一种晶圆加工设备的制作方法

1.本实用新型涉及芯片生产制造领域，特别是涉及一种晶圆加工设备。


背景技术：

2.现有晶圆主要为晶圆的正面为电路面，晶圆背面为支撑面，在加工过程或者搬运过程中，电路面不能被接触从而导致电路面被污染，所以晶圆背打工艺为正面电路面为朝上，用于定位，支撑面为加工面朝下，用于激光标记，所以加工的台面需要露出晶圆的背面，导致晶圆放置在加工台面后，中间会凹陷，影响加工精度。
3.为此，现有技术提出一种晶圆平整方式，采用真空吸附板抵接晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆中间部分的凹陷；在调节真空吸附板位置时，真空吸附板连接的真空管需要随着真空吸附板一同运动，容易造成管路磨损导致真空吸附失效。


技术实现要素：

4.本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本实用新型提出一种晶圆加工设备，能够较少真空管路的磨损，降低真空吸附失效的可能。
5.本实用新型的晶圆加工设备，包括：基座；放置平台，设置在所述基座上，所述放置平台用于放置晶圆，所述放置平台开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；吸附板，位于所述晶圆下方，当所述吸附板位于至第一位置时，所述吸附板位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；吸附装置，设置在所述基座上，所述吸附板能够与所述吸附装置连通，使得所述吸附装置能够为所述吸附板提供真空源；所述吸附装置有多个，多个所述吸附装置分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置；所述吸附板能够绕竖直方向的轴线转动至与其中一个所述吸附装置连通；加工装置，设置在所述基座上，所述加工装置位于所述吸附板下方。
6.根据本实用新型的一些实施例，吸附板的外轮廓为半圆形或拱形，所述吸附装置有两个，两个所述吸附装置沿竖直方向轴线的周向均布。
7.根据本实用新型的一些实施例，吸附板上开设有多个避让部，多个所述避让部间隔设置。
8.根据本实用新型的一些实施例，晶圆加工设备还包括：第一升降装置，设置在所述基座上；所述第一升降装置能够带动所述吸附板上升至第一位置，使得所述吸附板位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；所述第一升降装置能够带动所述吸附板下降至第二位置，使得所述吸附板与所述晶圆的下表面脱离。
9.根据本实用新型的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述第一升降装置上的转动盘，所述转动盘上设置有支撑部，所述支撑部用于支撑所述吸附板，所述升降装置通过控制所述转动盘升降来带动所述吸附板升降。
10.根据本实用新型的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述第一升降装置上的转动装置，所述第一升降装置能够驱动所述转动装置和所述转动盘一同升降，所述转动
装置能够驱动所述转动盘转动。
11.根据本实用新型的一些实施例，所述支撑部有多个，多个所述支撑部沿所述转动盘的周向分布。
12.根据本实用新型的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述基座上的升降压板，所述升降压板下方设置有压圈，所述升降压板能够带动所述压圈下压，使得所述压圈将所述晶圆的边缘压在所述放置平台上。
13.根据本实用新型的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述基座上的第二升降装置，所述第二升降装置用于带动所述升降压板升降。
14.根据本实用新型的一些实施例，晶圆加工设备还包括设置在所述基座上的移动平台，所述放置平台和所述吸附装置均设置在所述移动平台上。
15.应用上述晶圆加工设备，在加工过程当中，吸附装置能够为吸附板提供真空，使得吸附板通过真空吸附的方式紧贴晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆凹陷；当吸附板发生转动后，对应位置的吸附装置能够为吸附板提供真空源，使得吸附板在当前位置能够通过真空吸附的方式紧贴晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆凹陷；在吸附板的位置调节过程当中，真空管路无需跟随吸附板一同移动，有效减少了由于管路磨损导致真空吸附失效的可能。
16.本实用新型的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本实用新型的实践了解到。
附图说明
17.本实用新型的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
18.图1为本实用新型实施例中第一种晶圆加工装置的示意图；
19.图2为图1中a处的放大图；
20.图3为本实用新型实施例中转动盘和吸附板组合的示意图；
21.图4为图3中转动盘的示意图；
22.图5为本实用新型实施例中第一种吸附板的示意图；
23.图6为本实用新型实施例中第二种吸附板的示意图；
24.图7为本实用新型实施例中第二种晶圆加工装置的示意图；
25.图8为图7中b处的放大图；
26.上述附图包含以下附图标记。
27.标号名称标号名称110移动平台250吸附板120加工装置260晶圆本体130拍摄系统270升降压板210第一升降装置271压圈220转动装置272升降卡扣221转动盘280放置平台230吸附装置290治具组件
240支撑部
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具体实施方式
28.下面详细描述本实用新型的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本实用新型，而不能理解为对本实用新型的限制。
29.在本实用新型的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本实用新型和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本实用新型的限制。
30.在本实用新型的描述中，若干的含义是一个或者多个，多个的含义是两个及两个以上，大于、小于、超过等理解为不包括本数，以上、以下、以内等理解为包括本数。如果有描述到第一、第二只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。
31.本实用新型的描述中，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本实用新型中的具体含义。
32.参照图1和图2，本实施例第一方面的晶圆加工装置，包括：基座；放置平台280，设置在所述基座上，所述放置平台280用于放置晶圆也即图2所示的晶圆本体260，所述放置平台280开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；第一升降装置210，设置在所述基座上；吸附板250，位于所述晶圆下方，所述第一升降装置210能够带动所述吸附板250上升至第一位置，使得所述吸附板250位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；所述第一升降装置210能够带动所述吸附板250下降至第二位置，使得所述吸附板250与所述晶圆的下表面脱离；加工装置120，设置在所述基座上，所述加工装置120位于所述吸附板250下方。
33.应用上述晶圆加工装置，在晶圆生产过程当中，当需要调整吸附板250的位置时，可以控制第一升降装置210，带动吸附板250下降至第二位置，使得晶圆下表面与吸附板250分离；然后调节吸附板250的位置，而后控制第一升降装置210带动吸附板250上升使得第一升降板回到与晶圆下表面贴附的第一位置，然后为吸附板250提供真空使得吸附板250能够吸附晶圆的下表面，之后加工装置120即可对晶圆新露出吸附板250的部分进行加工；整个调节过程当中无需升降晶圆即可完成对吸附板250位置的调整，有效减少了由于晶圆移动造成的移位，提高了晶圆的加工精度。
34.如图3至图6所示，吸附板250是一块带有多个吸附机构的板，当吸附板250紧贴晶圆下端面并通过真空吸附作用吸附晶圆下端面时，吸附板250会避让出晶圆下表面的一部分，此时加工装置120即可从下方对晶圆下表面进行加工，在该部分加工完毕之后，可以断开吸附板250的真空源，通过第一升降装置210带动吸附板250下降至第二位置，然后调整吸附板250的位置后带动吸附板250上升至第一位置，然后为吸附板250提供真空源，此时晶圆下表面另一部分需要加工的表面即露出吸附板250，加工装置120即可对该部分进行加工；在吸附板250调节的过程当中，吸附板250与晶圆下表面分离，有效避免了吸附板250相对于晶圆表面移动造成晶圆下表面损坏的情况；同时采用晶圆固定，吸附板250移动的方式能够
有效减少晶圆移动带来的位置误差；当吸附板250位于第一位置时，吸附板250的上表面与放置平台280的上表面平齐。
35.本实施例第一方面还提供一种晶圆加工方法，应用本实施例第一方面的晶圆加工装置，包括如下步骤：s100、将晶圆安放在放置平台280位于让位部上方的规定位置；s200、控制第一升降装置210，带动吸附板250上升至第一位置，而后为吸附板250提供真空源；s300、控制加工装置120，对晶圆露出吸附板250的部分进行加工；s400、控制第一升降装置210，带动吸附板250下降至第二位置，而后将吸附板250旋转指定角度；s500、控制第一升降装置210，带动吸附板250上升至第一位置，而后为吸附板250提供真空源；s600、控制加工装置120，对晶圆露出吸附板250的部分进行加工。
36.如图1、图3及图4所示，晶圆加工装置还包括转动设置在所述第一升降装置210上的转动盘221，所述转动盘221上设置有支撑部240，所述支撑部240用于支撑所述吸附板250，所述升降装置通过控制所述转动盘221升降来带动所述吸附板250升降；此时在各步骤当中，第一升降装置210通过控制转动盘221上下移动，来带动吸附板250在第一位置和第二位置之间切换，在步骤s400当中，可以通过调节转动盘221的转动角度，带动吸附板250旋转，便于调节吸附板250的位置。
37.在本实施例当中，第一升降装置210可以通过多种方式带动吸附板250升降，例如通过丝杆电机机构或者直线电机模组带动吸附板250升降，或者通过气缸来带动吸附板250升降等。
38.值得注意的是，本实施例当中，上升指的是沿图1中z轴正方向移动；第一位置和第二位置仅仅是吸附板250的竖直位置，也即在步骤s400当中，当吸附板250在转动盘221的带动下转动时，吸附板250的竖直位置没有改变，其仍位于第二位置。
39.具体地，如图4所示，所述支撑部240有多个，多个所述支撑部240沿所述转动盘221的周向间隔分布；其中，多个支撑部240能够对吸附板250实现多点支撑，提升吸附板250的稳定性；而支撑部240的分布方式，也可以根据吸附板250的形状灵活确定；例如沿转动盘221周向间隔设置多个支撑部240等。
40.如图1所示，晶圆加工装置还包括设置在所述第一升降装置210上的转动装置220，所述第一升降装置210能够驱动所述转动装置220和所述转动盘221一同升降，所述转动装置220能够驱动所述转动盘221转动；在步骤s400当中，当吸附板250下降至第二位置之后，转动装置220即可带动转动盘221转动，使得吸附板250对应转动至指定角度，实现了吸附板250转动位置的精准控制；在本实施例当中，转动装置220可以通过多种方式驱动转动盘221转动，例如通过电机驱动齿轮组带动转动盘221转动，或者通过电机带动带传动或者链传动装置带动转动盘221转动等。
41.如图5所示，吸附板250的外轮廓为半圆形或圆拱形，其中半圆形轮廓指的是由半圆形边线和直线围成的轮廓，而圆拱形轮廓指的是由圆心角小于180
°
的圆弧和直线围城的轮廓；其中，吸附板250的面积要小于晶圆面积的一半；在步骤s300当中，晶圆能够露出超过一半表面积的部分，加工装置120即可对露出部分当中晶圆面积一半的部分进行加工；而在步骤s400当中，转动装置220带动吸附板250转动180
°
,之后在步骤s500当中，吸附板250上升并与晶圆下表面真空吸附；此时晶圆下表面另外一半的部分即可露出吸附板250，在步骤s600当中加工装置120即可对该部分进行加工；两次加工即可对晶圆下表面的所有区域都
进行加工。
42.具体地如图6所示，在半圆形或圆拱形的外轮廓的基础上，吸附板250上开设有多个避让部，多个所述避让部间隔设置；在晶圆加工完毕后，可以使用陶瓷手指从侧方插入避让部，将晶圆取出，便于将晶圆顶升后取出；在优选的方案当中，避让部有两个，正好便于陶瓷手指的两个指尖进入。
43.如图1所示，还包括设置在所述第一升降装置210上的吸附装置230，所述第一升降装置210能够驱动所述吸附装置230和所述吸附板250一同升降，所述吸附板250能够与所述吸附装置230连通，使得所述吸附装置230能够为所述吸附板250提供真空源；在步骤s300和步骤s500当中，吸附装置230负责为吸附板250提供真空源，使得吸附板250能够通过真空吸附紧贴于晶圆下表面，为晶圆下表面提供支撑；在步骤s400当中，在第一升降装置210带动吸附板250下降前，可以先控制吸附装置230停止为吸附板250提供真空源，防止吸附板250下降拉扯晶圆将晶圆损坏。
44.如图1、图2所示，晶圆加工装置还包括设置在所述基座上的升降压板270，所述升降压板270下方设置有压圈271，所述升降压板270能够带动所述压圈271下压，使得所述压圈271将所述晶圆的边缘压在所述放置平台280上；在步骤s100当中，当晶圆安装到位之后，晶圆的边缘搭在放置平台280位于让位部周边的位置上，在此可以控制升降压板270下压，使得压圈271将晶圆边缘压在放置平台280上，将晶圆固定在放置平台280上；当晶圆加工完毕后，可以控制升降压板270上升至安全高度，同时控制吸附板250下降至第二位置，然后将晶圆取出；在此，升降压板270可以通过驱动装置自动控制升降，也可以通过手动调节的方式控制升降压板270升降。
45.具体地，晶圆加工装置还包括设置在所述基座上的第二升降装置，所述第二升降装置用于带动所述升降压板270升降，在整个晶圆加工过程当中，控制中心通过控制第二升降装置，来控制升降压板270升降；其中，第二升降装置可以通过多种方式控制升降压板270的升降，例如通过电机带动齿轮齿条机构或丝杆螺母机构等直线机构带动升降压板270升降，或者直接通过直线电机带动升降压板270升降，也可以通过气缸或者液压缸等机构带动升降压板270升降。
46.在本实施例当中，吸附装置230可以设置多个，此时本实施例第一方面的晶圆加工装置也即晶圆加工设备包括：基座；放置平台280，设置在所述基座上，所述放置平台280用于放置晶圆，所述放置平台280开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；吸附板250，位于所述晶圆下方，当所述吸附板250位于至第一位置时，所述吸附板250位于所述让位部当中并贴附所述晶圆的下表面；吸附装置230，设置在所述基座上，所述吸附板250能够与所述吸附装置230连通，使得所述吸附装置230能够为所述吸附板250提供真空源；所述吸附装置230有多个，多个所述吸附装置230分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置；所述吸附板250能够绕竖直方向的轴线转动至与其中一个所述吸附装置230连通；加工装置120，设置在所述基座上，所述加工装置120位于所述吸附板250下方。
47.应用上述晶圆加工装置，在加工过程当中，吸附装置230能够为吸附板250提供真空，使得吸附板250通过真空吸附的方式紧贴晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆凹陷；当吸附板250发生转动后，对应位置的吸附装置230能够为吸附板250提供真空源，使得吸附板250在当前位置能够通过真空吸附的方式紧贴晶圆下表面，为晶圆提供支撑，减少晶圆凹
陷；在吸附板250的位置调节过程当中，真空管路无需跟随吸附板250一同移动，有效减少了由于管路磨损导致真空吸附失效的可能。
48.具体地，在步骤s500当中，转动后的吸附板250上升至第一位置，设置在该转动角度的吸附装置230即可为吸附板250提供真空源。
49.具体地，吸附装置230有两个，两个所述吸附装置230沿竖直方向轴线的周向均布；由于在步骤s400当中，吸附板250转动的角度为180
°
，因此需要沿竖直方向的轴线的周向均布设置两个吸附装置230，也即两个吸附装置230的分布角度也为180
°
，使得吸附板250在步骤s200和步骤s500当中，均有一个对应位置的吸附装置230可以为吸附板250提供真空源。
50.如图1所示，晶圆还包括设置在所述基座上的移动平台110，所述放置平台280和所述吸附装置230均设置在所述移动平台110上；具体地，包括放置平台280、升降压板270、第一升降装置210以及第二升降装置在内的诸多部件均设置在移动平台110上，移动平台110能够带动上述部件整体平移，调整位置。
51.图7、图8所示，为本实施例第二方面的晶圆加工装置，其包括：基座；放置平台280，设置在所述基座上，所述放置平台280用于放置晶圆，所述放置平台280开设有让位部，所述让位部位于所述晶圆下方；升降压板270，可升降设置在所述基座上，所述升降压板270下方设置有压圈271，所述升降压板270能够带动所述压圈271下压，使得所述压圈271将所述晶圆也即图8所示的晶圆本体260的边缘压在所述放置平台280上；固定组件，设置在所述升降压板270上，所述固定组件能够可拆卸地固定所述晶圆；加工装置120，设置在所述基座上，所述加工装置120位于所述让位部下方。
52.应用本实施例第二方面的晶圆加工装置，在加工过程当中，升降压板270上的压圈271能够将晶圆边缘压在放置平台280上，在加工装置120对晶圆下表面进行加工时保证晶圆位置的稳定，当需要抬升晶圆时，可以将固定组件与晶圆固定，然后控制压板上升，使得晶圆被抬升，当晶圆需要复位时，只需控制压板下降，将晶圆下降回放置平台280上后，解除固定组件与晶圆的固定即可，通过一套压板升降机构即可同时实现晶圆边缘的固定以及晶圆的升降两个功能，相对于现有技术而言能够有效减少升降机构的数量，降低设备成本。
53.其中，固定组件可以通过多种方式可拆卸地固定晶圆，例如通过可平移的卡持装置卡持晶圆侧面，或者通过吸嘴吸附晶圆等；另一方面，升降压板270可以通过设置驱动部件自动控制其升降，也可以通过手动调节的方式控制升降压板270升降。
54.具体地，晶圆加工装置还包括设置在所述基座上的第二升降装置，所述第二升降装置用于带动所述升降压板270升降；当晶圆安装到位之后，晶圆的边缘搭在放置平台280位于让位部周边的位置上，在此可以通过第二升降装置控制升降压板270下压，使得压圈271将晶圆边缘压在放置平台280上，将晶圆固定在放置平台280上；当晶圆加工完毕后，可以控制升降压板270上升至安全高度，然后将晶圆取出；在加工过程当中，当需要抬升晶圆时，可以控制固定组件固定晶圆；然后控制第二升降装置带动升降压板270上升；其中第二升降装置可以通过多种方式控制升降压板270的升降，例如通过电机带动齿轮齿条机构或丝杆螺母机构等直线机构带动升降压板270升降，或者直接通过直线电机带动升降压板270升降，也可以通过气缸或者液压缸等机构带动升降压板270升降。
55.如图8所述，为了减少晶圆抬升过程当中对晶圆边缘的损坏，还包括设置在所述放置平台280上方的治具组件290，所述晶圆放置在所述治具组件290上方，所述固定组件能够
可拆卸的固定所述治具组件290；具体地，治具组件290搭在放置台上方，其中间镂空设置，加工装置120能够透过其镂空部分对晶圆下表面进行加工；当需要抬升晶圆时，可以控制固定组件固定治具组件290，然后控制第二升降装置带动升降压板270上升即可。
56.具体地，如图8所示，所述固定组件包括设置在所述升降压板270上的升降卡扣272，所述治具组件290上设置有凸台，所述升降卡扣272能够相对于所述升降压板270平移至卡持所述凸台；当需要抬升晶圆组件时，可以移动升降卡扣272，使得升降卡扣272卡柱凸台，然后第二升降装置带动升降压板270抬升，将晶圆抬升；在晶圆放回过程当中，第二升降装置带动升降压板270下降，使得治具组件290落回到放置平台280上的原位置，然后平移升降卡扣272使得升降卡扣272解除对凸台的卡持即可；其中，升降卡扣272的平移即可以由手动控制，也可以由设置在升降压板270上的平移驱动装置自动控制。
57.如图7、图8所示，晶圆加工装置还包括：吸附板250，位于所述晶圆下方，当所述晶圆下降至第一位置时，所述吸附板250贴附与于所述晶圆下表面，当所述晶圆上升至第二位置时，所述吸附板250与所述晶圆的下表面分离，所述吸附板250能够绕竖直方向的轴线转动；吸附装置230，设置在所述基座上，所述吸附板250能够与所述吸附装置230连通，使得所述吸附装置230能够为所述吸附板250提供真空源；如图3至图6所示，当治具组件290位于放置平台280上时，治具组件290的上表面与吸附板250的上表面平齐，吸附板250位于治具组件290中间的镂空部分当中，加工装置120即可对晶圆下表面未被吸附板250遮住的部分进行加工；当露出部分加工完后，可以移动升降卡扣272，使得升降卡扣272卡柱凸台，然后第二升降装置带动升降压板270抬升，将晶圆抬升，然后将吸附板250转动180
°
,之后将治具组件290下降至放回原位，吸附板250与晶圆下表面真空吸附；此时晶圆下表面另外一半的部分即可露出吸附板250，加工装置120即可对该部分进行加工；在加工过程当中，吸附板250的作用可以参照上述实施例；在吸附板250转动时，将晶圆抬升能够让晶圆下表面与吸附板250脱离，使得吸附板250在转动过程当中不会与晶圆下表面发生剐蹭。
58.具体地，所述吸附装置230有多个，多个所述吸附装置230分布在沿竖直方向轴线的周向的不同位置；所述吸附板250能转动至与其中一个所述吸附装置230连通；具体地，吸附装置230有两个，两个所述吸附装置230沿竖直方向轴线的周向均布；由于在步骤s400当中，吸附板250转动的角度为180
°
，因此需要沿竖直方向的轴线的周向均布设置两个吸附装置230，也即两个吸附装置230的分布角度也为180
°
，使得吸附板250在步骤s200和步骤s500当中，均有一个对应位置的吸附装置230可以为吸附板250提供真空源。
59.如图3、图4所示，晶圆加工装置还包括设置在所述基座上的转动盘221，所述转动盘221上设置有支撑部240，所述支撑部240用于支撑所述吸附板250，所述转动装置220用于驱动所述转动装置220转动；其中支撑部240有多个，多个所述支撑部240沿所述转动盘221的周向分布。
60.应用本实施例第二方面的晶圆加工装置，其晶圆加工过程如下：第一步，将晶圆放置在放置平台280的规定位置上，第二步，控制第二升降装置带动升降压板270下降，使得压圈271将晶圆边缘压紧，控制吸附装置230为吸附板250提供真空源，使得吸附板250吸附在晶圆下表面；第三步，控制加工装置120，对晶圆下表面露出吸附板250的一半进行加工；第四步，控制升降卡扣272平移至卡持凸台，然后控制第二升降装置带动升降压板270上升，之后转动装置220带动转动盘221转动，使得吸附板250转动180
°
；第五步，控制第二升降装置
带动升降压板270下降，使得治具平台带动晶圆回到原位，之后平移升降卡扣272，使得升降卡扣272与凸台脱离，此时压圈271压紧晶圆边缘；第六步，控制吸附装置230为吸附板250提供真空源，然后控制加工装置120，对晶圆下表面的另外一部分进行加工；第七步，待加工完成后，第二升降装置带动升降压板270上升至安全位置，吸附装置230停止供应真空源，然后将加工完成的晶圆取出。
61.如图1、图7所示，本实施例的晶圆加工装置，均设置有拍摄系统130和控制中心，用于拍摄晶圆的位置，辅助晶圆定位；而控制中心用于控制各部件的运转，保证晶圆生产过程稳定进行。
62.值得注意的是，在本领域当中，晶圆加工装置可以吸收本实施例各个方面的晶圆加工装置的特点，同时具备上述特征；在本实施例当中，控制晶圆上升后转动吸附板250以及控制吸附板250下降后转动吸附板250，是为了解决吸附板250转动时会剐蹭晶圆的两套方案，这两套方案本质上并不互斥。
63.上面结合附图对本实用新型实施例作了详细说明，但是本实用新型不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本实用新型宗旨的前提下作出各种变化。