半导体分立器件封装件的制作方法

1.本技术是有关于一种装置，详细来说，是有关于一种半导体分立器件封装件。


背景技术：

2.在现有技术中，当完成封装的半导体分立器件封装件安装上电路板时，由于半导体分立器件封装件的管脚面积较小，使得管脚与电路板的接触面积小，造成半导体分立器件封装件与电路板之间的结合力较差，电阻率高。另外，由于管脚面积小，结构强度较低，使得管脚容易变形，进而导致管脚断裂。


技术实现要素：

3.有鉴于此，本技术提出一种半导体分立器件封装件来解决上述问题。
4.依据本技术的一实施例，提出一种半导体分立器件封装件。所述半导体分立器件封装件包括导线架以及封装体。所述导线架包括平面部以及位于所述平面部相对侧的第一接脚部和第二接脚部。所述平面部经配置以承载半导体芯片。所述第一接脚部和所述第二接脚部分别沿相对的第一方向和第二方向延伸。所述第一接脚部包括弯折平板。所述封装体经配置以覆盖所述导线架及所述半导体芯片。
5.依据本技术的一实施例，所述弯折平板自所述平面部延伸。
6.依据本技术的一实施例，所述第二接脚部与所述平面部分离。
7.依据本技术的一实施例，所述第二接脚部包括多个向所述第二方向延伸的接脚。
8.依据本技术的一实施例，所述多个接脚的每一包括阶梯状结构。
9.依据本技术的一实施例，所述半导体分立器件封装件还包括引线。所述引线电性连接于所述半导体芯片和所述第二接脚部之间。
10.依据本技术的一实施例，所述封装体覆盖所述导线架时，所述导线架的底面暴露于所述封装体之外。
附图说明
11.附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中：
12.图1演示依据本技术一实施例的半导体分立器件封装件的方块示意图。
13.图2a和图2b分别演示依据本技术一实施例的半导体分立器件封装件的分解示意图和组装示意图。
具体实施方式
14.以下揭示内容提供了多种实施方式或例示，其能用以实现本揭示内容的不同特征。下文所述之组件与配置的具体例子系用以简化本揭示内容。当可想见，这些叙述仅为例示，其本意并非用于限制本揭示内容。举例来说，在下文的描述中，将一第一特征形成于一
第二特征上或之上，可能包括某些实施例其中所述的第一与第二特征彼此直接接触；且也可能包括某些实施例其中还有额外的组件形成于上述第一与第二特征之间，而使得第一与第二特征可能没有直接接触。此外，本揭示内容可能会在多个实施例中重复使用组件符号和/或标号。此种重复使用乃是基于简洁与清楚的目的，且其本身不代表所讨论的不同实施例和/或组态之间的关系。
15.再者，在此处使用空间上相对的词汇，譬如「之下」、「下方」、「低于」、「之上」、「上方」及与其相似者，可能是为了方便说明图中所绘示的一组件或特征相对于另一或多个组件或特征之间的关系。这些空间上相对的词汇其本意除了图中所绘示的方位之外，还涵盖了装置在使用或操作中所处的多种不同方位。可能将所述设备放置于其他方位(如，旋转90度或处于其他方位)，而这些空间上相对的描述词汇就应该做相应的解释。
16.虽然用以界定本技术较广范围的数值范围与参数皆是约略的数值，此处已尽可能精确地呈现具体实施例中的相关数值。然而，任何数值本质上不可避免地含有因个别测试方法所致的标准偏差。在此处，「约」通常系指实际数值在一特定数值或范围的正负10％、5％、1％或0.5％之内。或者是，「约」一词代表实际数值落在平均值的可接受标准误差之内，视本技术所属技术领域中具有通常知识者的考虑而定。当可理解，除了实验例之外，或除非另有明确的说明，此处所用的所有范围、数量、数值与百分比(例如用以描述材料用量、时间长短、温度、操作条件、数量比例及其他相似者)均经过「约」的修饰。因此，除非另有相反的说明，本说明书与附随权利要求书所揭示的数值参数皆为约略的数值，且可视需求而更动。至少应将这些数值参数理解为所指出的有效位数与套用一般进位法所得到的数值。在此处，将数值范围表示成由一端点至另一端点或介于二端点之间；除非另有说明，此处所述的数值范围皆包括端点。
17.图1演示依据本技术一实施例的半导体分立器件封装件1的方块示意图。在某些实施例中，半导体分立器件封装件1包括导线架10以及封装体11。在某些实施例中，导线架10包括平面部以及位于所述平面部相对侧的第一接脚部和第二接脚部。在某些实施例中，所述平面部经配置以承载半导体芯片。在某些实施例中，所述第一接脚部和所述第二接脚部分别沿相对的第一方向和第二方向延伸。在某些实施例中，所述第一接脚部包括弯折平板。在某些实施例中，封装体11经配置以覆盖导线架10及所述半导体芯片。
18.图2a和图2b分别演示依据本技术一实施例的半导体分立器件封装件2的分解示意图和组装示意图。在某些实施例中，半导体分立器件封装件2可以用以实现图1实施例的半导体分立器件封装件1。在某些实施例中，半导体分立器件封装件2包括导线架20、半导体芯片21、引线22以及封装体23。
19.在某些实施例中，导线架20包括平面部201、第一接脚部202和第二接脚部203。在某些实施例中，平面部201经配置以承载半导体芯片21。在某些实施例中，半导体芯片21粘接于平面部201之上。在某些实施例中，半导体芯片21通过焊料粘接于平面部201之上。在某些实施例中，第一接脚部202和第二接脚部203分别设置于平面部201的相对侧。在某些实施例中，第一接脚部202自平面部201向第一方向fx延伸。在某些实施例中，第二接脚部203自平面部201向第二方向fy延伸。在某些实施例中，第一方向fx与第二方向fy方向相反。在某些实施例中，导线架20包括导电材料。在某些实施例中，导线架20包括铜。
20.在某些实施例中，第一接脚部202包括弯折平板p202。在某些实施例中，弯折平板
p202与平面部201连接。在某些实施例中，弯折平板p202自平面部201向第一方向fx延伸。在某些实施例中，第二接脚部203与平面部201分离。在某些实施例中，第二接脚部203包括多个接脚p203。在某些实施例中，多个接脚p203向第二方向fy延伸。在某些实施例中，多个接脚p203的每一包括阶梯状结构。
21.在某些实施例中，弯折平板p202的宽度wp202和接脚p203的宽度wp203的比在12:1到14:1的范围内。在某些实施例中，弯折平板p202的宽度wp202和接脚p203的宽度wp203是13:1。
22.在某些实施例中，引线22电性连接于半导体芯片21和第二接脚部203之间。在某些实施例中，引线22电性连接于半导体芯片21和多个接脚p203之间。在某些实施例中，当封装体23覆盖导线架20、半导体芯片21和引线22以完成封装时，导线架20的底面s20暴露于封装体23之外。在某些实施例中，暴露于封装体23之外的底面s20作为散热片，可以有效地将导线架20的热能散去。然而，在其他实施例中，当封装体23覆盖导线架20、半导体芯片21和引线22以完成封装时，底面s20并不限定暴露于封装体23之外。在某些实施例中，封装体23是以注塑成型的方式包覆导线架20、半导体芯片21和引线22以完成封装。
23.在某些实施例中，当封装体23覆盖导线架20、半导体芯片21和引线22以完成封装时，弯折平板p202和多个接脚p203延伸出封装体23以作为引脚使用。在某些实施例中，在半导体分立器件封装件2接上电路板时，作为引脚的弯折平板p202以整个平面与电路板连接接触，借此能增大接触面积和散热面积，并能提高导电率和稳定性。另外，以整个平面与电路板接触可以增加结构强度，较不易变形。
24.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”及“约”用于描述并考虑小变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。如本文中相对于给定值或范围所使用，术语“约”大体上意味着在给定值或范围的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内。范围可在本文中表示为自一个端点至另一端点或在两个端点之间。除非另外规定，否则本文中所公开的所有范围包括端点。术语“基本上共面”可指沿同一平面定位的在数微米(μm)内的两个表面，例如，沿着同一平面定位的在10μm内、5μm内、1μm内或0.5μm内。当参考“基本上”相同的数值或特性时，术语可指处于所述值的平均值的
±
10％、
±
5％、
±
1％或
±
0.5％内的值。
25.如本文中所使用，术语“近似地”、“基本上”、“基本”和“约”用于描述和解释小的变化。当与事件或情况结合使用时，所述术语可指事件或情况精确地发生的例子以及事件或情况极近似地发生的例子。举例来说，当与数值结合使用时，术语可指小于或等于所述数值的
±
10％的变化范围，例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％。举例来说，如果两个数值之间的差小于或等于所述值的平均值的
±
10％(例如，小于或等于
±
5％、小于或等于
±
4％、小于或等于
±
3％、小于或等于
±
2％、小于或等于
±
1％、小于或等于
±
0.5％、小于或等于
±
0.1％，或小于或等于
±
0.05％)，那么可认为所述两个数值“基本上”或“约”相同。举例来说，“基本上”平行可以指相对于0
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。举例来说，“基本上”垂直可以指相对于90
°
的小于或等于
±
10
°
的角度变化范围，例如，小于
或等于
±5°
、小于或等于
±4°
、小于或等于
±3°
、小于或等于
±2°
、小于或等于
±1°
、小于或等于
±
0.5
°
、小于或等于
±
0.1
°
，或小于或等于
±
0.05
°
。
26.举例来说，如果两个表面之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么两个表面可以被认为是共面的或基本上共面的。如果表面相对于平面在表面上的任何两个点之间的位移等于或小于5μm、等于或小于2μm、等于或小于1μm或等于或小于0.5μm，那么可以认为表面是平面的或基本上平面的。
27.如本文中所使用，除非上下文另外明确规定，否则单数术语“一(a/an)”和“所述”可包含复数指示物。在一些实施例的描述中，提供于另一组件“上”或“上方”的组件可涵盖前一组件直接在后一组件上(例如，与后一组件物理接触)的情况，以及一或多个中间组件位于前一组件与后一组件之间的情况。
28.如本文中所使用，为易于描述可在本文中使用空间相对术语例如“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”、“下部”、“左侧”、“右侧”等描述如图中所说明的一个组件或特征与另一组件或特征的关系。除图中所描绘的定向之外，空间相对术语意图涵盖在使用或操作中的装置的不同定向。设备可以其它方式定向(旋转90度或处于其它定向)，且本文中所使用的空间相对描述词同样可相应地进行解释。应理解，当一组件被称为“连接到”或“耦合到”另一组件时，其可直接连接或耦合到所述另一组件，或可存在中间组件。
29.前文概述本公开的若干实施例和细节方面的特征。本公开中描述的实施例可容易地用作用于设计或修改其它过程的基础以及用于执行相同或相似目的和/或获得引入本文中的实施例的相同或相似优点的结构。这些等效构造不脱离本公开的精神和范围并且可在不脱离本公开的精神和范围的情况下作出不同变化、替代和改变。