一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置的制作方法

1.本实用新型涉及圆晶背面金属化加工技术领域，具体为一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置。


背景技术：

2.圆晶是指硅半导体集成电路制作所用的硅芯片，由于其形状为圆形，故称为圆晶。圆晶是生产集成电路所用的载体，一般意义晶圆多指单晶硅圆片。其中，背面金属化工艺也是半导体芯片生产制造中非常重要的一个环节。
3.圆晶背面金属化工艺需要对温度进行控制，当金属镀到圆晶表面时，需要对温度进行上升控制，当金属镀到圆晶表面之后，需要控制升温装置关闭，对圆晶进行冷却，但是，现有的温控装置不便于对温度进行检测。
4.为了对圆晶背面金属化工艺温度进行检测，随后对温度进行控制的效果，提高圆晶背面金属化效率的效果，故而我们提出了一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置来解决以上的问题。


技术实现要素：

5.为解决上述圆晶背面金属化工艺需要对温度进行控制，当金属镀到圆晶表面时，需要对温度进行上升控制，当金属镀到圆晶表面之后，需要控制升温装置关闭，对圆晶进行冷却，但是，现有的温控装置不便于对温度进行检测的问题，实现以上对圆晶背面金属化工艺温度进行检测，随后对温度进行控制的效果，提高圆晶背面金属化效率的目的，本实用新型通过以下技术方案予以实现：一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置，包括圆晶加工装置主体，所述圆晶加工装置主体的内部固定安装有置物台，所述圆晶加工装置主体的顶部开设有进料口；
6.所述置物台的左侧固定安装有导热杆，所述圆晶加工装置主体左侧的内壁固定安装有温控箱，所述温控箱的内壁固定安装有安置槽，所述安置槽的内部滑动连接有加热杆，所述加热杆的外壁固定连接有弹性杆，所述温控箱的内部转动安装有转盘，所述转盘的底部固定安装有挤压块。
7.进一步的，所述圆晶加工装置主体的底部固定安装有导气管，所述导气管通入氮气，确保圆晶加工装置主体内部充斥氮气，确保金属物质在圆晶加工装置主体内部沉降到置物台的效果。
8.进一步的，所述圆晶加工装置主体的顶部固定安装有进气管，所述进气管通入冷却后的氩气，通过氩气对置物台上的圆晶进行冷却，确保圆晶表面镀膜不会损坏的效果。
9.进一步的，所述加热杆用于控制所述圆晶加工装置主体内部的温度，加热杆伸入到安置槽内部后，圆晶加工装置主体温度将会升高。
10.进一步的，所述挤压块位于所述加热杆正上方，随着转盘带动挤压块移动，挤压块将会把加热杆不断地推入到安置槽内部，从而圆晶加工装置主体内部温度不断地升高。
11.进一步的，所述转盘的内部开设有滑道，所述滑道的内部固定安装有热缩杆，所述滑道的内部滑动连接有滑块，当圆晶加工装置主体内部温度不断升高之后，转盘将会带动挤压块转动，从而控制圆晶加工装置主体内部温度不断升高的效果。
12.进一步的，所述热缩杆为记忆金属材料制成，当温度升高时，热缩杆会收缩，当温度恢复糊，热缩杆会恢复长度。
13.本实用新型提供了一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置。具备以下有益效果：
14.1、该智能控温的晶圆背面金属化加工装置，通过圆晶加工装置主体内部温度升高后，通过导热杆将温度传递到转盘上，从而滑道内部的热缩杆因为温度会产生收缩，通过热缩杆带动滑块向着转盘边缘移动，从而滑块将会产生力矩带动转盘产生偏转，从而挤压块将会把加热杆推入到安置槽内部，随着加热杆不断伸入安置槽，圆晶加工装置主体内部温度将会不断地升高，实现了圆晶加工装置主体内部温度智能化控制的效果。
15.2、该智能控温的晶圆背面金属化加工装置，通过导气管向着圆晶加工装置主体内部通入氮气后，当圆晶加工装置主体充斥氮气后，通过进料口通入金属物质，确保金属物质能够沉降到置物台，随后通过氩气对圆晶进行冷却，通过氩气的特性对圆晶表面金属膜进行保护的效果。
附图说明
16.图1为本实用新型圆晶加工装置的结构示意图；
17.图2为本实用新型圆晶加工装置内部的结构示意图；
18.图3为本实用新型转盘的结构示意图；
19.图4为本实用新型安置槽内部的结构示意图。
20.图中：1、圆晶加工装置主体；2、置物台；3、进料口；4、导气管；5、进气管；6、导热杆；7、温控箱；71、安置槽；72、加热杆；73、弹性杆；74、转盘；75、滑道；76、热缩杆；77、滑块；78、挤压块。
具体实施方式
21.下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。
22.该智能控温的晶圆背面金属化加工装置的实施例如下：
23.实施例：
24.请参阅图1-图4，一种智能控温的晶圆背面金属化加工装置，包括圆晶加工装置主体1，圆晶加工装置主体1的内部固定安装有置物台2，圆晶加工装置主体1的顶部开设有进料口3，圆晶加工装置主体1的底部固定安装有导气管4，导气管4通入氮气，确保圆晶加工装置主体1内部充斥氮气，确保金属物质在圆晶加工装置主体1内部沉降到置物台2的效果，圆晶加工装置主体1的顶部固定安装有进气管5，进气管5通入冷却后的氩气，通过氩气对置物台2上的圆晶进行冷却，确保圆晶表面镀膜不会损坏的效果；
25.置物台2的左侧固定安装有导热杆6，圆晶加工装置主体1左侧的内壁固定安装有温控箱7，温控箱7的内壁固定安装有安置槽71，安置槽71的内部滑动连接有加热杆72，加热杆72用于控制圆晶加工装置主体1内部的温度，加热杆72伸入到安置槽71内部后，圆晶加工装置主体1温度将会升高，加热杆72的外壁固定连接有弹性杆73，温控箱7的内部转动安装有转盘74，转盘74的底部固定安装有挤压块78，挤压块78位于加热杆72正上方，随着转盘74带动挤压块78移动，挤压块78将会把加热杆72不断地推入到安置槽71内部，从而圆晶加工装置主体1内部温度不断地升高，通过转盘74转动带动挤压块78挤压加热杆72伸入到安置槽71内部，随着加热杆72不断地伸入安置槽71，圆晶加工装置主体1内部温度会不断地升高。
26.转盘74的内部开设有滑道75，滑道75的内部固定安装有热缩杆76，热缩杆76为记忆金属材料制成，当温度升高时，热缩杆76会收缩，当温度恢复糊，热缩杆76会恢复长度，滑道75的内部滑动连接有滑块77，当圆晶加工装置主体1内部温度不断升高之后，转盘74将会带动挤压块78转动，从而控制圆晶加工装置主体1内部温度不断升高的效果。
27.工作原理，将圆晶放置到置物台2后，启动圆晶加工装置主体1升温，以及通过进料口3向着圆晶加工装置主体1内部通入金属物质，同时，通过导气管4向其内部通入氮气，随着圆晶加工装置主体1内部充斥氮气后，金属物质将会在圆晶加工装置主体1内部发生沉降，确保金属物质落到置物台2上，通过导热杆6将置物台2上的温度传递到温控箱7内部的转盘74上，由于转盘74上开设的滑道75远离导热杆6的一侧为隔热材料制成，确保了导热杆6的温度仅能传递到单个滑道75内部，通过圆晶加工装置主体1内部的温度促使热缩杆76产生收缩，随着热缩杆76带动着滑块77向着转盘74边缘移动，因而滑块77产生的力矩将会增大，通过滑块77带动转盘74产生转动，随着转盘74转动，挤压块78将会与加热杆72接触，将加热杆72不断地推入到安置槽71内部，从而控制圆晶加工装置主体1内部温度不断升高，当转盘74带动挤压块78离开加热杆72后，在弹性杆73作用下，加热杆72将会离开安置槽71，从而圆晶加工装置主体1内部升温机构关闭，随后通过进气管5向着圆晶加工装置主体1通入冷却的氩气，不仅有效对置物台2上的圆晶进行降温，且氩气不会破坏圆晶表面的金属膜，实现了圆晶加工装置主体1温度智能化控制的效果。
28.尽管已经示出和描述了本实用新型的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本实用新型的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本实用新型的范围由所附权利要求及其等同物限定。