立式炉及其工艺门的制作方法

1.本实用新型涉及半导体工艺设备领域，具体地，涉及一种工艺门和一种包括该工艺门的立式炉。


背景技术：

2.立式炉是一种应用于半导体行业的重要设备，可进行氧化、退火、低压化学沉积等工艺，工艺门是立式炉设备中的重要组成部件，其功能为选择性地封闭立式炉炉体底部的开口，并承载晶圆(wafer)进行半导体工艺。具体地，如图1所示，立式炉包括炉体1和工艺门4，工艺门4承载着石英舟2，石英舟2承载着晶圆3，使晶圆3在炉体1中进行工艺反应。
3.工艺门4包括转轴4-1、旋转驱动装置4-2、水冷盘4-3、第一密封圈4-4、第二密封圈4-5等结构，水冷盘4-3用于选择性地封闭炉体1的底部开口并进行冷却，旋转驱动装置4-2用于驱动转轴4-1进行旋转，从而带动晶圆3旋转，以保证工艺的均一性。水冷盘4-3的边缘通过第一密封圈4-4与炉体1的底部密封连接，旋转驱动装置4-2与水冷盘4-3固定连接并压紧第二密封圈4-5实现对炉体1进行密封。
4.在立式炉中，工艺门4是直接接触炉体1内部环境的部件，随着立式炉的工艺反应复杂程度逐渐增大，在复杂的工艺环境中会产生例如氯化钠等副产物，这些副产物会附着在炉体1的内壁以及工艺门4的顶面上，使机台的洁净度及工艺水平降低。为了清除这些副产物，需要用氟化氢(hf)、氟气(f2)等强酸性气体进行干法清洗(dryclean)，但强酸性气体会对金属材料制成的转轴4-1、旋转驱动装置4-2、水冷盘4-3等结构产生严重的腐蚀情况，使工艺门4不能很好地应用于复杂工艺反应。
5.为此，现有技术提出将工艺门4中的转轴4-1、水冷盘4-3等结构替换为石英材质，然而，石英件的加工精度相对金属件较低，采用金属材质的转轴4-1与水冷盘4-3的平行度可控制在0.5mm/m以内，而采用石英材质时零件平行度往往会超出0.5mm/m，导致石英舟2的实际中心线偏离设计中心线较多，进而影响半导体工艺的均一性。
6.因此，如何提供一种能够保证顶面平行度的工艺门结构，成为本领域亟待解决的技术问题。


技术实现要素：

7.本实用新型旨在提供一种用于立式炉的工艺门和一种包括该工艺门的立式炉，该工艺门能够使其上承载的晶圆保持水平，保证半导体工艺的均一性。
8.为实现上述目的，作为本实用新型的一个方面，提供一种用于立式炉的工艺门，所述工艺门包括密封盘、转轴、旋转驱动装置和调平机构，所述密封盘的顶面用于封闭所述立式炉的炉体的底部开口，所述密封盘的中心形成有沿厚度方向贯穿所述密封盘的传动孔，所述转轴的顶部用于支撑晶圆承载装置，所述转轴的底端设置在所述传动孔中并通过所述调平机构与所述旋转驱动装置连接，所述旋转驱动装置用于驱动所述调平机构带动所述转轴旋转，所述调平机构用于调节自身轴线与所述旋转驱动装置的旋转轴之间的角度。
9.可选地，所述调平机构包括连接柱、多个调节螺钉和多根调节顶丝，所述连接柱的顶端与所述转轴的底端连接，所述连接柱的底端设置在所述旋转驱动装置的顶面上；所述连接柱中形成有沿所述连接柱的轴线方向贯穿所述连接柱的多个连接通孔和多个第一螺纹孔，所述旋转驱动装置的顶面上形成有位置与多个所述连接通孔一一对应的多个第二螺纹孔；多个所述调节螺钉一一对应地依次穿过多个所述连接通孔并旋入对应的所述第二螺纹孔中，多根所述调节顶丝一一对应地设置在多个所述第一螺纹孔中。
10.可选地，所述连接柱中形成有三个所述连接通孔和三个所述第一螺纹孔，三个所述连接通孔周向均匀分布，三个所述第一螺纹孔周向均匀分布，且所述连接通孔和所述第一螺纹孔周向错开。
11.可选地，所述工艺门还包括密封盖，所述转轴的顶面上形成有维护槽，所述维护槽的槽底形成有沿所述转轴的轴线方向贯穿至所述转轴底部的多个第一避让孔，多个所述第一避让孔的位置与多个所述连接通孔以及多个所述第一螺纹孔一一对应；所述密封盖设置在所述维护槽中并覆盖多个所述第一避让孔，且所述密封盖的顶面与所述转轴的顶面平齐。
12.可选地，所述密封盖的底面与所述维护槽的槽底中的一者上形成有至少一个与所述维护槽同心的第一环形凸起，另一者上形成有至少一个与所述维护槽同心的第一环形凹槽，所述第一环形凸起一一对应地设置在所述第一环形凹槽中。
13.可选地，所述密封盘、所述转轴和所述密封盖的材质为石英。
14.可选地，所述转轴包括承载盘和连接轴，所述维护槽形成在所述承载盘的顶面上，所述承载盘的底部通过所述连接轴与所述调平机构连接。
15.可选地，所述承载盘的底部形成有与所述承载盘同轴的筒状凸起，所述连接轴的顶端形成有与所述连接轴同轴的圆柱凸台，所述连接轴的底端形成有连接槽；所述连接轴的所述圆柱凸台设置在所述承载盘的所述筒状凸起中，所述连接柱的顶端设置在所述连接轴的所述连接槽中。
16.可选地，所述工艺门还包括底盘和上压环，所述密封盘设置在所述底盘的顶面上，所述底盘的顶面上还形成有环绕所述密封盘的第一环形凸台，所述密封盘的外侧壁上形成有沿所述密封盘的径向向外凸出的第二环形凸台，所述上压环与所述环形凸台的顶部固定连接，以将所述第二环形凸台限定在所述上压环的底面与所述底盘的顶面之间。
17.可选地，所述底盘的中央形成有沿所述底盘的厚度方向贯穿所述底盘的第二避让孔，所述密封盘的底面上形成有与所述密封盘同轴的圆柱凸台，所述第二避让孔环绕设置在所述圆柱凸台的外侧，所述传动孔贯通至所述圆柱凸台的底面。
18.可选地，所述工艺门还包括q型密封圈和密封圈压环，所述密封盘的顶面上形成有第二环形凸起，所述密封圈压环的底面上形成有内侧与所述密封圈压环的内孔相接的环形容纳槽，所述q型密封圈环绕设置在所述第二环形凸起的外侧，所述密封圈压环环绕所述q型密封圈固定设置在所述密封盘的顶面上，且所述q型密封圈的外沿容纳设置在所述环形容纳槽中。
19.可选地，所述第二环形凸起的尺寸与所述立式炉炉体的底部开口尺寸对应，使所述q型密封圈的主体能够与所述炉体的底面接触。
20.作为本实用新型的第二个方面，提供一种立式炉，包括炉体和工艺门，所述工艺门
用于选择性地封闭所述炉体的底部开口，其中，所述工艺门为前面所述的工艺门。
21.在本实用新型提供的工艺门和立式炉中，工艺门包括调平机构，用于支撑晶圆承载装置的转轴通过调平机构与底部的旋转驱动装置连接，调平机构能够调节自身轴线与旋转驱动装置的旋转轴之间的角度，从而实现调节其上连接的转轴顶部表面的水平度，进而即便密封盘、转轴等结构采用石英材质，也可以通过调平机构调节转轴顶部表面的水平度，使转轴顶面及其上承载的晶圆保持水平，保证了半导体工艺的均一性，提高了产品良率。
附图说明
22.附图是用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本实用新型，但并不构成对本实用新型的限制。在附图中：
23.图1是一种现有的立式炉的结构示意图；
24.图2是本实用新型实施例提供的工艺门的结构示意图；
25.图3至图4是本实用新型实施例提供的工艺门中调平机构与旋转驱动装置之间的连接关系的示意图；
26.图5至图6是本实用新型实施例提供的工艺门中转轴与调平机构以及密封盖之间的连接关系的示意图；
27.图7是本实用新型实施例提供的工艺门中调平机构与旋转驱动装置之间的连接关系的示意图；
28.图8是本实用新型实施例提供的工艺门的结构示意图；
29.图9是对本实用新型实施例提供的工艺门中的调平机构进行调节的原理示意图(图7中a位置的局部放大示意图)；
30.图10是本实用新型实施例提供的立式炉的结构示意图。
31.附图标记说明：
32.100：密封盘
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110：第二环形凸台
33.120：环形凸起
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130：第二圆柱凸台
34.200：转轴
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210：承载盘
35.211：筒状凸起
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212：维护槽
36.220：连接轴
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221：第一圆柱凸台
37.222：连接槽
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230：密封盖
38.240：第一避让孔
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300：旋转驱动装置
39.310：驱动部主体
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311：第二螺纹孔
40.320：法兰盘
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321：密封圈槽
41.322：o型密封圈
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400：调平机构
42.410：连接柱
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411：连接通孔
43.412：第一螺纹孔
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420：调节螺钉
44.430：调节顶丝
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500：底盘
45.510：第一环形凸台
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520：环形槽
46.600：上压环
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610：q型密封圈
47.620：密封圈压环
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710：上垫圈
48.720：下垫圈
具体实施方式
49.以下结合附图对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本实用新型，并不用于限制本实用新型。
50.为解决上述技术问题，作为本实用新型的一个方面，提供一种用于立式炉的工艺门，如图2所示，该工艺门包括密封盘100、转轴200、旋转驱动装置300和调平机构400，密封盘100的顶面用于封闭立式炉的炉体的底部开口，密封盘100的中心形成有沿厚度方向贯穿密封盘100的传动孔，转轴200的顶部用于支撑晶圆承载装置(例如，晶舟(石英舟))，转轴200的底端设置在传动孔中并通过调平机构400与旋转驱动装置300连接，旋转驱动装置300用于驱动调平机构400带动转轴200旋转，调平机构400用于调节自身轴线与旋转驱动装置300的旋转轴200之间的角度。
51.作为本实用新型的一种优选实施方式，该工艺门中直接用于与立式炉的腔体内部环境接触的部件(即密封盘100、转轴200)的材质可以为抗强酸性气体腐蚀的材质，例如石英材质。密封盘100采用石英材质同时还能够提高密封盘100自身的耐高温性能，从而不必额外设置用于冷却密封盘100的冷却组件(如，水冷组件)，简化了工艺门结构。
52.本实用新型提供的工艺门包括调平机构400，用于支撑晶圆承载装置的转轴200通过调平机构400与底部的旋转驱动装置300连接，调平机构400能够调节自身轴线与旋转驱动装置300的旋转轴200之间的角度，从而实现调节其上连接的转轴200顶部表面的水平度，进而即便密封盘100、转轴200等结构采用石英材质，也可以通过调平机构400调节转轴200顶部表面的水平度，使转轴200顶面及其上承载的晶圆保持水平，保证了半导体工艺的均一性，提高了产品良率。
53.作为本实用新型的一种可选实施方式，如图3、图4以及图5所示，调平机构400包括连接柱410、多个调节螺钉420和多根调节顶丝430，连接柱410的顶端与转轴200的底端连接，连接柱410的底端设置在旋转驱动装置300的顶面上。连接柱410中形成有沿连接柱410的轴线方向贯穿连接柱410的多个连接通孔411和多个第一螺纹孔412，旋转驱动装置300的顶面上形成有位置与多个连接通孔411一一对应的多个第二螺纹孔311；多个调节螺钉420一一对应地依次穿过多个连接通孔411并旋入对应的第二螺纹孔311中，多根调节顶丝430一一对应地设置在多个第一螺纹孔412中。
54.在本实用新型实施例中，调平机构400包括连接柱410、多个调节螺钉420和多根调节顶丝430，连接柱410连接在转轴200的底端与旋转驱动装置300的顶面之间。调节螺钉420依次穿过连接柱410上的连接通孔411和旋转驱动装置300顶面上的第二螺纹孔311，从而将连接柱410与旋转驱动装置300连接在一起并起到传递扭矩的作用，调节顶丝430一一对应地旋入多个第一螺纹孔412中，从而可以通过松动调节螺钉420并拧紧调节顶丝430使调节顶丝430的底端伸出第一螺纹孔412的长度增加的方式，使连接柱410的底端与旋转驱动装置300的顶面在该方位的间隙增大，或者，通过旋转调节顶丝430使之部分缩回第一螺纹孔412中并拧紧调节螺钉420的方式，使连接柱410的底端与旋转驱动装置300的顶面在该方位的间隙增减小，进而可以通过调节各方位的调节螺钉420与调节顶丝430的进给量，实现调节连接柱410轴线的角度，使连接柱410带动其上连接的转轴200，实现将转轴200的顶面调
节至水平(如图7所示，调节至转轴200上放置的水平仪10的示数满足要求)，以保证其上承载的晶圆的水平度。
55.作为本实用新型的一种可选实施方式，连接柱410中形成有三个连接通孔411和三个第一螺纹孔412，三个连接通孔411周向均匀分布，三个第一螺纹孔412周向均匀分布，且连接通孔411和第一螺纹孔412周向错开。为提高连接柱410上的受力均匀性，优选地，每个第一螺纹孔412与连接柱410轴线之间在水平投影上的连线为相邻两个连接通孔411与连接柱410轴线之间在水平投影上的连线之间的角平分线。
56.可选地，如图7所示，调节顶丝430的顶端具有非圆柱凸起，例如，可以为正六棱柱，从而可以通过扳手等调节件由连接柱410的上方与调节螺钉420及调节顶丝430的顶端对接，并带动调节螺钉420及调节顶丝430旋转，实现调节转轴200顶面的水平度。
57.为提高调节转轴200顶面水平度的便捷性，作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2、图5、图6所示，该工艺门还包括密封盖230，转轴200的顶面上形成有维护槽212，维护槽212的槽底形成有沿转轴200的轴线方向贯穿至转轴200底部的多个第一避让孔240，多个第一避让孔240的位置与多个连接通孔411以及多个第一螺纹孔412一一对应；密封盖230设置在维护槽212中并覆盖多个第一避让孔240，且密封盖230的顶面与转轴200的顶面平齐。
58.在本实用新型实施例中，转轴200的顶面上形成有维护槽212，多个第一避让孔240由维护槽212的槽底贯穿至转轴200的底部，且位置与多个连接通孔411以及多个第一螺纹孔412对应，从而在需要对转轴200顶面的水平度进行调节时，如图8至图9所示，对密封盘100、转轴200等结构进行拆除，仅需将调节扳手20(例如，在调节螺钉420为内六角螺钉时，该扳手可以为六角扳手)由转轴200的第一避让孔240伸入，即可与调节螺钉420及调节顶丝430的顶端对接，并带动调节螺钉420及调节顶丝430旋转，实现调节转轴200顶面的水平度，提高了维护工艺门的便捷性。
59.并且，维护槽212中设置有密封盖230，从而可以在非维护时间通过密封盖230遮挡多个第一避让孔240，在保持转轴200顶面平坦度的同时，还能够防止工艺环境中的物质由第一避让孔240逸出，提高了立式炉设备的安全性。
60.此外，由于连接柱410为主要受力部件，且在调平过程中需通过螺纹承受较大预应力，为保证连接柱410的结构强度，连接柱410的材质优选为金属材料。在此情况下，密封盖230能够有效隔绝炉体内部的腐蚀性气体，保护金属材质的连接柱410免受腐蚀，延长连接柱410的使用寿命。
61.为进一步提高立式炉设备的安全性并延长连接柱410的使用寿命，作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2、图5、图6所示，密封盖230的底面与维护槽212的槽底中的一者上形成有至少一个与维护槽212同心的第一环形凸起，另一者上形成有至少一个与维护槽212同心的第一环形凹槽(图中所示为第一环形凹槽形成在密封盖230的底面上、第一环形凸起形成在维护槽212的槽底的情况)，第一环形凸起一一对应地设置在第一环形凹槽中，从而形成迷宫密封结构，进一步降低炉体内部气体通过密封盖230与维护槽212之间的缝隙以及多个第一避让孔240逸出的概率，从而进一步提高了立式炉设备的安全性，延长了连接柱410的使用寿命。
62.作为本实用新型的一种优选实施方式，用于与炉体内部环境接触的密封盘100、转轴200和密封盖230的材质均为石英。
63.为降低转轴200的加工难度及制造成本，作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2、图5、图6所示，转轴200包括承载盘210和连接轴220，维护槽212形成在承载盘210的顶面上，承载盘210的底部通过连接轴220与调平机构400连接。
64.在本实用新型实施例中，转轴200包括沿高度方向依次分布的承载盘210和连接轴220，从而将转轴200拆分成盘状的承载盘210与柱状的连接轴220，避免了在盘状零件的底面上保留延伸量较大的柱状紧固，进而降低了石英件(转轴200)的加工难度及制造成本。
65.作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2、图5、图6所示，承载盘210的底部形成有与承载盘210同轴的筒状凸起211，连接轴220的顶端形成有与连接轴220同轴的第一圆柱凸台221，连接轴220的底端形成有连接槽222；连接轴220的第一圆柱凸台221设置在承载盘210的筒状凸起211中，连接柱410的顶端设置在连接轴220的连接槽222中。
66.需要说明的是，在转轴200为包括承载盘210和连接轴220的上下分体式结构的情况下，第一避让孔240也对应地分为形成在承载盘210和连接轴220上的上下贯通的通孔。即，如图2、图5、图6所示，承载盘210中形成有多个由维护槽212的槽底贯穿至承载盘210底部的通孔，连接轴220中形成有多个由第一圆柱凸台221的顶部贯穿至连接槽222的槽底的通孔，承载盘210上的通孔与连接轴220上的通孔一一对应连通，形成多个第一避让孔240。
67.作为本实用新型的一种可选实施方式，密封盘100直接用于与驱动工艺门升降的升降驱动组件连接，具体地，可以在密封盘100上钻孔，并通过螺栓等紧固件将密封盘100与升降驱动组件紧固连接。
68.考虑到石英材质的密封盘100脆性较高，为避免密封盘100承受过大的局部应力，作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2、图9所示，该工艺门还包括底盘500和上压环600，密封盘100设置在底盘500的顶面上，底盘500的顶面上还形成有环绕密封盘100的第一环形凸台510，密封盘100的外侧壁上形成有沿密封盘100的径向向外凸出的第二环形凸台110，上压环600与环形凸台的顶部固定连接，以将第二环形凸台110限定在上压环600的底面与底盘500的顶面之间。
69.在本实用新型实施例中，该工艺门还包括底盘500和上压环600，底盘500顶面的边缘形成有环绕密封盘100的第一环形凸台510，上压环600固定连接在第一环形凸台510上，从而通过对密封盘100的第二环形凸台110的上下两个侧面进行限位的方式，实现固定密封盘100的位置，在立式炉设备中密封盘100通过底盘500与升降驱动组件连接，底盘500不与炉体内部环境接触，因而可采用能够承受较大应变的金属等材料，从而在保证密封盘100位置稳定性的同时，延长了密封盘100的使用寿命。并且，第二环形凸台110在与第一环形凸台510及上压环600之间的接触状态沿周向保持一致，进一步提高了密封盘100表面应力的均匀性，进而提高了立式炉设备的安全性。
70.为进一步分散密封盘100的第一环形凸台510上的应力，作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2所示，第二环形凸台110的侧壁与上表面之间的圆弧棱与上压环600的底面以及第一环形凸台510的内侧壁之间设置有上垫圈710，第二环形凸台110的侧壁与下表面之间的圆弧棱与底盘500的顶面以及第一环形凸台510的内侧壁之间设置有下垫圈720，上垫圈710与下垫圈720的横截面(沿径向的截面)均为“l”形(即横截面为相互垂直且一端相互连接的两条条状结构)，从而对第二环形凸台110的上下两条圆弧棱进行包覆，使第二环形凸台110通过上垫圈710和下垫圈720与第一环形凸台510、底盘500以及上压环600间接
接触并受力，提高了第一环形凸台510上应力分布的均匀性。
71.优选地，上垫圈710和下垫圈720可具有一定弹性，但形变量不宜过大，以保证密封盘100位置的稳定性，例如，作为本实用新型的一种可选实施方式，上垫圈710和下垫圈720的材质可以为聚四氟乙烯(poly tetra fluoroethylene，ptfe)。
72.作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2所示，底盘500的中央形成有沿底盘500的厚度方向贯穿底盘500的第二避让孔，密封盘100的底面上形成有与密封盘100同轴的第二圆柱凸台130，第二避让孔环绕设置在第二圆柱凸台130的外侧，传动孔贯通至第二圆柱凸台130的底面(使第二圆柱凸台130形成为筒状结构)，以允许旋转驱动装置300通过传动孔与调平机构400以及转轴200连接。
73.作为本实用新型的一种可选实施方式，如图2所示，底盘500的顶面还形成有环绕第二避让孔的环形槽520，从而当存在对工艺门进行加热的需求时，可在环形槽520中对应安装环形的加热器，以对工艺门进行周向均匀加热。
74.考虑到密封盘100采用石英材质时难以加工出用于容纳o型密封圈的燕尾槽，为降低密封盘100的加工难度及制造成本，并提高密封盘100的整体结构强度，作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2所示，该工艺门还包括q型密封圈610和密封圈压环620，密封盘100的顶面上形成有第二环形凸起120，密封圈压环620的底面上形成有内侧与密封圈压环620的内孔相接的环形容纳槽，q型密封圈610环绕设置在第二环形凸起120的外侧，密封圈压环620环绕q型密封圈610固定设置在密封盘100的顶面上，且q型密封圈610的外沿容纳设置在环形容纳槽中。
75.在本实用新型实施例中，密封盘100仅在顶面上制作出用于由内侧挤压q型密封圈610的第二环形凸起120，由密封圈压环620的环形容纳槽对q型密封圈610的外沿进行限位，并向下挤压q型密封圈610的外沿，以维持q型密封圈610位置的稳定性。在进行半导体工艺时，立式炉的升降驱动组件通过底盘500托举密封盘100，将转轴200上承载的晶舟送入炉体内部，并使密封盘100的顶面与炉体底部接触，二者由上下两侧挤压q型密封圈610的主体部分，从而实现密封炉体，在对炉体内部抽真空后可保证件炉内环境维持在工艺所需的低压环境。
76.可选地，第二环形凸起120的尺寸与立式炉炉体的底部开口尺寸对应，以使q型密封圈610的主体能够与炉体的底面接触，实现密封。
77.作为本实用新型的一种优选实施方式，如图2至图4所示，旋转驱动装置300包括驱动部主体310和环绕驱动部主体310的底端并与驱动部主体310固定连接的法兰盘320，驱动部主体310的顶部与调平机构400连接，法兰盘320的上表面用于与密封盘100的第二圆柱凸台130的底端密封连接，以提高对炉体的密封效果。
78.具体地，如图2至图4所示，法兰盘320的上表面上形成有环绕驱动部主体310的密封圈槽321，密封圈槽321中设置有o型密封圈322，密封圈槽321的直径介于传动孔的内径与第二圆柱凸台130的外径之间。
79.作为本实用新型的一种可选实施方式，本实用新型实施例中非石英材质的部件可采用金属材质，例如，底盘500可采用金属材质。
80.作为本实用新型的一种可选实施方式，本实用新型实施例中除密封盖230、密封盘100以外的部件之间均可通过紧固件(例如，螺钉、螺栓等)紧固连接。例如，可选地，密封圈
压环620与上压环600之间、上压环600与底盘500之间、底盘500与旋转驱动装置300之间、旋转驱动装置300与调平机构400之间、调平机构400与连接轴220之间、连接轴220与承载盘210之间均可通过螺钉紧固连接。
81.作为本实用新型的第二个方面，提供一种立式炉，如图10所示，该立式炉包括炉体1和工艺门，该工艺门用于选择性地封闭炉体1的底部开口，其中，该工艺门为本实用新型实施例提供的工艺门。
82.在本实用新型提供的立式炉中，工艺门包括调平机构400，用于支撑晶圆承载装置的转轴200通过调平机构400与底部的旋转驱动装置300连接，调平机构400能够调节自身轴线与旋转驱动装置300的旋转轴200之间的角度，从而实现调节其上连接的转轴200顶部表面的水平度，进而即便密封盘100、转轴200等结构采用石英材质，也可以通过调平机构400调节转轴200顶部表面的水平度，使转轴200顶面及其上承载的晶圆保持水平，保证了半导体工艺的均一性，提高了产品良率。
83.作为本实用新型的一种优选实施方式，该立式炉还包括升降驱动组件，用于托举工艺门，将转轴200上承载的晶舟(及晶舟上的晶圆)送入炉体内部，并使工艺门的密封盘100的顶面与炉体底部接触，实现密封炉体，保证件炉内环境维持在工艺所需的低压环境；或者在完成半导体工艺后将工艺门及其上承载的晶舟放下，以便将完成工艺的晶圆取出。
84.可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本实用新型的原理而采用的示例性实施方式，然而本实用新型并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本实用新型的保护范围。