技术特征：
1.
一种磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
具有软磁物质的颗粒
。2.
根据权利要求1所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
具有所占比例大于或等于
10wt
％，优选大于或等于
20wt
％并且特别优选大于或等于
30wt
％的所述软磁物质的所述颗粒
。3.
根据权利要求1或2中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
具有小于或等于
10a/m
的矫顽场强，优选小于或等于
5a/m
的矫顽场强和特别优选小于或等于
3a/m
的矫顽场强
。4.
根据前述权利要求中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
具有小于或等于
0.1t
的剩磁，优选小于或等于
0.05t
的剩磁和特别优选小于或等于
0.02t
的剩磁
。5.
根据前述权利要求中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
具有大于或等于
1t
的饱和磁通密度，优选大于或等于
1.1t
的饱和磁通密度和特别优选大于或等于
1.2t
的饱和磁通密度
。6.
根据前述权利要求中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述颗粒具有大于或等于3μ
m
并且小于或等于
200
μ
m
的范围内的延伸，优选大于或等于4μ
m
并且小于或等于
100
μ
m
的范围内的延伸和特别优选大于或等于5μ
m
并且小于或等于
50
μ
m
的范围内的延伸
。7.
根据前述权利要求中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述软磁物质是金属玻璃
。8.
根据权利要求7所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述软磁物质具有纳米晶体结构
。9.
根据前述权利要求中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述软磁物质具有以下原子组成：
[fe
1-a
ni
a
]100-x-y-z-α-β-γ
cu
x
si
y
b
z
nb
α
m'
β
m"
γ
其中，
a≤0.3
，
0.6≤x≤1.5
，
10≤y≤17
，
5≤z≤14
，
2≤
α
≤6
，
β
≤7
，
γ
≤8
，其中
m'
是元素
v、cr、al
和
zn
中的至少一者，其中
m"
是元素
c、ge、p、ga、sb、in
和
be
中的至少一者
。10.
根据前述权利要求中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
具有基质材料，特别是树脂基基质材料
。11.
根据权利要求1至9中的一项所述的磁场敏感元件
(10)
，其特征在于，所述磁场敏感元件
(10)
烧结而成
。12.
一种使用软磁物质的颗粒制造磁场敏感元件
(10)
的方法，其特征在于以下步骤：-使用所述软磁物质的所述颗粒使得用于所述磁场敏感元件
(10)
的坯料成型；-使所述坯料回火和
/
或固化，以将其凝固成所述磁场敏感元件
(10)
；以及-对所述磁场敏感元件
(10)
进行脱模
。13.
根据权利要求
12
所述的方法，其特征在于，烧结所述磁场敏感元件
(10)。14.
根据权利要求
13
所述的方法，其特征在于，在所述成型与所述烧结之间和
/
或所述烧结期间，通过施加外力对所述坯料进行压制
。15.
根据权利要求
13
或
14
中的一项所述的方法，其特征在于，在大于或等于
400℃
并且
小于或等于
650℃
的范围内的温度下，优选在大于或等于
450℃
并且小于或等于
620℃
的范围内的温度下和特别优选在大于或等于
500℃
并且小于或等于
600℃
的范围内的温度下烧结所述磁场敏感元件
(10)。16.
根据权利要求
13
至
15
中的一项所述的方法，其特征在于，在大于或等于
15
秒并且小于或等于
1,800
秒的时间范围内，优选在大于或等于
30
秒并且小于或等于
900
秒的时间范围内和特别优选在大于或等于
45
秒并且小于或等于
600
秒的时间范围内烧结所述磁场敏感元件
(10)。17.
根据权利要求
12
所述的方法，其特征在于，除了所述软磁物质的颗粒外，还使用基质材料，特别是树脂基基质材料，使得所述坯料成型
。18.
根据权利要求
17
所述的方法，其特征在于，所述固化是通过所述基质材料的化学反应来进行的
。19.
根据权利要求
12
至
18
中的一项所述的方法，其特征在于，所述软磁物质的所述颗粒从带材中获得
。20.
一种磁场敏感元件
(10)
，所述磁场敏感元件利用根据权利要求
12
至
19
中的一项所述的方法制成
。21.
一种用于电扼流器的根据权利要求1至
12
中的一项和
/
或根据权利要求
20
所述的磁场敏感元件
(10)
的用途
。
技术总结
本发明涉及一种磁场敏感元件，其中该磁场敏感元件具有软磁物质的颗粒
技术研发人员：托马斯
受保护的技术使用者：曼特磁性器件有限公司
技术研发日：2022.03.23
技术公布日：2023/12/20