一种基于pdfn引线框架的同步整流封装结构的制作方法

文档序号:32875948发布日期:2023-01-12 19:03阅读:54来源:国知局
一种基于pdfn引线框架的同步整流封装结构的制作方法

1.本实用新型涉及集成电路封装技术领域,具体涉及一种基于pdfn引线框架的同步整流封装结构。


背景技术:

2.同步整流方法是由控制ic、功率mosfet及其附属电路组成,从而实现低损耗整流的新技术。
3.中国专利cn108281415b公开了两片式同步整流二极管,其通过第二框架有两个外置引脚,控制ic芯片固定在第二框架上,内置电容的外接线端连接第二框架;第一框架设有一个外置引脚,mosfet芯片固定在第一框架上,来实现优化结构,整合pad可利用面积;
4.但是上述的现有技术方案,采用两片式封装的形式,定制两个带有基岛的框架,分别安装控制ic芯片和功率mosfet芯片,然后通过键合的方式,实现电路的连接,采用上述的键合方式,一般需要定制两个引线框架,存在着成本较高的问题;以及内置电容的内接线处存在着散热效果不好的问题。


技术实现要素:

5.本实用新型的目的就在于解决需要定制两个引线框架,存在着成本较高的问题,而提出一种基于pdfn引线框架的同步整流封装结构。
6.本实用新型的目的可以通过以下技术方案实现:
7.一种基于pdfn引线框架的同步整流封装结构,包括引线框架,引线框架包括:
8.第二基岛,作为内置电容和ic芯片的载体,并与内置电容的内接线端设置有绝缘导热胶层;
9.框架主体,为方形框架结构,通过第二引脚与第二基岛连接。
10.作为本实用新型进一步的方案:绝缘导热胶为硅酮胶粘剂。
11.作为本实用新型进一步的方案:引线框架采用pdfn框架。
12.作为本实用新型进一步的方案:引线框架为一体成型结构,并由铜制材料制成。
13.作为本实用新型进一步的方案:还包括:
14.第一基岛,作为mosfet芯片的载体,并通过第一引脚与框架主体连接;
15.mosfet芯片、ic芯片和内置电容之间通过键合线连接。
16.作为本实用新型进一步的方案:键合线包括铜线、金线和耙金线。
17.作为本实用新型进一步的方案:第一引脚为同步整流的阴极,第二引脚为同步整流的阳极。
18.作为本实用新型进一步的方案:第一引脚和第二引脚分别等间距设置有多个。
19.本实用新型的有益效果:
20.本实用新型通过内置电容的内接线端与第二基岛之间设置绝缘导热胶层,绝缘导热胶为一类单组份室温硫化的硅酮胶粘剂,具有使用方便、粘接强度高、固化后呈弹性体、
抗冲击、震动等特点;
21.由于采用引线框架为pdfn的引线框架,在一个引线框架上形成两个基岛和相应的引脚,避免了定制两个引线框架,便于降低成本,且在一个引线框架上操作,仅需要对一个引线框架进行固定,避免了固定两个引线框架,有助于提高部分效率;且对内置电容进行整体的支撑,使得支撑的更加稳定。
附图说明
22.下面结合附图对本实用新型作进一步的说明。
23.图1是本实用新型的结构示意图;
24.图2是本实用新型塑封体的结构示意图;
25.图3是本实用新型的控制原理图;
26.图4是本实用新型的正向整流电路图;
27.图5是本实用新型的反向整流电路图。
28.图中:1、框架主体;2、第一引脚;3、第二引脚;4、第一基岛;5、第二基岛;6、间隙;7、mosfet芯片;8、内置电容;9、ic芯片;10、塑封体。
具体实施方式
29.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例,都属于本实用新型保护的范围。
30.实施例1
31.请参阅图1-2所示,本实用新型为一种基于pdfn引线框架的同步整流封装结构,包括引线框架,引线框架包括框架主体1、第一引脚2、第二引脚3、第一基岛4、第二基岛5;
32.框架主体1内部两侧分别设置有第一引脚2和第二引脚3,第一引脚2和第二引脚3分别等间距设置有多个,多个第一引脚2远离框架主体1的一端与第一基岛4连接,多个第二引脚3远离框架主体1的一端与第二基岛5连接;第一基岛4和第二基岛5不处于同一个水平面上,具有高度差,且第一基岛4在水平面的投影和第二基岛5在水平面的投影设置有间隙6;
33.其中,第一基岛4水平面的高度低于第二基岛5水平面的高度;引线框架为一体成型而成,且均采用铜制材料制成;
34.该同步整流封装结构利用第一基岛4和第二基岛5存在高度差,即内置电容8的内接线端可以处于悬空状态,相较于现有在基岛上开口或缺口的方式放置内接线端,可以达到良好的隔开效果;且由于采用高度差的形式,使得内置电容8的内接线端从高度较高基岛的一侧露出,露出的部分处于高度较低基岛的上部并悬空,减少两个基岛之间的间距,进而可以减少整体的尺寸。
35.实施例2
36.基于上述实施例1,将mosfet芯片7固定在第一基岛4的上部;将ic芯片9和内置电容8安装在第二基岛5的上部,且内置电容8的外接线端安装在第二基岛5上,内置电容8的内
接线端与第二基岛5之间设置绝缘导热胶层,绝缘导热胶为一类单组份室温硫化的硅酮胶粘剂,具有使用方便、粘接强度高、固化后呈弹性体、抗冲击、震动等特点;
37.由于采用引线框架为pdfn的引线框架,在一个引线框架上形成两个基岛和相应的引脚,避免了定制两个引线框架,便于降低成本,且在一个引线框架上操作,仅需要对一个引线框架进行固定,避免了固定两个引线框架,有助于提高部分效率;且对内置电容8进行整体的支撑,使得支撑的更加稳定(相较于开设缺口放置内接线端);
38.mosfet芯片7、ic芯片9、内置电容8之间通过键合线连接,键合线采用铜线、金线、耙金线等;
39.键合完毕后,进行塑封,将上述各部件缝在塑封料的内部,第一引脚2和第二引脚的3部分未封入塑封料中,塑封料冷却后,即形成塑封体10;
40.切单:经过清洁、镀锡处理后,从第一引脚2和第二引脚3的部分切断,形成单个的塑封体10,此塑封体10即为同步整流封装结构;
41.然后再经过目检和电性检测后,即可包装入库。
42.实施例3
43.基于上述实施例2,请参阅图3所示,第一引脚2为同步整流的阴极,第二引脚3为同步整流的阳极,当阴极电压大于阳极时,内置电容8充能为ic芯片9供电;当ic芯片9检测到元件端电压大于开通电压von时,开通mosfet芯片7,当检测到元件端电压趋于零时,关闭mosfet芯片7。
44.具体应用时,同步整流在正向整流应用、反向整流应用如图4、图5所示;在正向整流应用中,交流输入先经桥式整流电路,再经滤波、脉宽调制,由变压器变压,变压器的高压端连接带封闭式缺口的两片式同步整流二极管的阳极,再经稳压接负载。在反向整流应用中,交流输入先经桥式整流电路,再经滤波、脉宽调制,由变压器变压,变压器的低压端连接带封闭式缺口的两片式同步整流二极管的阴极,再经稳压接负载。
45.本实用新型的工作原理:本实用新型通过内置电容8的内接线端与第二基岛5之间设置绝缘导热胶层,绝缘导热胶为一类单组份室温硫化的硅酮胶粘剂,具有使用方便、粘接强度高、固化后呈弹性体、抗冲击、震动等特点;
46.由于采用引线框架为pdfn的引线框架,在一个引线框架上形成两个基岛和相应的引脚,避免了定制两个引线框架,便于降低成本,且在一个引线框架上操作,仅需要对一个引线框架进行固定,避免了固定两个引线框架,有助于提高部分效率;且对内置电容8进行整体的支撑,使得支撑的更加稳定。
47.以上对本实用新型的一个实施例进行了详细说明,但所述内容仅为本实用新型的较佳实施例,不能被认为用于限定本实用新型的实施范围。凡依本实用新型申请范围所作的均等变化与改进等,均应仍归属于本实用新型的专利涵盖范围之内。
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