一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片的制作方法

文档序号:33575378发布日期:2023-03-24 16:56阅读:54来源:国知局
一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片的制作方法

1.本实用新型涉及压控振荡器射频芯片技术领域,具体来说,涉及一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片。


背景技术:

2.现有产品中,采用分离式设计的压控振荡器射频芯片和无源馈电网络占用体积大,且由于加电方向和加电形式限制,一个无源馈电网络只能为一个射频芯片加电,所以在系统封装过程中,一个封装所能集成的芯片数量非常有限,还可以进一步作出改进。
3.针对相关技术中的问题,目前尚未提出有效的解决方案。


技术实现要素:

4.(一)解决的技术问题
5.针对现有技术的不足,本实用新型提供了一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片,具备减小占用体积的优点,进而解决上述背景技术中的问题。
6.(二)技术方案
7.为实现上述减小占用体积的优点,本实用新型采用的具体技术方案如下:
8.一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片,包括压控振荡器射频芯片主体和无源馈电网络射频芯片主体,所述压控振荡器射频芯片主体背面上部位置设置有第一连接凸点和第二连接凸点,且压控振荡器射频芯片主体背面下部位置设置有第三连接凸点和第四连接凸点,并且压控振荡器射频芯片主体背面位于第一连接凸点和第三连接凸点一侧设置有第一接地凸点,所述无源馈电网络射频芯片主体正面上部位置设置有第五连接凸点和第六连接凸点,且无源馈电网络射频芯片主体正面下部位置设置有第七连接凸点和第八连接凸点,并且无源馈电网络射频芯片主体正面位于第五连接凸点和第七连接凸点一侧设置有第二接地凸点,所述第一连接凸点和第二连接凸点分别与第五连接凸点和第六连接凸点对位键合,所述第三连接凸点和第四连接凸点分别与第七连接凸点和第八连接凸点对位键合,所述第一接地凸点和第二接地凸点对位键合。
9.进一步的,所述第一连接凸点和第二连接凸点为无源馈电网络射频芯片主体的一组平面连接端口。
10.进一步的,所述第三连接凸点和第四连接凸点为无源馈电网络射频芯片主体的第二组平面连接端口。
11.进一步的,所述无源馈电网络射频芯片主体包括两路无源馈电网络射频电路,且其中一路无源馈电网络射频电路由mim电容c1和平面螺旋电感l1构成,并且此无源馈电网络射频电路的输入端与输出端分别对应连通第五连接凸点和第六连接凸点,其中另一路所述无源馈电网络射频电路由mim电容c2和平面螺旋电感l2构成,且此无源馈电网络射频电路的输入端与输出端分别对应连通第七连接凸点和第八连接凸点。
12.进一步的,所述压控振荡器射频芯片主体的输入端口vt、输出端口rf采用共面波
导传输模式。
13.进一步的,所述第八连接凸点通过金丝键合有多个有源射频功能芯片。
14.(三)有益效果
15.与现有技术相比,本实用新型提供了一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片,具备以下有益效果:
16.(1)、本实用新型采用了压控振荡器射频芯片主体和无源馈电网络射频芯片主体,在进行堆叠时,第一连接凸点和第二连接凸点分别与第五连接凸点和第六连接凸点对位键合,所述第三连接凸点和第四连接凸点分别与第七连接凸点和第八连接凸点对位键合,压控振荡器射频芯片主体的第一接地凸点与无源馈电网络射频芯片的第二接地凸点对位键合,实现了对压控振荡器射频芯片主体及无源馈电网络射频芯片主体的三维堆叠互连,从而可以实现用电压控制频率,又可以为有源射频信号进行加电,减小了总体的占用体积,解决了传统技术中压控振荡器射频芯片与无源馈电网络采用分离式设计,造成系统封装中能够集成的芯片数量非常有限的问题。
17.(2)、本实用新型采用了无源馈电网络射频芯片主体,在一个芯片中集成两路无源直流滤波馈电网络射频电路,可以对两个射频功能芯片进行直流馈电,从而增加了同一封装内封装的功能芯片的数量。
附图说明
18.为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1是本实用新型提出的压控振荡器射频芯片主体的结构示意图;
20.图2是本实用新型提出的压控振荡器射频芯片主体的侧视图;
21.图3是本实用新型提出的无源馈电网络射频芯片主体的结构示意图;
22.图4是本实用新型提出的无源馈电网络射频芯片主体的侧视图;
23.图5是本实用新型提出的一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片的键合示意图;
24.图6是本实用新型提出的一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片的应用示意图。
25.图中:
26.1、第一连接凸点;2、第二连接凸点;3、第三连接凸点;4、第四连接凸点;5、第五连接凸点;6、第六连接凸点;7、第七连接凸点;8、第八连接凸点;9、第一接地凸点;10、第二接地凸点;11、压控振荡器射频芯片主体;12、无源馈电网络射频芯片主体。
具体实施方式
27.为进一步说明各实施例,本实用新型提供有附图,这些附图为本实用新型揭露内容的一部分,其主要用以说明实施例,并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理,配合参考这些内容,本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本实用新型的优点,图中的组件并未按比例绘制,而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。
28.根据本实用新型的实施例,提供了一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片。
29.现结合附图和具体实施方式对本实用新型进一步说明,如图1-6所示,根据本实用新型实施例的一种两层堆叠的压控振荡器射频芯片,包括压控振荡器射频芯片主体11和无源馈电网络射频芯片主体12,压控振荡器射频芯片主体11背面上部位置设置有第一连接凸点1和第二连接凸点2,且压控振荡器射频芯片主体11背面下部位置设置有第三连接凸点3和第四连接凸点4,并且压控振荡器射频芯片主体11背面位于第一连接凸点1和第三连接凸点3一侧设置有第一接地凸点9,无源馈电网络射频芯片主体12正面上部位置设置有第五连接凸点5和第六连接凸点6,且无源馈电网络射频芯片主体12正面下部位置设置有第七连接凸点7和第八连接凸点8,并且无源馈电网络射频芯片主体12正面位于第五连接凸点5和第七连接凸点7一侧设置有第二接地凸点10,第一连接凸点1和第二连接凸点2分别与第五连接凸点5和第六连接凸点6对位键合,第三连接凸点3和第四连接凸点4分别与第七连接凸点7和第八连接凸点8对位键合,第一接地凸点9和第二接地凸点10对位键合,在进行堆叠时,第一连接凸点1和第二连接凸点2分别与第五连接凸点5和第六连接凸点6对位键合,所述第三连接凸点3和第四连接凸点4分别与第七连接凸点7和第八连接凸点8对位键合,压控振荡器射频芯片主体11的第一接地凸点9与无源馈电网络射频芯片的第二接地凸点10对位键合,实现了对压控振荡器射频芯片主体11及无源馈电网络射频芯片主体12的三维堆叠互连,从而可以实现用电压控制频率,又可以为有源射频信号进行加电,减小了总体的占用体积,解决了传统技术中压控振荡器射频芯片与无源馈电网络采用分离式设计,造成系统封装中能够集成的芯片数量非常有限的问题。
30.在一个实施例中,第一连接凸点1和第二连接凸点2为无源馈电网络射频芯片主体12的一组平面连接端口,其中,第三连接凸点3和第四连接凸点4为无源馈电网络射频芯片主体12的第二组平面连接端口,其中,压控振荡器射频芯片主体11的输入端口vt、输出端口rf采用共面波导传输模式,可以通过金丝键合连接输入、输出射频电路,接地端通过第一接地凸点9键合到地,图中未示出,振荡网络由变容二极管vd、三极管q组成,其通过传输线电路连接输入端口vt和输出端口rf。
31.在一个实施例中,无源馈电网络射频芯片主体12包括两路无源馈电网络射频电路,且其中一路无源馈电网络射频电路由mim电容c1和平面螺旋电感l1构成,并且此无源馈电网络射频电路的输入端与输出端分别对应连通第五连接凸点5和第六连接凸点6,其中另一路无源馈电网络射频电路由mim电容c2和平面螺旋电感l2构成,且此无源馈电网络射频电路的输入端与输出端分别对应连通第七连接凸点7和第八连接凸点8,其中,第八连接凸点8通过金丝键合有多个具有源射频功能芯片,在一个芯片中集成两路无源直流滤波馈电网络射频电路,可以对两个射频功能芯片进行直流馈电,从而增加了同一封装内封装的功能芯片的数量。
32.工作原理:
33.在进行堆叠时,第一连接凸点1和第二连接凸点2分别与第五连接凸点5和第六连接凸点6对位键合,所述第三连接凸点3和第四连接凸点4分别与第七连接凸点7和第八连接凸点8对位键合,压控振荡器射频芯片主体11的第一接地凸点9与无源馈电网络射频芯片的第二接地凸点10对位键合,实现了对压控振荡器射频芯片主体11及无源馈电网络射频芯片主体12的三维堆叠互连,从而可以实现用电压控制频率,又可以为有源射频信号进行加电,减小了总体的占用体积,解决了传统技术中压控振荡器射频芯片与无源馈电网络采用分离
式设计,造成系统封装中能够集成的芯片数量非常有限的问题,同时,采用了无源馈电网络射频芯片主体12,在一个芯片中集成两路无源直流滤波馈电网络射频电路,可以对两个射频功能芯片进行直流馈电,从而增加了同一封装内封装的功能芯片的数量。
34.在本实用新型中,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“设置”、“连接”、“固定”、“旋接”等术语应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或成一体;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系,除非另有明确的限定,对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
35.以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已,并不用以限制本实用新型,凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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