1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述缓冲腔室包括：
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述液体供应单元包括：
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述第二液体供应单元配置为供应所述第二液体，所述第二液体具有比由所述第一液体供应单元供应的所述第一液体更高的挥发性。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述第二液体供应单元配置为供应所述第二液体，所述第二液体为异丙醇ipa。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一液体供应单元配置为供应所述第一液体，所述第一液体为水。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室，并且
8.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室和所述单一式处理腔室，并且
9.根据权利要求2至6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括姿态改变处理浴，所述姿态改变处理浴定位在所述批量式处理浴与所述缓冲腔室之间，并且
10.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理装置，其中，所述单一式处理腔室包括：
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述传送机械手包括:
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述传送机械手，并且
13.根据权利要求4至6中任一项所述的基板处理装置，所述基板处理装置还包括控制器，所述控制器配置为控制所述缓冲腔室，并且
14.一种缓冲腔室，所述缓冲腔室包括：
15.根据权利要求14所述的缓冲腔室，其中，所述卡盘由控制单元控制、以约300rpm至约500rpm的速度旋转。
16.根据权利要求14所述的缓冲腔室，所述缓冲腔室还包括:
17.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述第一工艺处理单元包括：
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述缓冲腔室包括：
20.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述基板处理装置还包括多个单一式液体处理腔室，并且