技术特征：
1.一种智能功率模块，其特征在于，包括：设置于基板上的引线框架，在基板上对应引线框架的贴片位置设置有贴片区域；设置在对应贴片区域的上桥驱动芯片、下桥驱动芯片以及与上桥驱动芯片连接的至少一个上桥功率开关器件、与下桥驱动芯片连接的至少一个下桥功率开关器件；上桥驱动芯片、下桥驱动芯片内集成有输入逻辑电路模块和驱动电路模块，输入逻辑电路模块用于接收主电路发送的pwm控制信号，驱动电路模块与输入逻辑电路模块连接用于根据pwm控制信号实现待驱动功率芯片的驱动控制，驱动电路模块的门极电阻采用第一可编程电阻电路实现，所述上桥驱动芯片、下桥驱动芯片均设有门极电阻i/o端口，以通过门极电阻i/o端口控制各自对应的第一可编程电阻电路的阻值。2.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥功率开关器件和下桥功率开关器件由绝缘栅双极型晶体管igbt或金属氧化物半导体场效应晶体管mosfet组成。3.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，还包括：与上桥功率开关器件连接的续流二极管和下桥功率开关器件连接的续流二极管，每一续流二极管的阳极一端与对应的功率开关器件的发射极相连，每一续流二极管的阴极一端连接到外部引脚。4.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥驱动芯片内还集成有自举二极管模块，所述自举二极管模块包括自举二极管和与自举二极管阴极相连接的限流电阻，所述自举二极管的阳极连接至上桥驱动芯片的供电电压端口，该供电电压端口连接至上桥驱动芯片的逻辑输入电路模块，所述限流电阻的另一端连接至上桥驱动芯片的驱动电路模块。5.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述限流电阻采用第二可编程电阻电路实现，所述上桥驱动芯片设有限流电阻i/o端口，以通过限流电阻i/o端口控制第二可编程电阻电路的阻值。6.根据权利要求4所述的智能功率模块，其特征在于，所述上桥驱动芯片内还集成有第一vcc欠压保护电路模块、vb欠压保护电路模块和电平移位电路模块；第一vcc欠压保护电路模块的一端连接至上桥驱动芯片的供电电压端口，另一端连接至上桥驱动芯片的逻辑输入电路模块，所述vcc欠压保护电路模块用于对上桥驱动芯片的逻辑输入电路模块执行欠压保护；vb欠压保护电路模块的一端连接至所述限流电阻，另一端连接至上桥驱动芯片的驱动电路模块，所述vb欠压保护电路模块用于对上桥驱动芯片的驱动电路模块执行欠压保护；电平移位电路模块的输入端口与上桥驱动芯片的输入逻辑电路模块的输出端口连接，所述电平移位电路模块的输出端口与上桥驱动芯片的驱动电路模块的输入端口连接，所述电平移位电路模块用于抬高上桥驱动芯片的输入逻辑电路模块向驱动电路模块输出的电压值。7.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述下桥驱动芯片内还集成有过流保护电路模块，所述过流保护电路模块用于对待驱动功率芯片的电流进行采样，以对下桥驱动芯片的逻辑输入电路模块执行过流保护。8.根据权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述过流保护模块的检测电阻采用第三可编程电阻电路实现，所述下桥驱动芯片设置有检测电阻i/o端口，以通过检测电阻
i/o端口控制第三可编程电阻电路的阻值。9.根据权利要求7所述的智能功率模块，其特征在于，所述下桥驱动芯片内还集成有第二vcc欠压保护电路模块和过温保护电路模块；第二vcc欠压保护电路模块的一端连接至下桥驱动芯片的供电电压端口，另一端连接至下桥驱动芯片的逻辑输入电路模块，第二vcc欠压保护电路模块用于对下桥驱动芯片的逻辑输入电路模块执行欠压保护；过温保护电路模块的输出端连接至下桥驱动芯片的逻辑输入电路模块，用于对逻辑输入电路模块执行过温保护。10.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述第一可编程电阻电路包括数字电路模块和电阻电路模块；电阻电路模块，包括不同阻值的待切换电阻；所述数字电路模块包括逻辑运算模块和开关模块，所述开关模块包括多个子开关，各个子开关分别连接一个待切换电阻，所述逻辑运算模块用于根据门极电阻i/o端口输入的编程数据位信号控制开关模块中各个子开关的开关动作，以将门极电阻切换为当前处于闭合状态的子开关对应的电阻。11.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述引线框架为一体成型。12.根据权利要求1所述的智能功率模块，其特征在于，所述基板包括从下到上依次设置的第一铜层、陶瓷层和第二铜层。
技术总结
本实用新型公开了一种智能功率模块，智能功率模块包括设置于基板上的引线框架，在基板上对应引线框架的贴片位置设置有贴片区域；设置在对应贴片区域的上、下桥驱动芯片以及与上、下桥驱动芯片连接的功率开关器件；上、下桥驱动芯片内集成有输入逻辑电路模块和驱动电路模块，以接收主电路发送的PWM控制信号，并根据PWM控制信号实现待驱动功率芯片的驱动控制，驱动电路模块的门极电阻采用第一可编程电阻电路实现，上、下桥驱动芯片均设有门极电阻I/O端口，以通过门极电阻I/O端口控制各自对应的第一可编程电阻电路的阻值，实现门极电阻的阻值设置，满足不同型号的功率开关器件的驱动需求以及应用端需求，拓宽了智能功率模块的应用范围。用范围。用范围。
技术研发人员：赵承贤 范庆庆 徐世明 盘伶子 王伊纳 廖志鹏
受保护的技术使用者：珠海格力新元电子有限公司
技术研发日：2022.04.11
技术公布日：2022/8/18