一种三相电抗器屏蔽框的制作方法

文档序号:32771038发布日期:2022-12-31 12:06阅读:116来源:国知局
一种三相电抗器屏蔽框的制作方法

1.本实用新型属于电抗器技术领域,涉及一种三相电抗器屏蔽框。


背景技术:

2.间隙铁心式电抗器通常具有框式磁屏蔽(也被称为铁轭),由基本的电磁原理可知,三相五柱电抗器磁屏蔽框的主轭相对于旁柱会流过更多的磁通,因而会使硅钢片工作磁密较高,在过励磁时,还可能会使硅钢片运行在饱和区,产生谐波,从而降低电抗器的线性度,对电抗器运行稳定性、补偿功率效能产生极大影响。
3.现有的屏蔽框一般采用45度接缝,旁轭与旁柱采用等截面的结构,这种结构只能通过同时增大主轭、旁轭及旁柱截面积来降低磁密,这样消耗的硅钢片材料较多,成本较高,且对于旁柱来说,放大截面也没有起到效果,磁框在使用中会导致因局部磁密较高,容易造成局部损耗较大,从而导致屏蔽框温升较高的问题。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的在于解决现有的磁框在工作时损耗大,内部升温较高,对硅钢片的消耗多,成本较高的问题,提供一种三相电抗器屏蔽框,采用一种旁柱与旁轭不等截面结构,只增加主轭和旁轭面积,不增加旁柱面积,既能合理的降低磁屏蔽框的工作磁密,从而降低损耗,避免过热,又节省了钢片材料,降低了成本。
5.为达到上述目的,本实用新型采用以下技术方案予以实现:
6.一种三相电抗器屏蔽框,包括第一连接轭、第二连接轭、第一连接柱和第二连接柱;
7.所述第一连接轭、第二连接轭、第一连接柱和第二连接柱的首尾依次相连,第一连接轭、第二连接轭、第一连接柱和第二连接柱的之间的连接处均形成连接斜缝;
8.所述第一连接轭和第二连接轭宽度相同,所述第一连接柱和第二连接柱宽度相同;
9.所述第一连接轭的宽度大于第一连接柱宽度。
10.本实用新型的进一步改进在于:
11.所述第一连接轭与第二连接轭对称设置,第一连接轭与第二连接轭的结构相同。
12.所述第一连接轭包括第一连接轭叠积层和第二连接轭叠积层;
13.所述第一连接轭叠积层包括主轭和旁轭,所述主轭和旁轭分别设置有两个,两个主轭设置在两个旁轭之间;
14.所述第二连接轭叠积层包括固定轭。
15.所述第二连接轭叠积层设置有两层,所述第一连接轭叠积层设置在两层第二连接轭叠积层之间。
16.所述第一连接柱和第二连接柱均包括第一连接柱叠积层和第二连接柱叠积层;
17.所述第一连接柱叠积层包括第一旁柱和第二旁柱,所述第二连接柱叠积层包括第
三旁柱;
18.所述第一旁柱远离第二旁柱的一端与第一连接轭相连,所述第二旁柱远离第一旁柱的一端与第二连接轭相连。
19.所述第一连接柱中第一连接柱叠积层设置在偶数层,第二连接柱叠积层设置在奇数层;
20.所述第二连接柱中,第一连接柱叠积层设置在奇数层,第二连接柱叠积层设置在偶数层。
21.所述第三旁柱与第一旁柱和第二旁柱的宽度相同。
22.所述第一连接轭、第二连接轭、第一连接柱和第二连接柱上均设置有油道。
23.所述油道分别设置在第一连接轭、第二连接轭、第一连接柱和第二连接柱的外侧壁上,所述油道位于任意两个相邻的叠积层之间。
24.所述第一连接轭和第一连接柱的宽度比例为4:3。
25.与现有技术相比,本实用新型具有以下有益效果:
26.本实用新型公开了一种三相电抗器屏蔽框,两个连接轭和两个连接柱之间形成连接缝,同时第一连接轭的宽度大于第二连接轭的宽度,使第一连接轭和第二连接轭沿斜缝向下的截面面积大于与其相连的连接柱的截面面积,可以有效降低第一连接轭和第二连接轭处的损耗,避免屏蔽框温升较高,本实用新型相较于现有技术只增加了两个连接轭相对连接柱的宽度,两个连接柱的宽度保持不变,两个连接轭的连接截面在增大的同时也改变了连接缝的角度,不等截面的设置合理降低了磁屏蔽框的工作磁密,降低了损耗,避免内部过热,同时也两个连接柱的宽度保持不变也减少了材料的消耗,降低了屏蔽框的成本。
27.进一步的,本实用新型中第一连接柱和第二连接柱的叠积层中,既包括由第一旁柱和第二旁柱组成的断片叠积层,也包括第三旁柱构成的连续片叠积层,使得两个旁柱叠后的50%为断片,50%为连续片,这种结构便于后期拆卸时,第一连接轭可以作为整体拆除,减少了接缝磁阻。
28.进一步的,本实用新型在第一连接轭、第二连接轭、第一连接柱和第二连接柱的上均设置有油道,提高了磁框的散热性能。
附图说明
29.为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本实用新型的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
30.图1为本实用新型的剖面图;
31.图2为本实用新型的主视图;
32.图3为本实用新型的俯视图;
33.图4为本实用新型旁柱的结构图;
34.图5为本实用新型连接轭与连接柱的连接角度为非45
°
的结构图。
35.其中:1-主轭;2-旁轭;3-第一旁柱;4-第二旁柱;5-第三旁柱;6-油道;7-固定轭;8-连接斜缝;9-方孔。
具体实施方式
36.为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本实用新型实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
37.因此,以下对在附图中提供的本实用新型的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本实用新型的范围,而是仅仅表示本实用新型的选定实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
38.应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
39.在本实用新型实施例的描述中,需要说明的是,若出现术语“上”、“下”、“水平”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该实用新型产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本实用新型和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本实用新型的限制。此外,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
40.此外,若出现术语“水平”,并不表示要求部件绝对水平,而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平,并不是表示该结构一定要完全水平,而是可以稍微倾斜。
41.在本实用新型实施例的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,若出现术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本实用新型中的具体含义。
42.下面结合附图对本实用新型做进一步详细描述:
43.参见图1至4,本实用新型公开了一种三相电抗器屏蔽框,在增大了连接轭的截面面积的同时不改变连接柱的截面面积,合理改善了磁框内部磁密的分布,避免内部升温较高,连接柱采用由第一旁柱3和第二旁柱4组成的断片叠积层和第三旁柱5组成的整片叠积层依次叠积而成,保证了上部的连接轭在碟片后可以作为整体进行拆除,也降低了磁屏框整体的磁阻。
44.具体结构包括:
45.主轭1;旁轭2;第一旁柱3;第二旁柱4;第三旁柱5;油道6;固定轭7;连接斜缝8和方孔9。
46.本实用新型中,所述的第一连接轭为三相电抗器屏蔽框的上轭,所述第二连接轭为三相电抗器屏蔽框的下轭,所述第一连接柱和第二连接柱均为三相电抗器屏蔽框左右的两个旁柱,上轭、下轭和两个旁柱共同构成三相电抗器屏蔽框的整体结构。
47.其中,上轭包括多层硅钢片叠积而成,其中,主轭1和旁轭2形成上轭的第一连接轭叠积层,固定轭7形成了上轭的第二连接轭叠积层,第一连接轭叠积层和第二连接轭叠积层
依次叠积,根据实际需求可以调节叠积层的层数,改变叠积的厚度。
48.参见图1至2,本实用新型公开了一种实施例,上轭与下轭结构相同,上轭和下轭均包括三层叠积层,参见图3,其中主轭1和旁轭2形成的叠积层在中间,固定轭7形成的叠积层分别压制在第一连接轭叠积层的两侧(主轭1和旁轭2形成的叠积层),图3中的剪头方向表示的是上轭的叠积方向,其中第一连接轭叠积层共包括两个主轭1和两个旁轭2,两个旁轭2位于上轭的两端,两个主轭1位于两个旁轭2的之间,两个主轭1为矩形,两个旁轭2均为梯形,两个主轭1之间设置有方孔9,每一个主轭1与相邻的旁轭2之间均设置有方孔9,同时,旁轭2远离主轭1一端的尖角被剪去,使得旁轭2的端部呈梯形结构,固定轭7的两端同样被削去一部分,固定轭7端部的梯形结构与旁轭2端部的梯形结构相同。
49.本实用新型实施例中,三相电抗器屏蔽框两侧的旁柱由多层硅钢片叠积而成,其中,第一旁柱3和第二旁柱4形成了第一连接柱叠积层,使第一连接柱叠积层为断片组成,第三旁柱5构成了旁柱的第二连接柱叠积层,第二连接柱叠积层为连续片组成,第一旁柱3和第二旁柱4长度之和等于第三旁柱5的长度,参见图4,在压制过程中,当一侧旁柱中的第一连接柱叠积层在奇数层,第二连接柱叠积层在偶数层时,另一侧旁柱中的第一连接柱叠积层则在偶数层,第二连接柱叠积层在基数层,反之亦然,图4中的剪头表示旁柱的叠积方向。两个旁柱中连续片和断片所在层数相反;其中,第一旁柱3和第二旁柱4为两个梯形结构,这种结构可以使得旁柱叠后的50%为梯形断片,50%为连续片,可以保证上轭在叠片后可以作为整体拆除,并尽可能减少此处接缝的磁阻。
50.本实用新型实施例中,主轭1、旁轭2、第一旁柱3、第二旁柱4第三旁柱5和固定轭7的材质均为硅钢片。
51.本实用新型实施例中,上轭和下轭的宽度大于左右两个旁柱的宽度,可以根据需求适当增加上轭和下轭的宽度,保持在旁柱宽度的不变的情况下,当上轭和下轭宽度增加,而旁柱的宽度保持不变时,连接缝8的斜度则会改变,连接缝8的的斜度可以调整为非45
°
,同时上轭和下轭的连接截面的面积也会随着宽度的增加而增加,从而降低了上轭磁密,可有效降低主轭处损耗与温升,这种结构可以保持旁柱的宽度不变,可有效缩减旁柱的硅钢片使用量,节省了成本。
52.本实用新型实施例中,上轭和旁柱宽度的比例为4:3。
53.参见图5,本实用新型实施例中连接轭与连接柱的角度也可以不等于45
°

54.本实用新型实施例在上轭、下轭、第一旁柱和第二旁柱的外侧壁上均设置有两条油道6,油道6在磁屏蔽框叠厚方向,提高了磁屏蔽框的散热效率,参见图3,油道6具体位于两层叠积层之间。
55.以上仅为本实用新型的优选实施例而已,并不用于限制本实用新型,对于本领域的技术人员来说,本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本实用新型的保护范围之内。
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