1.一种双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述系统包括：电子源、电子加速电极、物镜、eds探测器、直接电子探测器、样品、样品台和控制单元；
2.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述物镜的内部极靴上设有打拿级，所述物镜探测口的内外两极靴的底端均设有反射锥。
3.根据权利要求2所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，设置在所述物镜探测口内极靴底端的反射锥包括板状段和锥状段，设于外极靴底端的反射锥为锥状，且两个反射锥的底端处于同一高度。
4.根据权利要求3所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述板状段为垂直设置。
5.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述eds探测器和/或所述直接电子探测器的尾端与伸缩结构连接，且跟随所述伸缩结构的伸缩动作斜向位移；
6.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述eds探测器设有准直器和电子捕集阱，所述准直器和所述电子捕集阱均设置在探头端，且所述准直器位于最外端；
7.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述直接电子探测器的前端设有栅网，所述栅网上施加有+250v～350v电压。
8.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述物镜与所述样品上表面的距离为5mm以内。
9.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述系统还包括se探测器，所述se探测器设置在所述物镜内环侧壁的近上端处；
10.根据权利要求1所述的双内置复合结构的探测系统，其特征在于，所述系统还包括cl荧光探测器，所述cl荧光探测器设置在所述样品的上方和所述物镜的下方；