一种LED晶圆的标记装置的制作方法

一种led晶圆的标记装置
技术领域
1.本实用新型涉及led技术领域，特别涉及一种led晶圆的标记装置。


背景技术：

2.led(light emitting diode)中文称为发光二极管，其组成产品在生活中随处可见。划裂是指将完整晶圆用激光切割并将切割后的芯片劈裂成单个的芯粒，分为贴片、隐切、劈裂、扩张、翻转等步骤。其中翻转目的是为了把劈裂倒转的芯粒用蓝膜倒膜，使其正面向上，方便下步电性测试。
3.但是倒膜机进行芯粒翻转的时候，多款倒装产品的后段标记点、中心点、对key等mark点均会出现倒掉的情况；后段标记点掉落后影响后段标记点附近边缘cot测试亮度，造成标记点附近芯粒亮度无法准确测试从而影响良率。


技术实现要素：

4.本实用新型所要解决的技术问题是：提供一种led晶圆的标记装置，能够防止芯片倒模翻转时发生标记点脱落的情况。
5.为了解决上述技术问题，本实用新型采用的技术方案为：
6.一种led晶圆的标记装置，包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；
7.所述后段标记区域包括从下往上依次层叠的第一mesa层、电流扩展层、第一扩展条、第一反射层和第一电极层；
8.所述中心标记区域包括从下往上依次层叠的第二mesa层、第二扩展条、第二反射层和第二电极层；
9.所述对位标记区域包括从下往上依次层叠的第三mesa层、第三反射层和第三电极层。
10.进一步地，所述后段标记区域的数量不低于4个，位于所述晶圆平边预设距离处，且所述后段标记区域之间在水平、垂直方向上对称。
11.进一步地，所述对位标记区域的数量为2个，且分别位于水平中心线的两端。
12.进一步地，所述中心标记区域位于所述晶圆的中心。
13.进一步地，所述第一mesa层和所述电流扩展层外全覆盖有正性光刻胶；
14.所述第一扩展条、所述第一反射层和所述第一电极层的形状均为王字形。
15.进一步地，所述第二mesa层外全覆盖有正性光刻胶；
16.所述第二扩展条、所述第二反射层和所述第二电极层的形状均为栅形。
17.进一步地，所述第三mesa层外全覆盖有正性光刻胶；
18.所述第三反射层包括预设的套刻刻蚀区域；
19.所述第三电极层位于预设的蒸镀区域。
20.进一步地，所述第一mesa层、所述第二mesa层以及所述第三mesa层的厚度为
21.所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层的厚度为
22.所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层的厚度为
23.进一步地，所述电流扩展层的厚度为
24.进一步地，所述第一扩展条和所述第二扩展条的厚度为
25.本实用新型的有益效果在于：led晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。
附图说明
26.图1为本实用新型实施例的一种led晶圆标记装置的示意图；
27.图2为对位标记区域掉落的示意图；
28.图3为后段标记区域掉落的示意图；
29.图4为现有技术中后段标记区域的截面图；
30.图5为现有技术中后段标记区域的示意图；
31.图6为现有技术中中心标记区域的截面图；
32.图7为现有技术中中心标记区域的示意图；
33.图8为现有技术中对位标记区域的截面图；
34.图9为本实用新型实施例的后段标记区域的截面图；
35.图10为本实用新型实施例的后段标记区域的示意图；
36.图11为本实用新型实施例的中心标记区域的截面图；
37.图12为本实用新型实施例的中心标记区域的示意图；
38.图13为本实用新型实施例的对位标记区域的截面图；
39.图14为本实用新型实施例的第三反射层的示意图；
40.图15为本实用新型实施例的第三电极层的示意图；
41.标号说明：
42.1、后段标记区域；2、中心标记区域；3、对位标记区域；
43.11、第一mesa层；12、电流扩展层；13、第一扩展条；14、第一反射层；15、第一电极层；
44.21、第二mesa层；22、第二扩展条；23、第二反射层；24、第二电极层；
45.31、第三mesa层；32、第三反射层；33、第三电极层。
具体实施方式
46.为详细说明本实用新型的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配
合附图予以说明。
47.请参照图1，一种led晶圆的标记装置，包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；
48.所述后段标记区域包括从下往上依次层叠的第一mesa层、电流扩展层、第一扩展条、第一反射层和第一电极层；
49.所述中心标记区域包括从下往上依次层叠的第二mesa层、第二扩展条、第二反射层和第二电极层；
50.所述对位标记区域包括从下往上依次层叠的第三mesa层、第三反射层和第三电极层。
51.从上述描述可知，本实用新型的有益效果在于：led晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。
52.进一步地，所述后段标记区域的数量不低于4个，位于所述晶圆平边预设距离处，且所述后段标记区域之间在水平、垂直方向上对称。
53.由上述描述可知，不低于4个的后段标记区域，便于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别。
54.进一步地，所述对位标记区域的数量为2个，且分别位于水平中心线的两端。
55.由上述描述可知，在水平中心线上设置对位标记区域，能够便于光刻机的对位曝光识别。
56.进一步地，所述中心标记区域位于所述晶圆的中心。
57.由上述描述可知，在晶圆的中心设置中心标记区域，能够便于后续进行机台电性测试的识别。
58.进一步地，所述第一mesa层和所述电流扩展层外全覆盖有正性光刻胶；
59.所述第一扩展条、所述第一反射层和所述第一电极层的形状均为王字形。
60.由上述描述可知，将后段标记区域的第一扩展条、第一反射层和第一电极层的形状设置为王字形，能够增加图形翻转时接触蓝膜的面积，进一步保证倒模时不发生掉落。
61.进一步地，所述第二mesa层外全覆盖有正性光刻胶；
62.所述第二扩展条、所述第二反射层和所述第二电极层的形状均为栅形。
63.由上述描述可知，将中心标记区域的第二扩展条、第二反射层和第二电极层的形状设置为王字形，能够增加图形翻转时接触蓝膜的面积，进一步保证倒模时不发生掉落。
64.进一步地，所述第三mesa层外全覆盖有正性光刻胶；
65.所述第三反射层包括预设的套刻刻蚀区域；
66.所述第三电极层位于预设的蒸镀区域。
67.由上述描述可知，通过为第三反射层设置套刻刻蚀区域，减少刻蚀的面积，增大第三反射层的面积；通过在预设的蒸镀区域蒸镀第三电极层，同样也能够增大第三电极层的面积，进而能够增加图形翻转时接触蓝膜的面积，进一步保证倒模时不发生掉落。
68.进一步地，所述第一mesa层、所述第二mesa层以及所述第三mesa层的厚度为
69.所述第一反射层、所述第二反射层以及所述第三反射层的厚度为
70.所述第一电极层、所述第二电极层以及所述第三电极层的厚度为
71.进一步地，所述电流扩展层的厚度为
72.进一步地，所述第一扩展条和所述第二扩展条的厚度为
73.由上述描述可知，基于每个标记区域所包含的多个膜层，增加标记区域的厚度，以使得标记区域倒模掉落的情况减少。
74.本实用新型公开了一种led晶圆的标记装置，适用于led芯片中减少标记点倒模掉落的情况，以下通过具体的实施例进行说明：
75.实施例一
76.请参照图1、图9至图15，一种led晶圆的标记装置，包括位于晶圆上的后段标记区域1、中心标记区域2和对位标记区域3；
77.后段标记区域1包括从下往上依次层叠的第一mesa层11、电流扩展层12、第一扩展条13、第一反射层14和第一电极层15；
78.中心标记区域2包括从下往上依次层叠的第二mesa层21、第二扩展条22、第二反射层23和第二电极层24；
79.对位标记区域3包括从下往上依次层叠的第三mesa层31、第三反射层32和第三电极层33。
80.其中，后段标记区域1的数量不低于4个，位于所述晶圆平边预设距离处，且所述后段标记区域1之间在水平、垂直方向上对称。
81.具体的，请参照图1，共有4个后段标记区域1，且每个后段标记区域1均位于晶圆平边1/5处。
82.其中，对位标记区域3的数量为2个，且分别位于水平中心线的两端。
83.具体的，请参照图1，共有2个对位标记区域3，且对位标记区域3分别位于水平中心线的两端2/3处，对位标记区域3根据晶圆的中心对称设置。
84.其中，中心标记区域2位于所述晶圆的中心。
85.因此，通过本实施例中的led晶圆的标记装置，能够通过4个后段标记区域1进行模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，通过中心标记区域2进行机台电性测试中的识别，通过对位标记进行光刻机的对位曝光识别；并且，请参照图4至图8，现有技术中的后段标记区域1和中心标记区域2均仅包含mesa层和电极层，对位标记区域3仅包含mesa层和反射层，因此各标记区域的高度低于正常芯粒，请参照图2和图3，倒模翻转时会发生掉落的情况。而本实施例中相较于现有技术，各标记区域均包含多个膜层，增加了标记区域的厚度，使其倒模时不易发生掉落。
86.实施例二
87.本实施例与实施例一的不同之处在于，进一步限定了各标记区域的结构和形状，具体的：
88.请参照图9和图10，后段标记区域1中第一mesa层11为p-n结构，不做刻蚀处理，由
正性光刻胶全覆盖保护；电流扩展层12(ito)留存氧化铟锡膜层高度，正性光刻胶全覆盖保护；第一扩展条13(finger)为王字形，留存finger的面积；第一反射层14(dbr)为王字形，留存dbr的膜层高度，正性光刻胶全覆盖保护；第一电极层15(pad)为王字形，留存金属电极的膜层高度。
89.请参照图11和图12，中心标记区域2中第二mesa层21为p-n结构，不做刻蚀处理，由正性光刻胶全覆盖保护；第二扩展条22、第二反射层23和第二电极层24的形状均为栅形，并留存对应的膜层高度。
90.请参照图13至图15，对位标记区域3中第三mesa层31为p-n结构，不做刻蚀处理，由正性光刻胶全覆盖保护；第三反射层32除dbr套刻标记点外不做刻蚀处理，由正性光刻胶全覆盖保护；第三电极层33留存金属电极面积，除电极层套刻标记点外全覆盖蒸镀第三电极层33。
91.在一些实施例中，第一mesa层11、第二mesa层21以及第三mesa层31的厚度为电流扩展层12的厚度为第一扩展条13和第二扩展条22的厚度为第一反射层14、第二反射层23以及第三反射层32的厚度为第一电极层15、第二电极层24以及第三电极层33的厚度为
92.因此，本实施例中，相较于现有技术，后段标记区域1的形状为王字形；中心标记区域2的形状的栅形；对位标记区域3除对应膜层套刻标记点之外不进行刻蚀，由此可见，对于各标记区域均增大图形翻转时接触蓝膜的面积，进一步使其倒模时不发生掉落。
93.综上所述，本实用新型提供的一种led晶圆的标记装置，led晶圆的标记装置中包括位于晶圆上的后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域；其中，后段标记用于模拟电极和底层的结合力以及用于分选站点机台的识别，中心标记区域用于机台电性测试中的识别，对位标记用于光刻机的对位识别，因此后段标记区域、中心标记区域和对位标记区域均包含多个膜层，相较于现有技术中的标记点，能够增加标记区域的厚度，使其倒模时不易掉落。并且，后段标记区域的形状为王字形；中心标记区域的形状的栅形；对位标记区域除对应膜层套刻标记点之外不进行刻蚀，由此可见，对于各标记区域均增大图形翻转时接触蓝膜的面积，进一步使其倒模时不发生掉落。
94.以上所述仅为本实用新型的实施例，并非因此限制本实用新型的专利范围，凡是利用本实用新型说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本实用新型的专利保护范围内。