发光装置及包括该发光装置的电子设备的制作方法

文档序号:34897798发布日期:2023-07-26 04:25阅读:37来源:国知局
发光装置及包括该发光装置的电子设备的制作方法

本公开涉及发光装置和包括其的电子设备。


背景技术:

1、发光装置中的有机发光装置为自发射装置,其与现有技术中的装置相比,具有宽视角,高对比度,短响应时间,以及在亮度、驱动电压和响应速度方面的卓越的特性。

2、有机发光装置可包括:位于基板上的第一电极,和在第一电极上彼此依次堆叠的空穴传输区、发射层、电子传输区和第二电极。从第一电极提供的空穴通过空穴传输区朝着发射层移动,并且从第二电极提供的电子通过电子传输区朝着发射层移动。载流子,比如空穴和电子,在发射层中复合以产生激子。激子可从激发态跃迁至基态,因此生成光。

3、应理解,该背景技术章节部分旨在提供用于理解该技术的有用的背景。然而,该背景技术章节也可包括在本文公开的主题的相应有效申请日之前不是被相关领域的技术人员已知或理解的一部分的想法、概念或认知。


技术实现思路

1、实施方式涉及具有卓越的发光效率和长寿命的发光装置。

2、另外的方面将部分在如下的描述中陈述,并且部分将从描述中是显而易见的,或可通过呈现的本公开的实施方式的实践而了解到。

3、根据实施方式,提供了发光装置,其可包括第一电极,

4、面向第一电极的第二电极,和

5、在第一电极和第二电极之间的夹层,其中,

6、夹层可包括:包括电子阻挡层的空穴传输区,在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层,在第一发射层和第二电极之间的第二发射层,以及在第二发射层和第二电极之间的电子传输区,电子传输区包括空穴阻挡层,

7、第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率,

8、第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率,并且

9、在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。

10、在实施方式中,电子阻挡层可直接接触第一发射层,第一发射层可直接接触第二发射层,第二发射层可直接接触空穴阻挡层,或其任意组合。

11、在实施方式中,在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地在约1.70至约1.90的范围内。

12、在实施方式中,在450nm的波长下测量的第一发射层的折射率和第二发射层的折射率可各自独立地在约1.70至约2.30的范围内。

13、在实施方式中,在450nm的波长下测量的第一发射层的折射率可在约1.85至约2.30的范围内。

14、在实施方式中,第二发射层的折射率可等于或大于第一发射层的折射率。

15、在实施方式中,第一发射层和第二发射层可各自独立地发射最大发射波长在约450nm至约490nm的范围内的蓝光。

16、在实施方式中,第一发射层可包括第一主体和第一掺杂剂,第二发射层可包括第二主体和第二掺杂剂,并且第一主体和第二主体可彼此不同。

17、在实施方式中,电子阻挡层可包括含芳胺化合物。

18、在实施方式中,第一发射层可包括第一主体和第一掺杂剂,并且第一主体可包括含芘化合物;第二发射层可包括第二主体和第二掺杂剂,并且第二主体可包括含蒽化合物;或其任意组合。

19、在实施方式中,空穴阻挡层可包括含三嗪化合物。

20、根据实施方式,提供了发光装置,其可包括第一电极,

21、面向第一电极的第二电极,

22、位于第一电极和第二电极之间的m个发射部件,和

23、位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间的m-1个电荷生成层,其中,

24、m可为2或更大的整数,

25、m个发射部件中的每一个可包括发射层,

26、m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层,

27、m个发射部件中的至少一个可包括:包括电子阻挡层的空穴传输区,在电子阻挡层和第二电极之间的发射层,以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区,电子传输区包括空穴阻挡层,

28、在电子阻挡层和第二电极之间的发射层可包括:在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层,以及在第一发射层和第二电极之间的第二发射层,

29、第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率,

30、第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率,并且

31、在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。

32、在实施方式中,从m个发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长可不同于从其余发射部件中的至少一个发射的光的最大发射波长。

33、在实施方式中,m个发射部件中的至少一个可发射最大发射波长在约410nm至约490nm的范围内的蓝光。

34、在实施方式中,m个发射部件中的至少一个可发射最大发射波长在约490nm至约580nm的范围内的绿光。

35、在实施方式中,m个发射部件中的至少一个可包括量子点。

36、根据实施方式,提供了发光装置,其可包括:

37、位于第一子像素、第二子像素和第三子像素上的多个第一电极,

38、面向多个第一电极的第二电极;

39、位于多个第一电极和第二电极之间的m个发射部件,和

40、位于m个发射部件中的两个相邻发射部件之间的m-1个电荷生成层,其中,

41、m可为2或更大的整数,

42、m个发射部件中的每一个可包括发射层,

43、m-1个电荷生成层中的每一个可包括n型电荷生成层和p型电荷生成层,

44、m个发射部件中的至少一个可包括:包括电子阻挡层的空穴传输区,在电子阻挡层和第二电极之间的发射层,以及位于发射层和第二电极之间的电子传输区,电子传输区包括空穴阻挡层。

45、在电子阻挡层和第二电极之间的发射层可包括在电子阻挡层和第二电极之间的第一发射层以及在第一发射层和第二电极之间的第二发射层,

46、第一发射层的折射率可大于电子阻挡层的折射率,

47、第二发射层的折射率可等于或大于空穴阻挡层的折射率,并且

48、在450nm的波长下测量的电子阻挡层的折射率和空穴阻挡层的折射率可各自独立地为约1.70或更大。

49、在实施方式中,第一发射层可包括位于第一子像素上且发射第一颜色光的第一a发射层,位于第二子像素上且发射第二颜色光的第一b发射层,和位于第三子像素上且发射第三颜色光的第一c发射层。第二发射层可包括位于第一子像素上且发射第一颜色光的第二a发射层,位于第二子像素上且发射第二颜色光的第二b发射层,和位于第三子像素上且发射第三颜色光的第二c发射层。第一颜色光可为红光,第二颜色光可为绿光,并且第三颜色光可为蓝光。

50、根据实施方式,提供了可包括发光装置的电子设备。

51、根据实施方式,提供了电子设备,其可包括位于基板上的发光装置和位于从发光装置发射的光传播的至少一个方向上的颜色转换层,其中颜色转换层可包括量子点。

52、应理解,上面的实施方式仅以一般性和解释性的含义描述,并非出于限制目的,并且本公开不限于上述实施方式。

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