1.一种p型硅片的扩散方法，其特征在于，包括以下扩散步骤：
2.根据权利要求1所述的p型硅片的扩散方法，其特征在于，在步骤s1中，所述制绒后的p型硅片具有金字塔绒面结构，所述金字塔的角锥度为45-60°。
3.根据权利要求1所述的p型硅片的扩散方法，其特征在于，在步骤s2中，所述氮气的流量为500-1000sccm，所述氧气的流量为1000-2000sccm，所述二氧化硅氧化层的厚度为2-5nm。
4.根据权利要求1所述的p型硅片的扩散方法，其特征在于，在步骤s3中，所述氮气的流量为200-500sccm，所述氧气的流量为500-900sccm，所述磷源的流量为1000-1500sccm；其中扩散后的所述p型硅片表面的磷掺杂浓度为3.0-3.5e+20cm-3。
5.根据权利要求1所述的p型硅片的扩散方法，其特征在于，在步骤s4中，所述磷原子浓度为高斯分布；所述升温时间为6-10min。
6.根据权利要求1所述的p型硅片的扩散方法，其特征在于，在步骤s4和步骤s5中，所述氮气的流量为1000-3000sccm。
7.根据权利要求1所述的p型硅片的扩散方法，其特征在于，在步骤s5中，扩散后的所述p型硅片的方阻为180-220ω。
8.一种perc太阳能电池片，其特征在于，包括由权利要求1-7任一项所述的p型硅片的扩散方法制成的p型硅片。
9.根据权利要求8所述的perc太阳能电池片，其特征在于，将所述perc太阳能电池片通过asic的pl检测仪进行pl检测。