一种全相域射频天线的制作方法

文档序号:33266113发布日期:2023-02-21 19:32阅读:来源:国知局

技术特征:
1.一种全相域射频天线,其特征在于,所述全相域射频天线应用于大面积且较窄区域的射频信号的传输,所述全相域射频天线包括:基板、射频信号相位移模块和贴片天线,其中,所述基板包括发射面和反射面,所述反射面设有基板接地电阻,在所述基板的中央设有孔洞;所述射频信号相位移模块嵌合在所述孔洞中,所述射频信号相位移模块包括:第一3db混成耦合器、第二3db混成耦合器、第一衰减器、第二衰减器、第一连续相移器、第二连续相移器,其中,所述第一3db混成耦合器包括:信号输入端、第一接地电阻、第一串联起始端和第二串联起始端,第一串联路径经由所述第一串联起始端输出第一分配信号,第二串联路径经由所述第二串联起始端输出第二分配信号;所述第二3db混成耦合器包括:信号输出端、第二接地电阻、第一串联终止端和第二串联终止端,用于向量合成第一分配信号与所述第二分配信号;所述第一衰减器连接在所述第一串联起始端与所述第一串联终止端之间的所述第一串联路径中,用于衰减和截止所述第一分配信号;所述第二衰减器连接在所述第二串联起始端与所述第二串联终止端之间的所述第二串联路径中,用于衰减和截止所述第二分配信号;所述第一连续相移器连接在所述第一串联起始端与所述第一串联终止端之间的所述第一串联路径中,用于连续和非连续的调整所述第一分配信号的相位;所述第二连续相移器连接在所述第二串联起始端与所述第二串联终止端之间的所述第二串联路径中,用于连续和非连续调整所述第二分配信号之相位;其中,通过iq相位合成与连续相移变化的四象限分区模式产生全相域相移;所述贴片天线以四宫格划分四象限分区模式布局在所述基板的发射面上,所述第一3db混成耦合器的a、b接点分别连接到所述贴片天线的第一象限和第二象限,所述第二3db混成耦合器的a、b接点分别连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。2.如权利要求1所述的全相域射频天线,其特征在于,所述第一连续相移器与所述第二连续相移器具有0~90度的连续调控角度。3.如权利要求2所述的全相域射频天线,其特征在于,在所述第一象限的连续相移模式中,所述第一衰减器截止所述第一分配信号,所述第二连续相移器调整所述第二分配信号的相位0~90度。4.如权利要求2所述的全相域射频天线,其特征在于,在所述第三象限的连续相移模式中,所述第二衰减器截止第二分配信号,所述第一连续相移器调整所述第一分配信号的相位0~90度。5.如权利要求2所述的全相域射频天线,其特征在于,在所述第二象限的连续相移模式中,所述第一连续相移器固定所述第一分配信号的相位在90度,并以所述第一衰减器进行衰减调整,所述第二连续相移器固定所述第二分配信号的相位在0度,并以所述第二衰减器进行衰减调整,最终向量合成于所述第二3db混成耦合器。6.如权利要求2所述的全相域射频天线,其特征在于,在所述第四象限的连续相移模式中,所述第一连续相移器固定所述第一分配信号的相位在0度,并以所述第一衰减器进行衰
减调整,所述第二连续相移器固定所述第二分配信号的相位在90度,并以所述第二衰减器进行衰减调整,最终向量合成于所述第二3db混成耦合器。7.如权利要求1所述的全相域射频天线,其特征在于,所述贴片天线厚度为为6mm,且所述贴片天线之间的间距为4-6mm。8.如权利要求1所述的全相域射频天线,其特征在于,所述射频信号相位移模块工作在uhf频段,其中,所述uhf频段的范围位于800mhz至1000mhz之间。9.如权利要求1所述的全相域射频天线,其特征在于,所述基板为方形。

技术总结
本实用新型提出了一种全相域射频天线,包括:基板、射频信号相位移模块和贴片天线,其中,所述基板包括发射面和反射面,所述反射面设有基板接地电阻,在所述基板的中央设有孔洞;所述射频信号相位移模块嵌合在所述孔洞中,所述射频信号相位移模块包括:第一3dB混成耦合器、第二3dB混成耦合器、第一衰减器、第二衰减器、第一连续相移器、第二连续相移器;贴片天线以四宫格划分四象限分区模式布局在所述基板的发射面上,所述第一3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第一象限和第二象限,所述第二3dB混成耦合器的A、B接点分别连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。连接到所述贴片天线的第三象限和第四象限。


技术研发人员:田川
受保护的技术使用者:北京宏诚创新科技有限公司
技术研发日:2022.10.31
技术公布日:2023/2/20
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