一种具有围堰结构的板级封装结构的制作方法

1.本实用新型涉及板级封装技术领域，具体涉及一种具有围堰结构的板级封装结构。


背景技术：

2.随着手机、电脑、数码相加等移动消费型电子产品对应功能集成、大存储空间、高可靠性及小型化封装的要求程度越来越高，高密度微电子组装技术在新一代电子产品上成为主流。为了配合其发展的速度，使用的芯片向密度更高、速度更快、尺寸更小、成本更低等方向发展。同时，伴随着当下电子产品功能越来越丰富，扇入型封装结构i/o数量已无法满足产品需求，扇出型(fan out，fo)封装结构作为晶圆级封装的一种，其针对输入/输出端口(input/output，i/o)数量多，集成灵活性高(可实现垂直和水平方向多芯片集成)的主要先进封装工艺，多用于多芯片、厚度超薄封装和三维系统级封装等等。晶圆级扇出型封装(wafer-level fan-out package，wlfop)的出现极大地增加了封装体的i/o数量，契合了芯片多功能化的发展方向。但由于市场需求日益增大，为了突破现有的方式，将pcb板级生产理念结合半导体晶圆级封装方法，打破原有晶圆的尺寸限制，有必要提出一种可以容纳更多i/o数、减小芯片尺寸和厚度、整合更多异质芯片达到封装小型化需求，能够有效降低生产成本，提高生产效率，最终应用于消费性、高速运算和专业性电子产品等应用的封装结构。
3.为了更进一步的降低成本，使用更大尺寸平板(panel)作为载板，推出板级扇出型封装(panel-level fan-out package，plfop)日益受到市场青睐。板级扇出型封装技术的出现，能有效的实现更大面积整体封装，进一步增加封装效率，降低封装成本，拥有更广阔的发展前景。目前，一片300x300mm2硅晶圆大约可以生产600颗ic，若使用板级扇出型封装技术，在500x500 mm2面板上封装ic颗数可高达2600颗，即在500x500mm2面板上扇出型封装的产量将是在300x300mm2晶圆上扇出型封装产量的4倍多，因此可以有效降低成本，增加产品竞争力。板级扇出封装技术具有更低的成本、灵活的设计、良好的电热性能、多样的商业模式以及广阔的应用领域的优势。
4.板级扇出型封装工艺虽然能有效的实现更大面积整体封装，进一步增加封装效率，降低封装成本，拥有更广阔的发展前景，但在该板级封装工艺键合过程中，键合胶会向两侧外溢形成不规则的形状，不利于后续封装工艺的进行；同时键合胶不规则的外溢行为也在一定程度上限制了封装工艺的有效区域面积。


技术实现要素：

5.为了解决上述技术问题，本实用新型提供一种具有围堰结构的板级封装结构，能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
6.为了达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：
7.一种具有围堰结构的板级封装结构，包括：至少两张临时载板，所述临时载板上设有键合胶流动阻挡件，每相邻的两张临时载板呈相对设置并通过所述键合胶流动阻挡件形成阻挡键合胶流动的区域，所述阻挡键合胶流动的区域用于限制键合每相邻的两张临时载板的键合胶在阻挡键合胶流动的区域中流动并形成键合胶层。
8.本实用新型提供一种具有围堰结构的板级封装结构，能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
9.作为优选技术方案，在相邻的一块临时载板两端边缘处连接有若干个键合胶流动阻挡件，所述键合胶流动阻挡件呈凸块结构，所述键合胶流动阻挡件与相邻的另一块临时载板密封连接并将键合这两张临时载板的键合胶阻挡在键合胶流动阻挡件一侧形成键合胶层。
10.作为优选技术方案，在相邻的一块临时载板两端边缘处设有第一键合胶流动阻挡件，在相邻的另一块临时载板两端边缘处设有第二键合胶流动阻挡件，所述第一键合胶流动阻挡件和所述第二键合胶流动阻挡件均呈凹槽结构，所述第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件相对应且相互配合将键合这两张临时载板的键合胶阻挡在第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件之间形成键合胶层。
11.作为优选技术方案，在相邻的一块临时载板两端边缘处至少设有2个第一键合胶流动阻挡件，在相邻的另一块临时载板两端边缘处至少设有2个第二键合胶流动阻挡件，所述第一键合胶流动阻挡件和所述第二键合胶流动阻挡件均呈凹槽结构，所述第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件相对应且相互配合将键合这两张临时载板的键合胶阻挡在第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件之间形成h字形的键合胶层。
12.作为优选技术方案，在相邻的一块临时载板两端边缘处连接有凸块连接件，在相邻的另一块临时载板两端边缘处开设有凹槽连接件，所述凸块连接件插入所述凹槽连接件中并通过键合胶层将每相邻的两张临时载板结合连接形成整体复合板结构。
13.作为优选技术方案，所述键合胶流动阻挡件周向沿着临时载板边缘设置于所述临时载板上并在临时载板上形成阻挡键合胶流动的区域。
14.作为优选技术方案，所述键合胶流动阻挡件沿着所述临时载板上的对角线方向交叉设置于所述临时载板上并在临时载板上形成多个等分的阻挡键合胶流动的区域。
15.作为优选技术方案，在所述临时载板上的四角位置处或以所述临时载板上中心点为中心设有多个键合胶流动阻挡件并在所述临时载板上的四角位置处或以临时载板上中心点为中心形成口字型的阻挡键合胶流动的区域。
16.作为优选技术方案，在所述临时载板上阵列设有多个独立的键合胶流动阻挡件并在所述临时载板上形成多个阻挡键合胶流动的区域，所述键合胶流动阻挡件为凸块结构或凹槽结构。
17.作为优选技术方案，所述临时载板包括：承载片，在所述承载片上依次设有临时键合层、芯片和塑封层，在所述芯片上连接有多个芯片导电凸点，所述键合胶流动阻挡件设置于所述塑封层远离芯片的一端面上。
附图说明
18.图1为在相邻的一块临时载板两端边缘处连接有若干个键合胶流动阻挡件的结构图；
19.图2为板级封装结构中键合胶流动阻挡件与相邻的另一块临时载板密封连接并将键合这两张临时载板的键合胶阻挡在键合胶流动阻挡件一侧形成键合胶层的结构图；
20.图3为在相邻的一块临时载板两端边缘处设有第一键合胶流动阻挡件，在相邻的另一块临时载板两端边缘处设有第二键合胶流动阻挡件的结构图；
21.图4为板级封装结构中第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件相对应且相互配合将键合这两张临时载板的键合胶阻挡在第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件之间形成键合胶层的结构图；
22.图5为在相邻的一块临时载板两端边缘处连接有凸块连接件，在相邻的另一块临时载板两端边缘处开设有凹槽连接件的结构图；
23.图6为板级封装结构中凸块连接件插入凹槽连接件中并通过键合胶层将每相邻的两张临时载板结合连接形成整体复合板结构的结构图；
24.图7为在相邻的一块临时载板两端边缘处至少设有2个第一键合胶流动阻挡件，在相邻的另一块临时载板两端边缘处至少设有2个第二键合胶流动阻挡件的结构图；
25.图8为板级封装结构中第一键合胶流动阻挡件与第二键合胶流动阻挡件相对应且相互配合将键合这两张临时载板的键合胶阻挡在第一键合胶流动阻挡件与所述第二键合胶流动阻挡件之间形成h字形的键合胶层的结构图；
26.图9为键合胶流动阻挡件周向沿着临时载板边缘设置于所述临时载板上并在临时载板上形成阻挡键合胶流动的区域的结构图；
27.图10为键合胶流动阻挡件沿着所述临时载板上的对角线方向交叉设置于所述临时载板上并在临时载板上形成多个等分的阻挡键合胶流动的区域的结构图；
28.图11为临时载板上的四角位置处设有多个键合胶流动阻挡件并在所述临时载板上的四角位置处形成口字型的阻挡键合胶流动的区域的结构图；
29.图12为在临时载板上阵列设有多个独立的键合胶流动阻挡件并在所述临时载板上形成多个阻挡键合胶流动的区域的结构图。
30.其中，1-键合胶流动阻挡件；101-第一键合胶流动阻挡件；102-第二键合胶流动阻挡件；10-承载片；11-临时键合层；12-芯片；13-芯片导电凸点；14-塑封层；202-塑封层远离芯片的一端面；15-键合胶层；203-凸块连接件；204-凹槽连接件；17-凸块结构键合胶流动阻挡件；18-凹槽结构键合胶流动阻挡件；19-临时载板。
具体实施方式
31.需要说明的是，使用“第一”、“第二”等词语来限定零部件，仅仅是为了便于对相应零部件进行区别，如没有另行声明，上述词语并没有特殊含义，因此不能理解为对本实用新型保护范围的限制。
32.下面结合附图详细说明本实用新型的优选实施方式。
33.可以理解，本实用新型是通过一些实施例达到本实用新型的目的。
34.如图1-2所示，一种具有围堰结构的板级封装结构，包括：至少两张临时载板19，所
述临时载板19包括：承载片10，在所述承载片10上依次设有临时键合层11、芯片12和塑封层14，在所述芯片12上连接有多个芯片导电凸点13，所述键合胶流动阻挡件1设置于所述塑封层14远离芯片12的一端面上，在相邻的一块临时载板19两端边缘处连接有若干个键合胶流动阻挡件1，所述键合胶流动阻挡件1呈凸块结构，所述键合胶流动阻挡件1与相邻的另一块临时载板19密封连接并将键合这两张临时载板19的键合胶阻挡在键合胶流动阻挡件一侧形成键合胶层15；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
35.如图3-4所示，一种具有围堰结构的板级封装结构，包括：至少两张临时载板19，所述临时载板19包括：承载片10，在所述承载片10上依次设有临时键合层11、芯片12和塑封层14，在所述芯片12上连接有多个芯片导电凸点13，所述键合胶流动阻挡件1设置于所述塑封层14远离芯片12的一端面上，在相邻的一块临时载板19两端边缘处设有第一键合胶流动阻挡件101，在相邻的另一块临时载板19两端边缘处设有第二键合胶流动阻挡件102，所述第一键合胶流动阻挡件101和所述第二键合胶流动阻挡件102均呈凹槽结构，所述第一键合胶流动阻挡件101与所述第二键合胶流动阻挡件102相对应且相互配合将键合这两张临时载板19的键合胶阻挡在第一键合胶流动阻挡件101与所述第二键合胶流动阻挡件102之间形成键合胶层15；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
36.如图5-6所示，一种具有围堰结构的板级封装结构，包括：至少两张临时载板19，所述临时载板19包括：承载片10，在所述承载片10上依次设有临时键合层11、芯片12和塑封层14，在所述芯片12上连接有多个芯片导电凸点13，在相邻的一块临时载板19两端边缘处连接有凸块连接件203，在相邻的另一块临时载板19两端边缘处开设有凹槽连接件204，所述凸块连接件203插入所述凹槽连接件204中并通过键合胶层15将每相邻的两张临时载板19结合连接形成整体复合板结构；不仅在塑封过程中通过在每相邻两块临时载板上设置的凸块连接件203和凹槽连接件204，所述凸块连接件203与所述凹槽连接件204相对应且相互配合通过榫卯键合方法将两块临时载板键合在一起，该键合结构能保证两块临时载板之间更牢固和键合更方便，而且能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
37.如图7-8所示，一种具有围堰结构的板级封装结构，包括：至少两张临时载板19，所述临时载板19包括：承载片10，在所述承载片10上依次设有临时键合层11、芯片12和塑封层14，在所述芯片12上连接有多个芯片导电凸点13，所述键合胶流动阻挡件1设置于所述塑封层14远离芯片12的一端面上，在相邻的一块临时载板两端边缘处至少设有2个第一键合胶流动阻挡件101，在相邻的另一块临时载板19两端边缘处至少设有2个第二键合胶流动阻挡件102，所述第一键合胶流动阻挡件101和所述第二键合胶流动阻挡件102均呈凹槽结构，所述第一键合胶流动阻挡件101与所述第二键合胶流动阻挡件102相对应且相互配合将键合这两张临时载板19的键合胶阻挡在第一键合胶流动阻挡件101与所述第二键合胶流动阻挡件102之间形成h字形的键合胶层15；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶
外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
38.如图9所示，键合胶流动阻挡件1周向沿着临时载板19边缘设置于所述临时载板19上并在临时载板19上形成阻挡键合胶流动的区域，所述键合胶流动阻挡件1为凸块结构键合胶流动阻挡件17或凹槽结构键合胶流动阻挡件18；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
39.如图10所示，所述键合胶流动阻挡件1沿着所述临时载板19上的对角线方向交叉设置于所述临时载板19上并在临时载板19上形成多个等分的阻挡键合胶流动的区域；所述键合胶流动阻挡件1为凸块结构键合胶流动阻挡件17或凹槽结构键合胶流动阻挡件18；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
40.如图11所示，在临时载板19上的四角位置处设有多个键合胶流动阻挡件1并在所述临时载板19上的四角位置处形成口字型的阻挡键合胶流动的区域；所述键合胶流动阻挡件1为凸块结构键合胶流动阻挡件17或凹槽结构键合胶流动阻挡件18；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
41.如图12所示，在所述临时载板19上阵列设有多个独立的键合胶流动阻挡件1并在所述临时载板19上形成多个阻挡键合胶流动的区域，独立的键合胶流动阻挡件1的形状为圆形、三角形、菱形、十字架形、方形中的任一种，所述键合胶流动阻挡件1为凸块结构键合胶流动阻挡件17或凹槽结构键合胶流动阻挡件18；这样能够有效减少在板级封装工艺键合过程中键合胶外溢形成不规则形状的问题，方便于后续封装工艺的实施，且能在一定程度上增加封装工艺的有效面积，有效提升键合效率。
42.可以理解，本实用新型是通过一些实施例进行描述的，本领域技术人员知悉的，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对这些特征和实施例进行各种改变或等效替换。另外，在本实用新型的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此，本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本技术的权利要求范围各种改变或等效替换。另外，在本实用新型的教导下，可以对这些特征和实施例进行修改以适应具体的情况及材料而不会脱离本实用新型的精神和范围。因此，本实用新型不受此处所公开的具体实施例的限制，所有落入本技术的权利要求范围内的实施例都属于本实用新型所保护的范围内。