1.一种修整光电晶体管的光敏度的方法，所述光电晶体管在基于晶圆的半导体工艺中生产且每个所述光电晶体管具有后侧的集电极(11)、嵌入所述集电极(11)中的基极(13)、嵌入所述基极(13)中的发射极(15)、以及前侧的金属化部，所述金属化部包括用于所述发射极(15)的至少一个接合焊盘(19)且特别是修整结构(25)，其中所述前侧的由所述金属化部覆盖的区域限定相应光电晶体管的光不敏感区域，并且所述前侧的无金属区域限定相应光电晶体管的光敏感区域，
2.如权利要求1所述的方法，
3.如权利要求2所述的方法，
4.如权利要求3所述的方法，
5.如权利要求3或4所述的方法，
6.如权利要求3至5中任一项所述的方法，
7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，
8.如权利要求7所述的方法，
9.如前述权利要求中任一项所述的方法，
10.如前述权利要求中任一项所述的方法，
11.一种光电晶体管，即修整后的光电晶体管，所述光电晶体管能够通过如前述权利要求中任一项所述的方法获得。
12.一种光电晶体管，所述光电晶体管在基于晶圆的半导体工艺中生产且所述光电晶体管的光敏度能够修整，所述光电晶体管具有后侧的集电极(11)、嵌入所述集电极(11)中的基极(13)、嵌入所述基极(13)中的发射极(15)、以及前侧的金属化部，所述金属化部包括用于所述发射极(15)的至少一个接合焊盘(19)且特别是修整结构(25)，其中所述前侧的由所述金属化部覆盖的区域限定所述光电晶体管的光不敏感区域，并且所述前侧的无金属区域限定所述光电晶体管的光敏感区域，其中集电极-发射极电流能够测量，并且其中能够根据所测量的集电极-发射极电流，通过改变由所述金属化部覆盖的区域的尺寸、特别是通过移除所述修整结构(25)的至少一部分来改变、特别是增加所述光敏感区域的尺寸。
13.一种光耦合器，包括光发射器和光接收器，其中所述光接收器配置成如权利要求11或12所述的光电晶体管。
14.一种如权利要求11或12所述的光电晶体管用于测量环境光亮度的用途、特别是用于设置机动车辆的仪表板照明和/或内部照明的亮度。