一种多种类芯片集成封装结构的制作方法

1.本实用新型属于半导体芯片封装技术领域，具体涉及一种多种类芯片集成封装结构。


背景技术：

2.随着现代电子技术的高速发展，人们对移动消费性电子产品的需求愈加多样化，电子产品越来越趋向追求多功能、高效能、薄型化、低制造成本等。多芯片集成封装结构能有效减轻芯片互连所带来的延迟问题，当减小芯片面积时，能通过短的垂直互连方式来取代在二维结构中所需要的大量长的互连，这将极大地提高逻辑电路的特性，促进电子产品功能的多样化。但是目前电子产品主要采用单一的芯片种类集成封装，已不能满足实际使用需要，如何将不同种类的芯片有效的整合封装在同一个集成结构里已成为封装行业里亟待解决的问题。


技术实现要素：

3.为解决现有技术中存在的技术问题，本实用新型的目的在于提供一种多种类芯片集成封装结构。
4.为实现上述目的，达到上述技术效果，本实用新型采用的技术方案为：
5.一种多种类芯片集成封装结构，包括透光半成品，所述透光半成品上由下至上依次设置有若干个相同功能或不同功能的芯片，与透光半成品相接触的芯片上设置有第一塑封层和重布线层，远离透光半成品的芯片上设置有第二塑封层、线路层和绝缘层。
6.进一步的，所述透光半成品上由下至上依次设置有芯片ⅰ和芯片ⅱ两个芯片，与透光半成品相接触的芯片ⅰ上设置有第一塑封层和重布线层，远离透光半成品的芯片ⅱ上设置有第二塑封层、线路层和绝缘层。
7.进一步的，所述透光半成品上表面的凹槽结构内通过粘合胶层固定有芯片ⅰ，所述芯片ⅰ与粘合胶层之间设置有与芯片ⅰ适配的电性导出结构ⅰ，所述粘合胶层与电性导出结构ⅰ封装于所述第一塑封层内。
8.进一步的，所述芯片ⅰ上表面且与其电性导出结构ⅰ对应位置处形成直孔结构，直孔结构上设置有重布线层，电性导出结构ⅰ与重布线层电性连接。
9.进一步的，所述芯片ⅱ通过粘贴膜粘贴在芯片ⅰ上，所述芯片ⅱ上设置有与其适配的电性导出结构ⅱ，所述芯片ⅱ与重布线层封装于所述第二塑封层内。
10.进一步的，所述芯片ⅱ上由下至上依次设置有第二塑封层和绝缘层且二者之间设置有线路层，所述第二塑封层上设置有第一电性导出通孔和第二电性导出通孔，与第一电性导出通孔和第二电性导出通孔位置相适配处设置有线路层。
11.与现有技术相比，本实用新型的有益效果为：
12.1)将两种功能不同的芯片集成在一起，实现不同种类芯片的有效集成封装，能有效的实现多功能、高效能及低成本等发展要求；
13.2)在形成多种类芯片集成封装结构的过程中，通过将不同种类芯片在竖直方向叠加能够获得小尺寸封装结构；
14.3)通过塑封等工艺实现了对芯片的多重保护，特别是对芯片侧壁的多重保护。
附图说明
15.图1为本实用新型的制造方法在步骤一之后的结构示意图；
16.图2为本实用新型的制造方法在步骤二之后的结构示意图；
17.图3为本实用新型的制造方法在步骤三之后的结构示意图；
18.图4为本实用新型的制造方法在步骤四之后的结构示意图；
19.图5为本实用新型的制造方法在步骤五之后的结构示意图；
20.图6为本实用新型的制造方法在步骤六之后的结构示意图；
21.图7为本实用新型的制造方法在步骤七之后的结构示意图；
22.图8为本实用新型的制造方法在步骤八之后的结构示意图；
23.图9为本实用新型的制造方法在步骤九之后的结构示意图；。
具体实施方式
24.下面对本实用新型进行详细阐述，以使本实用新型的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本实用新型的保护范围做出更为清楚明确的界定。
25.以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面的基本理解。此概述不是所有构想到的方面的详尽综览，并且既非旨在指认出所有方面的关键性或决定性要素亦非试图界定任何或所有方面的范围。其唯一的目的是要以简化形式给出一个或多个方面的一些概念以为稍后给出的更加详细的描述之序。
26.实施例1
27.如图1-9所示，一种多种类芯片集成封装结构的制造方法，包括以下步骤：
28.步骤一：取一承载片10，在该承载片10的表面通过粘合层11将带凹槽结构201的透光半成品12粘贴固定，得到如图1所示的半成品。其中，该承载片10的材料可以为硅、玻璃、金属或有机材料中的一种或其中的多种材料的组合，形状可以为圆形(如晶圆)，也可以为方形(如基板等)；承载片10优选为硅基；该透光半成品可以采用玻璃或塑料等高透光率材质制成，透光半成品12优选采用玻璃；
29.步骤二：将芯片ⅰ15通过粘合胶层13固定在步骤一得到的透光半成品12上表面，得到如图2所示结构，芯片ⅰ15与粘合胶层13之间设置有与芯片ⅰ15适配的电性导出结构ⅰ14，电性导出结构ⅰ14可为焊球、金属凸点、导电胶等中的一种；
30.步骤三：在芯片ⅰ15和粘合层11表面形成第一塑封层16并减薄至一定厚度，得到如图3所示结构。其中，第一塑封层16采用无机材料或有机材料，第一塑封层16优选采用环氧树脂；
31.步骤四：在芯片ⅰ15上表面(背面)且与其电性导出结构ⅰ14对应位置处形成直孔结构202，得到如图4所示结构；
32.步骤五：在直孔结构202和芯片ⅰ15上表面(背面)形成重布线层17，得到结构如图5所示结构，电性导出结构ⅰ14与重布线层17电性连接，重布线层17可以是铝、铜、镍、金等不
同金属及多种金属搭配组合；
33.步骤六：将芯片ⅱ19通过粘贴膜18粘贴在芯片ⅰ15上表面(背面)，得到结构如图6所示结构，芯片ⅱ19上表面设置有与其适配的电性导出结构ⅱ20；
34.步骤七：在芯片ⅱ19、第一塑封层16和重布线层17表面形成第二塑封层21，并形成第一电性导出通孔203和第二电性导出通孔204，得到如图7所示结构；
35.步骤八：通过再布线工艺在第二塑封层21上形成多层线路层；
36.以两层线路为例，如图8所示，第一线路层22设置于第二塑封层21上，第一线路层22与第一电性导出通孔203和第二电性导出通孔204位置相适配，第一线路层22与电性导出结构ⅱ20电性连接，在第二塑封层21和第一线路层22上表面形成绝缘层23，在第二线路层24(焊盘)上形成电性导出结构ⅲ25，电性导出结构ⅲ25可以为焊球、金属凸点、导电胶等中的一种，电性导出结构ⅲ25通过第二线路层24与第一线路层22电性连接；
37.步骤九：通过拆键合工艺去除承载片10和粘合层11，得到如图9所示结构，即为所需多种类芯片集成封装结构。
38.芯片ⅰ15和芯片ⅱ19属于两种功能不同的芯片，通过本实用新型的制造方法可以将两种功能不同的芯片封装在同一个结构内，并通过不同的线路层将各自的信号导出，实现多种芯片封装的多功能化特点。
39.采用上述制造方法制成的多种类芯片集成封装结构，包括透光半成品12，透光半成品12上表面通过粘合胶层13粘结有芯片ⅰ15和电性导出结构ⅰ14，芯片ⅰ15、粘合胶层13和透光半成品12塑封在第一塑封层16内，在芯片ⅰ15上表面且与其电性导出结构ⅰ14对应位置处形成直孔结构202，直孔结构202和芯片ⅰ15背面形成重布线层17，芯片ⅰ15上表面通过粘贴膜18粘结有芯片ⅱ19，第二塑封层21将芯片ⅱ19和重布线层17塑封在其内，芯片ⅱ19上表面设置有适配的电性导出结构ⅱ20，第二塑封层21上形成第一电性导出通孔203和第二电性导出通孔204，第一线路层22设置于第二塑封层21上，第一线路层22与第一电性导出通孔203和第二电性导出通孔204位置相适配，在第二塑封层21和第一线路层22上表面形成绝缘层23，在第二线路层24(焊盘)上形成电性导出结构ⅲ25，重布线层17与电性导出结构ⅰ14电性连接，第一线路层22与电性导出结构ⅱ20电性连接，电性导出结构ⅲ25通过第二线路层24与第一线路层22电性连接。
40.本实用新型未具体描述的部分或结构采用现有技术或现有封装结构即可，在此不做赘述。
41.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。