一种轴向二极管器件的制作方法

1.本实用新型涉及二极管技术领域，特别是一种轴向二极管器件。


背景技术：

2.二极管又称晶体二极管，简称二极管，二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，在半导体材料中，形成pn结，它具有单向导电性能，只允许电流由单一方向通过，反向时则阻断，现有技术中的二极管中的芯片承受外力冲击的能力较弱且散热性能较差。


技术实现要素：

3.本实用新型的目的是提供一种轴向二极管器件，以解决现有技术中的技术问题。
4.本实用新型提供了一种轴向二极管器件，包括：
5.二极管芯片，包括相对设置的正极面以及负极面；
6.第一端子，所述第一端子的第一端形成有第一连接面，所述第一连接面与所述正极面贴合连接，所述第一端子的第二端连接有第一金属件；
7.第二端子，所述第二端子的第一端形成有第二连接面，所述第二连接面与所述负极面贴合连接，所述第二端子的第二端连接有第二金属件；
8.塑封体，所述二极管芯片、所述第一端子以及所述第二端子均收容于所述塑封体内，所述第一金属件和所述第二金属件至少局部延伸出所述塑封体。
9.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一金属件与所述第二金属件均包括第一主体部，所述第一主体部的靠近所述二极管芯片的一侧凸出形成有第一连接部，所述第一连接部用于与所述第一端子或所述第二端子连接。
10.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一主体部与所述第一连接部均包括片状结构。
11.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一主体部上贯穿开设有第一孔和第二孔，所述第一孔设有多个，多个所述第一孔位于所述第一主体部的背离所述二极管芯片的一端。
12.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一端子和所述第二端子均包括第二主体部，所述第二主体部的背离所述二极管芯片的一侧凸出形成有第二连接部，所述第二连接部用于与所述第一金属件或所述第二金属件连接。
13.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第二主体部包括盘体结构，所述第二连接部包括圆柱体结构，所述盘体结构与所述圆柱体结构的轴线相重合。
14.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一端子与所述第一金属件之间、所述第二端子与所述第二金属件之间均通过焊接连接。
15.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一金属件和所述第二金属件沿第一方向延伸，所述二极管芯片沿着第二方向延伸，所述第一方向与所述第二方向
相交。
16.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述第一金属件和所述第二金属件均包括铜质材料。
17.如上所述的一种轴向二极管器件，其中，优选的是，所述塑封体包括相互扣合的上塑封壳和下塑封壳。
18.与现有技术相比，本实用新型通过将端子与金属件相连接，并使得至少部分金属件延伸出塑封体，从而提高了金属件与外部的接触面积，提高了散热性能，可以将二极管芯片工作时产生的热量快速导出，轴向二极管器件能满足大功率输出的电流需求。
附图说明
19.图1是本技术所提供实施例的整体结构的轴测图；
20.图2是本技术所提供实施例的整体结构的俯视图；
21.图3是图2的a-a向剖视图；
22.图4是本技术所提供实施例的隐藏塑封体状态下的轴测图；
23.图5是本技术所提供实施例的二极管芯片的轴测图；
24.图6是本技术所提供实施例的第一端子的轴测图
25.图7是本技术所提供实施例的第一金属件的轴测图。
26.附图标记说明：
27.100-二极管器件；
28.10-二极管芯片，11-正极面，12-负极面；
29.20-第一端子，21-第一连接面，22-第二主体部，23-第二连接部；
30.30-第一金属件，31-第一主体部，32-第一连接部，33-第一孔，34-第二孔；
31.40-第二端子，41-第二连接面；
32.50-第二金属件，
33.60-塑封体，61-上塑封壳，62-下塑封壳；
34.d1-第一方向，d2-第二方向。
具体实施方式
35.下面详细描述本实用新型的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能解释为对本实用新型的限制。
36.现有技术中，二极管器件包括芯片主体、正极端子以及负极端子，芯片主体竖直一面与正极端子进行焊接，另一面同时也与负极端子进行焊接，最后进行封装，这样导致二极管器件的散热性较差，二极管器件的热量难以高效传导出去。
37.为解决上述技术问题，参照图1至图7所示，本实用新型的实施例提供了一种轴向二极管器件100，包括二极管芯片10、第一端子20、第二端子40以及塑封体60，其中：
38.参照图5所示，二极管芯片10包括相对设置的正极面11以及负极面12，二极管芯片10的材质为半导体材料，本技术所提供的实施例中，于二极管芯片10的一侧掺杂诸如包括
硼(b)、铝(al)、镓(ga)、铟(in)等iii族元素的p型掺杂物，形成p型掺杂层，正极面11形成于p型掺杂层的外表面，另一侧掺杂诸如包括磷(p)、砷(as)、铋(bi)、锑(sb)等v族元素的n型掺杂物，形成n型掺杂层，负极面12形成于n型掺杂层的外表面。
39.参照图3以及图6所示，第一端子20的第一端形成有第一连接面21，第一连接面21与正极面11贴合连接，在一种可行的实施方式中，第一端子20的第一连接面21与正极面11焊接连接，焊接方式多种多样，包括电阻焊，激光焊等，以利于传热且能提高装配牢度，二极管芯片10与第一连接面21的接触属于面接触，接触面积更大，连接稳定性好，同时电流的传导能力更强，能满足大功率输出的电流需求，并且能够将二极管芯片10工作时产生的热量快速导出，提升了轴向二极管器件100的散热效率。
40.第一端子20的第二端连接有第一金属件30，利用第一金属件30良好的导热性能将二极管芯片10的热量快速传导到外部，增加了二极管器件100的传导面积，提高了产品可靠性。
41.第二端子40的第一端形成有第二连接面41，第二连接面41与负极面12贴合连接，第二端子40的第二端连接有第二金属件50，第二金属件50的结构和功效可参考第一金属件30，在此不做赘述。
42.塑封体60包括相互扣合的上塑封壳61和下塑封壳62，以提高装配效率以及便于成型加工，二极管芯片10、第一端子20以及第二端子40均收容于塑封体60内，以使得二极管芯片10与外部环境隔离，第一金属件30和第二金属件50至少局部延伸出塑封体60，这样提高了第一金属件30和第二金属件50与外部的接触面积，从而提高了散热性能，可以将二极管芯片10工作时产生的热量快速导出，轴向二极管器件100能满足大功率输出的电流需求，同等功率情况下可以降低二极管芯片10的规格，可实现降低成品。
43.本技术所提供的实施例中，第一金属件30和第二金属件50的结构相同，第一金属件30与第二金属件50对称设置，也就是第一金属件30与第二金属件50的结构、形状以及尺寸均相同，两者相对于二极管芯片10呈中心对称或轴对称，这样二极管芯片10被两个相同的金属构件所夹持焊接固定，从而实现稳定、均匀的导电以及散热，且便于轴向二极管器件100的制作成型。
44.参照图3、图4以及图7所示，第一金属件30与第二金属件50均包括第一主体部31，第一主体部31的靠近二极管芯片10的一侧凸出形成有第一连接部32，第一连接部32用于与第一端子20或第二端子40连接。第一主体部31延伸出塑封体60，第一主体部31的结构不受塑封体60内的空间限制，可以设计更多类型的结构，来实现快速散热以及便于装配的功能。
45.本技术所提供的实施例中，第一主体部31与第一连接部32均包括片状结构，且材质均包括铜质材料，这样可以增加与二极管芯片10以及外界的接触面积，进而扩大散热面积，提高了散热能力，且易于钣金成型加工，本领域的技术人员可以知晓，第一金属件30与第二金属件50可以延伸设计更多的形状，来增加二极管芯片10的散热空间。
46.参照图1至图4所示，第一主体部31上贯穿开设有第一孔33，第一孔33设有多个，多个第一孔33位于第一主体部31的背离二极管芯片的一端，本技术所提供的实施例中，第一孔33为圆形孔，作为定位孔，同时用于固定轴向二极管器件100，能够有效提高第一金属件30与第二金属件50与二极管芯片10配合焊接时候的精度，在一种可行的实施方式中，第一主体部31为方片结构，第一连接部32成于第一主体部31的一侧中部，第一主体部31的相对
的另一侧的两个角端均设有一个第一孔33。
47.本技术所提供的实施例中，参照图1至图4所示，第一主体部31上均贯穿设有用于供汇流条通过的第二孔34，第二孔34可设为腰型孔。
48.参照图3、图4以及图6所示，第一端子20和第二端子40均包括第二主体部22，第二主体部22的背离二极管芯片10的一侧凸出形成有第二连接部23，第二连接部23用于与第一金属件30或第二金属件50连接，在一种可行的实施方式中，第二主体部22包括盘体结构，第二连接部23包括圆柱体结构，盘体结构与圆柱体结构的轴线相重合，盘体结构的直径大于圆柱体结构的直径，从而可以增大与二极管芯片10的接触面积，提高散热效果，二极管芯片10的固定也更加稳定牢靠。
49.本技术所提供的实施例中，第一端子20与第一金属件30之间、第二端子40与第二金属件50之间均通过焊接连接，焊接方式多种多样，包括电阻焊，激光焊等，以利于传热且能提高装配牢度。
50.参照图3所示，第一金属件30和第二金属件50沿第一方向d1延伸，二极管芯片10沿着第二方向d2延伸，第一方向d1与第二方向d2相交，第一方向d1平行于正极面11或负极面12的法线方向，在一种可行的实施方式中，第一方向d1为水平延伸的方向，第二方向d2为垂直延伸的方向，第一方向d1与第二方向d2相垂直，使得二极管芯片10垂直设置，这样二极管芯片10受力分布均衡，提高了二极管芯片10承受外力冲击的能力。本领域的技术人员可以知晓，第一方向d1与第二方向d2也可以由其他角度的相交，例如45
°
、60
°
等，只要能达到提高二极管芯片10的耐冲击力即可。
51.以上依据图式所示的实施例详细说明了本实用新型的构造、特征及作用效果，以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，但本实用新型不以图面所示限定实施范围，凡是依照本实用新型的构想所作的改变，或修改为等同变化的等效实施例，仍未超出说明书与图示所涵盖的精神时，均应在本实用新型的保护范围内。