技术特征：
1.一种spad传感器，其特征在于，包括：超透镜和spad杂质半导体p-n结；入射到所述spad传感器的光线被所述超透镜汇聚后，被所述spad杂质半导体p-n结接收；所述超透镜，包括：衬底和设置在所述衬底上的纳米结构；当所述衬底采用硅衬底时，所述spad传感器还包括：第一隔离器和第二隔离器；所述硅衬底覆盖在所述spad杂质半导体p-n结上；所述第一隔离器和所述第二隔离器设置在所述硅衬底内，所述第一隔离器和所述第二隔离器分别设置于所述超透镜的两侧；所述第二隔离器在预设方向上相对于所述第一隔离器对准；入射到所述spad传感器的光线被所述超透镜汇聚后，被所述第一隔离器和所述第二隔离器散射和/或者反射后，入射到所述spad杂质半导体p-n结上。2.根据权利要求1所述的spad传感器，其特征在于，还包括：梯形波导；所述梯形波导覆盖在所述spad杂质半导体p-n结上，所述超透镜覆盖在所述梯形波导上；入射到所述spad传感器的光线被所述超透镜汇聚后，经过梯形波导传输进入到所述spad杂质半导体p-n结。3.根据权利要求1所述的spad传感器，其特征在于，所述第一隔离器和所述第二隔离器采用深沟槽隔离结构。4.根据权利要求1或者2所述的spad传感器，其特征在于，所述spad杂质半导体p-n结，包括：第一spad杂质半导体层和第二spad杂质半导体层；所述第一spad杂质半导体层覆盖在所述第二spad杂质半导体层上；所述第一spad杂质半导体层与所述第二spad杂质半导体层是不同的杂质半导体层。5.根据权利要求4所述的spad传感器，其特征在于，当所述第一spad杂质半导体层是p型半导体时，所述第二spad杂质半导体层是n型半导体；当所述第一spad杂质半导体层是n型半导体时，所述第二spad杂质半导体层是p型半导体。6.根据权利要求2所述的spad传感器，其特征在于，所述超透镜，还包括：填充材料；所述填充材料填充于多个所述纳米结构周围。7.根据权利要求6所述的spad传感器，其特征在于，所述填充材料的折射率与所述纳米结构的折射率之间的差值的绝对值大于或等于0.5。8.根据权利要求6所述的spad传感器，其特征在于，所述超透镜至少满足：其中，λ为入射光线的波长；s为所述超透镜的反射率；n1(λ)为所述纳米结构的等效折射率；n2(λ)为所述梯形波导的折射率；所述纳米结构的等效折射率为单个纳米结构与周围的填充材料组成的填充单元的折射率。
技术总结
本实用新型提供了一种SPAD传感器，其中，SPAD传感器，包括：超透镜和SPAD杂质半导体p-n结；入射到所述SPAD传感器的光线被所述超透镜汇聚后，被所述SPAD杂质半导体p-n结接收。通过本实用新型实施例提供的SPAD传感器，通过超透镜将入射到所述SPAD传感器的光线汇聚到SPAD杂质半导体p-n结上，可以大大提高SPAD传感器的探测灵敏度。的探测灵敏度。的探测灵敏度。
技术研发人员：谭凤泽 郝成龙 朱健
受保护的技术使用者：深圳迈塔兰斯科技有限公司
技术研发日：2022.06.20
技术公布日：2022/11/15