图4b所示的在所述像素界定层200上形成金属辅助电极110，其中，所述金属辅助电极110在所述衬底100上的正投影与述像素界定层200在所述衬底100上的正投影交叠，所述金属辅助电极110用于提高辅助阴极与像素界定层的连接效果，从而提高辅助阴极与阴极的电连接，进一步提高产品良率。
89.进一步，按照如图4d-4i示出的步骤继续完成对本实施例有机发光二极管基板的制作，具体的：
90.如图4d所示，形成覆盖所述有机发光二极管功能层400和金属辅助电极层110的阴极600。
91.此外，本领域技术人员应当明了，所述有机发光二极管基板还包括覆盖所述有机发光二极管功能层400和金属辅助电极层110的有机层500，本领域技术人员应当理解，所述有机层500为所述有机发光二极管功能层400的一部分。。
92.如图4e所示，形成覆盖所述阴极的第一封装层700，其中，第一封装层 700为无机有机-无机三层封装结构。其中，无机封装层是氧化硅，厚度为1000 nm；有机封装层是环氧树脂，厚度为3～10um。
93.如图4f所示，对所述第一封装层700和所述阴极600进行刻蚀以形成覆盖所述像素区域和部分像素界定层200的用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层，其中，所述辅助阴极界定层为覆盖所述阴极的第一封装层，其在所述衬底上的正投影与所述阴极在所述衬底上的正投影交叠。
94.如图4g所示，在所述金属辅助电极110上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极800，所述金属辅助电极110通过所述辅助阴极800与所述阴极电连接。
95.在一个具体示例中，辅助阴极为纳米银，其厚度在100nm左右，考虑到纳米银墨水干燥的特性，连接的边缘部分会略厚一些，也就是说，为了提高辅助阴极800与阴极600的连接性能，靠近所述像素区域的所述辅助阴极相对于所述衬底的厚度、大于远离所述像素区域的所述辅助阴极相对于所述衬底的厚度，即h2》h1。
96.本示例中，通过在像素界定层200上设置金属辅助电极110，再在金属辅助电极110上设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，所述金属辅助电极能够提高辅助阴极800与阴极600的连接性能以提高产品良率，并且辅助阴极的电阻小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果，弥补了现有技术中存在的问题，具有广泛的应用前景。
97.如图4h所示，形成覆盖所述辅助阴极的辅助阴极保护层1000，在一个具体示例中，辅助阴极保护层1000为环氧树脂材料，用于保护所述辅助阴极不受水氧侵蚀。
98.需要说明的是，所述辅助阴极保护层1000远离所述衬底100的表面与所述辅助阴
极界定层，即第一封装层700远离所述衬底100的表面平齐。
99.如图4i所示，形成覆盖所述辅助阴极保护层1000和所述辅助阴极界定层的第二封装层900。
100.在一个具体示例中，第二封装层900为无机保护层，其可以为sin/sio2 结构，厚度约300～500nm。需要说明的是，上述第二封装层900的材料以及厚度是示例性的，本领域技术人员能够根据实际需求选取相应的封装层结构，本技术对此不做限定。
101.至此，形成本技术又一个实施例所述的有机发光二极管基板，如图4i所示，该有机发光二极管基板通过在像素界定层200上设置金属辅助电极110，再在金属辅助电极110上设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，所述辅助阴极界定层为覆盖所述阴极的第一封装层700，所述辅助阴极界定层在所述衬底上的正投影与所述阴极在所述衬底上的正投影重合，所述阴极和所述辅助阴极界定层共同限定所述辅助阴极区域。
102.需要说明的是，前述实施例和随之带来的有益效果同样适用于本实施例，因此，图4d-4i中与图3c-3h中相同的部分不再赘述。
103.进一步，研发人员通过简单的无源被动驱动实验对前述实施例的辅助阴极的结构进行了验证，其中，图6a为本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度分析图，图6b为现有技术中mg/ag结构的子像素发光宽度分析图，参见图7，当亮度为100nit时，图6a所示的本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度为6.13μm，图6b所示的mg/ag结构的子像素发光宽度为7.31μm；同理，当亮度为500nit时，图6a所示的本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度为6.09μm，图6b所示的mg/ag结构的子像素发光宽度为7.22μm；当亮度为1000nit时，图6a所示的本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度为6.02μm，图6b所示的mg/ag结构的子像素发光宽度为7.07μm；当亮度为10000nit时，图6a所示的本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度为5.93μm，图6b所示的mg/ag结构的子像素发光宽度为6.78μm，因此，根据图7所示的测试结果，本领域技术人员能够明了，当在同一亮度时，本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光宽度小于直接使用mg/ag结构的子像素发光宽度，换句话说，本实施例测试的发光面积比直接使用mg/ag结构要更接近实际的开口面积；同时，参见图8所示的像素发光亮度测试对比图，其中，实线为本实施例的辅助阴极+阴极结构的子像素发光长度图，虚线为mg/ag结构的子像素发光长度，通过图8可知，通过设置辅助阴极能够使得像素的边缘串扰明显减少。
104.与上述实施例提供的有机发光二极管基板相对应，本技术的一个实施例还提供一种制作有机发光二极管基板的方法，如图5所示，该方法包括：
105.s10、在衬底上形成多个阳极；
106.s20、在所述多个阳极远离所述衬底一侧形成用于限定多个像素区域的像素界定层；
107.s30、在所述像素界定层和阳极远离所述衬底一侧形成有机发光二极管功能层；
108.s40、形成覆盖所述有机发光二极管功能层的阴极；
109.s50、在所述像素区域上形成用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层，所述辅助阴极界定层在所述衬底的正投影与所述像素区域在所述衬底的正投影至少部分交叠，所述辅助阴极区域至少露出部分像素界定层；
110.s60、在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极，所述辅助阴极
与所述阴极电连接。
111.本实施例通过设置与阴极电连接的由辅助阴极界定层限定的辅助阴极，其辅助阴极的电阻小于阴极电阻，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果，弥补了现有技术中存在的问题，具有广泛的应用前景。
112.在一个具体实施例中，所述形成覆盖所述有机发光二极管功能层的阴极进一步包括：形成覆盖所述有机发光二极管功能层和像素界定层的阴极；
113.所述在所述像素区域上形成用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层进一步包括：在所述阴极上形成覆盖所述像素区域和部分像素界定层的用于限定辅助阴极区域的辅助阴极界定层；
114.所述在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极进一步包括：在所述阴极上形成位于所述辅助阴极区域的所述辅助阴极，并且所述辅助阴极、阴极和像素界定层在所述衬底上的正投影交叠。
115.本实施例通过设置辅助阴极，从而降低阴极压降，以实现将位于像素边缘的空穴导出以有效降低侧向电流，减少像素间光学串扰的效果。
116.为了提高有机发光二极管基板的抗水氧能力，在所述在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极之后，所述制作方法还包括：形成覆盖所述辅助阴极和辅助阴极界定层的封装层。
117.本实施例通过设置封装层能够实现对oled器件的保护。
118.为了提高产品良率，在又一个可选方式中，在所述在所述多个阳极远离所述衬底一侧形成用于限定多个像素区域的像素界定层之后，在所述在所述像素界定层和阳极远离所述衬底一侧形成有机发光二极管功能层之前，所述制作方法还包括：在所述像素界定层上形成金属辅助电极，所述金属辅助电极在所述衬底上的正投影与所述像素界定层在所述衬底上的正投影交叠；
119.所述在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极进一步包括：在所述金属辅助电极上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极，所述金属辅助电极通过所述辅助阴极与所述阴极电连接。
120.本实施例通过在像素界定层上设置金属辅助电极，能够提高辅助阴极与阴极的连接性能以提高产品良率，并且辅助阴极的电阻小于阴极电阻，能够降低阴极压降，并提高产品良率。
121.为了提高辅助阴极的抗水氧能力，在又一个可选方式中，在所述在所述像素界定层上形成位于所述辅助阴极区域的辅助阴极之后，所述制作方法还包括：
122.形成覆盖所述辅助阴极的辅助阴极保护层，所述辅助阴极保护层远离所述衬底的表面与所述辅助阴极界定层远离所述衬底的表面平齐；以及
123.形成覆盖所述辅助阴极保护层和所述辅助阴极界定层的第二封装层。
124.本示例中，通过设置辅助阴极保护层以阻隔水氧对辅助阴极的侵蚀，进一步，设置第二封装层提高有机发光二极管基板的抗水氧能力，实现对oled器件的保护。
125.前述实施例和随之带来的有益效果同样适用于本实施例，因此，相同的部分不再赘述。
126.本技术的又一个实施例提供了一种有机发光二极管显示面板，包括前述实施例所述的有机发光二极管基板。所述显示面板可以应用于手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
127.还值得说明的是，本实施例提出有机发光二极管显示面板，其不限于利用本技术上述实施例的制作方法而形成的具体结构，也可由本领域技术人员采用其他加工工艺形成该有机发光二极管显示面板的具体结构。
128.本技术的又一个实施例提供了一种有机发光二极管显示装置，包括前述实施例所述的有机发光二极管基板。所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
129.显然，本技术的上述实施例仅仅是为清楚地说明本技术所作的举例，而并非是对本技术的实施方式的限定，对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本技术的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术的保护范围之列。