技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于包括：多个纳米结构的多个堆叠，其中该些纳米结构在第一水平方向上各自延伸，其中该些堆叠在一垂直方向上各自延伸且在与该第一水平方向不同的一第二水平方向上彼此分隔；一第一栅极结构，设置于该些纳米结构的该些堆叠的一第一子集合上，其中该第一栅极结构围绕在该第一子集合中的各个该些纳米结构；一第二栅极结构，设置于该些纳米结构的该些堆叠的一第二子集合上，其中该第二栅极结构围绕在该第二子结合中的各个该些纳米结构；一第一导电盖层，设置于该第一栅极结构的一上表面的实质上的整体上；一第二导电盖层，设置于该第二栅极结构的一上表面的实质上的整体上；以及一介电结构，在该第二水平方向上设置于该第一栅极结构与该第二栅极结构之间，其中该介电结构实体且电性分隔该第一栅极结构与该第二栅极结构，且其中该介电结构的一上表面实质上不具有设置于其上的该第一导电盖层或该第二导电盖层。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电结构包括切割金属栅极结构，其包含单一类型的介电材料。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该介电结构包括一介电鳍片结构，其包含多个类型的介电材料。4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体装置，其特征在于，一栅极导孔设置于该第一导电盖层上或该第二导电盖层上，其中该栅极导孔在该第二水平方向上测量的一尺寸实质上小于该第一导电盖层或该第二导电盖层在该第二水平方向上测量的一尺寸。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该第一导电盖层及该第二导电盖层各具有比该栅极导孔、该第一栅极结构、及该第二栅极结构更低的电阻率。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一源极/漏极接触件及一栅极间隔物结构，其中该栅极间隔物结构在该第一水平方向上将该源极/漏极接触件与该第一导电盖层或该第二导电盖层实体且电性分隔。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：该第一栅极结构及该第二栅极结构各包括一各自的含金属栅极电极；以及该导电盖层具有比该含金属栅极电极更低的电阻率。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，在由该第一水平方向及该垂直方向定义的剖面图中，该导电盖层的一底表面包括一或多个凹部。9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于：该第一栅极结构或该第二栅极结构包括一或多个非导电层；以及该一或多个凹部直接位于该一或多个非导电层上。10.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括一粘着层，设置于该导电盖层与该第一栅极结构或该第二栅极结构之间，其中该粘着层在由该第一水平方向及该垂直方向定义的一剖面图中定义一凹部，且其中该导电盖层设置于该剖面图中的该凹部内。
技术总结
半导体装置包括纳米结构的堆叠，其在第一水平方向上各自延伸。上述堆叠在垂直方向上各自延伸且在第二水平方向上彼此分隔。第一栅极设置于堆叠的第一子集合上。第二栅极设置于堆叠的第二子集合上。第一导电盖层设置于第一栅极的上表面的实质上的整体上。第二导电盖层设置于第二栅极的上表面的实质上的整体上。介电结构在第二水平方向上设置于第一栅极与第二栅极之间。介电结构实体且电性分隔第一栅极与第二栅极。介电结构的上表面实质上不具有设置于其上的第一或第二导电盖层。于其上的第一或第二导电盖层。于其上的第一或第二导电盖层。
技术研发人员：陈嘉伟 徐伟程 陈蕙祺 陈建豪 游国丰 邱诗航 王唯诚 陈彦儒 郑钧智
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.06
技术公布日：2022/12/9