用于Mini-LED的外延片及其制备方法、Mini-LED与流程

用于mini-led的外延片及其制备方法、mini-led
技术领域
1.本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及一种用于mini-led的外延片及其制备方法、mini-led。


背景技术：

2.目前，gan基发光二极管已经大量应用于固态照明领域以及显示领域，吸引越来越多的人关注。多量子阱层是发光二极管的发光区域，通常由ingan量子阱层和gan量子垒层周期性层叠而成，是发光二级管实现高效率、高亮度的关键。但是，通常量子阱层和量子垒层之间存在严重的晶格失配，导致压电极化电场，使得电子和空穴波函数在空间上重叠减小，辐射复合几率下降，二极管内量子效率下降。此外，在极化场效应下，注入不同大小的电流后，发光波长会产生偏移，从而引起显示色差，尤其是in组分更高的黄绿光，由于极化效应更大，在注入不同大小的电流后，发光波长偏移会更严重。
3.尺寸更小的mini-led是现在led显示、光通讯和光探测等领域的大趋势。由于mini-led尺寸小，对发光效率的要求也更高，并且使用电流变化更剧烈，所以对注入不同大小电流下波长一致性要求也更高。


技术实现要素：

4.本发明所要解决的技术问题在于，提供一种用于mini-led的外延片及其制备方法，其可提升mini-led的光效和波长一致性。
5.本发明还要解决的技术问题在于，提供一种mini-led，其光效高、波长一致性强。
6.为了解决上述问题，本发明公开了一种用于mini-led的外延片，包括衬底和依次设于所述衬底上的缓冲层、u-gan层、n-gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p-gan层，所述多量子阱层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层；所述量子垒层包括依次层叠的第一二维ingan层、三维gan层、二维gan层和第二二维ingan层；其中，所述第一二维ingan层中in组分的占比小于所述量子阱层中in组分的占比；所述第二二维ingan层中in组分的占比小于所述量子阱层中in组分的占比。
7.作为上述技术方案的改进，所述第一二维ingan层和所述第二二维ingan层中in组分的占比为0.01-0.1。
8.作为上述技术方案的改进，所述第一二维ingan层的厚度为0.5nm-2nm，所述第二二维ingan层的厚度为0.5nm-2nm，所述三维gan层的厚度为2nm-3nm，所述二维gan层的厚度为0.5nm-2nm。
9.作为上述技术方案的改进，所述三维gan层和所述二维gan层之间还设有algan层，所述algan层中al组分的占比为0.005-0.01。
10.作为上述技术方案的改进，所述algan层中al组分的占比为0.01-0.05，所述algan层厚度为3nm-5nm；所述第一二维ingan层中in组分的占比为0.02-0.15，所述第二二维ingan层中in
组分的占比为0.02-0.15。
11.相应的，本发明还公开了一种用于mini-led的外延片的制备方法，用于制备上述的用于mini-led的外延片，其包括：提供衬底，在所述衬底上依次生长缓冲层、u-gan层、n-gan层、多量子阱层、电子阻挡层和p-gan层；所述多量子阱层包括多个交替层叠的量子阱层和量子垒层，所述量子垒层包括依次层叠的第一二维ingan层、三维gan层、二维gan层和第二二维ingan层；其中，所述第一二维ingan层中in组分的占比小于所述量子阱层中in组分的占比；所述第二二维ingan层中in组分的占比小于所述量子阱层中in组分的占比。
12.作为上述技术方案的改进，所述第一二维ingan层生长时采用的v/iii比为600-1200，所述三维gan层生长时采用的v/iii比为100-300，所述二维gan层生长时采用的v/iii比为300-600，所述第二二维ingan层生长时采用的v/iii比为600-1200。
13.作为上述技术方案的改进，所述第一二维ingan层的生长温度为830℃-850℃，生长压力为100torr-150torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1；所述三维gan层的生长温度为750℃-800℃，生长压力为300torr-500torr，生长时采用的mo源为tmga，采用的载气为氮气；所述二维gan层的生长温度为870℃-930℃，生长压力为150torr-300torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1；所述第二二维ingan层的生长温度为830℃-850℃，生长压力为100torr-150torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1。
14.作为上述技术方案的改进，所述三维gan层和所述二维gan层之间还包括algan层，所述algan层生长时采用的v/iii比为300-600，生长温度为870℃-930℃，生长压力为150torr-300torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1。
15.相应的，本发明还公开了一种mini-led，其包括上述的用于mini-led的外延片。
16.实施本发明，具有如下有益效果：1. 本发明的用于mini-led的外延片中，量子垒层包括依次层叠的第一二维ingan层、三维gan层、二维gan层和第二二维ingan层；其中，第一二维ingan层中in组分的占比小于量子阱层中in组分的占比；第二二维ingan层中in组分的占比小于量子阱层中in组分的占比。本发明在与量子阱层连接的两端使用低in组分的ingan层，减少传统量子阱层与量子垒层直接接触产生的压应力，降低极化效应，增大电子和空穴波函数在空间上的重叠，提高了发光效率。此外，由于in原子的原子半径较大，ga原子的原子半径较小，量子垒层中的晶格常数先逐渐减小再逐渐增大，缓解了整个多量子阱区对外延层张应力，减少多量子阱区的能带倾斜，降低了极化效应，提高了发光效率。并且，由于能带倾斜的减少，可以减少注入不同大小电流时波长产生的偏移。
17.2. 本发明的用于mini-led的外延片中，三维gan层和二维gan层之间还包括algan层。一者，由于al原子小于ga原子，并且al-n共价键强度强于ga-n键，更有利于保持晶格完
整性，得到晶格质量好的量子垒层，减少了多量子阱区缺陷，减少了多量子阱区的非辐射复合，增加了多量子阱区的发光效率。二者，引入algan层后，量子垒层形成了依次层叠的第一二维ingan层、三维gan层、algan层、二维gan层和第二二维ingan层的结构，由于in原子的原子半径最大，ga原子次之，al原子最小，进一步细化了量子垒层中的晶格常数逐渐减小再逐渐增大的趋势，缓解了整个多量子阱区对外延层张应力，减少多量子阱区的能带倾斜，以降低极化效应，提高发光效率，并且由于能带倾斜的减少，可以减少注入不同大小电流时波长产生的偏移。
附图说明
18.图1是本发明一实施例中用于mini-led的外延片的结构示意图；图2是本发明一实施例中量子垒层的结构示意图；图3是本发明另一实施例中量子垒层的结构示意图；图4是本发明一实施例中用于mini-led的外延片的制备方法流程图。
具体实施方式
19.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面对本发明作进一步地详细描述。
20.参考图1和图2，本发明公开了一种用于mini-led的外延片，包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、u-gan层3、n-gan层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p-gan层7。其中，多量子阱层5包括多个交替层叠的量子阱层51和量子垒层52，堆叠周期数为3-15个。
21.其中，量子垒层52包括依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、二维gan层523和第二二维ingan层524。具体的，第一二维ingan层521中in组分的占比小于量子阱层51中in组分的占比；第二二维ingan层524中in组分的占比小于量子阱层51中in组分的占比。传统结构量子阱层生长结束后，由于高in组分导致晶体质量很差，具有非常多的缺陷，导致极化效应强，降低了发光效率。本发明在与量子阱层51连接的两端使用低in组分的ingan层，减少传统量子阱层与量子垒层直接接触产生的压应力，降低极化效应，增大电子和空穴波函数在空间上的重叠，提高发光效率。此外，由于in原子的原子半径较大，ga原子的原子半径较小，量子垒层中的晶格常数先逐渐减小再逐渐增大，缓解了整个多量子阱区对外延层张应力，减少多量子阱区的能带倾斜，降低了极化效应，提高了发光效率。并且，由于能带倾斜的减少，可以减少注入不同大小电流时波长产生的偏移。
22.具体的，第一二维ingan层521和第二二维ingan层524中in组分的占比为0.01-0.1，示例性的，第一二维ingan层521和第二二维ingan层524中in组分的占比为0.02、0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09，但不限于此。
23.具体的，第一二维ingan层521的厚度为0.5nm-2nm，当其厚度＜0.5nm时，过渡作用较弱；当其厚度＞2nm时，量子垒层52的极化效应强，发光效率低。示例性的，第一二维ingan层521的厚度为0.6nm、0.8nm、1.0nm、1.2nm、1.4nm、1.6nm、1.8nm，但不限于此。
24.其中，第二二维ingan层524的厚度为0.5nm-2nm，当其厚度＜0.5nm时，难以起到有效过渡作用；当其厚度＞2nm时，量子垒层52的极化效应强，发光效率低。示例性的，第二二维ingan层524的厚度为0.6nm、0.8nm、1.0nm、1.2nm、1.4nm、1.6nm、1.8nm，但不限于此。
25.其中，三维gan层522的厚度为2nm-3nm，当其厚度＜2nm时，难以获得尺寸较大、具有较好c轴取向的gan晶种，无法良好的降低螺旋错位的密度；当其厚度＞3nm时，会导致三维gan层522的均匀性较差。示例性的，三维gan层522的厚度为2.2nm、2.4nm、2.6nm、2.8nm，但不限于此。
26.其中，二维gan层523的厚度为0.5nm-2nm，当其厚度＜0.5nm时，难以与三维gan层522之间形成位错和缺陷的相互作用，无法使得位错在三维岛聚合界面处发生扭曲和湮灭；当其厚度＞2nm时，会带来过多的缺陷，降低发光效率。示例性的，二维gan层523的厚度为0.6nm、0.8nm、1.0nm、1.2nm、1.4nm、1.6nm、1.8nm，但不限于此。
27.优选的，参考图3，在本发明的一个实施例中，三维gan层522和二维gan层523之间还包括algan层525。基于这种设置，量子垒层52为依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、algan层525、二维gan层523、第二二维ingan层524，一者，由于al原子小于ga原子，并且al-n共价键强度强于ga-n键，更有利于保持晶格完整性，得到晶格质量较好的量子垒层52，减少多量子阱层5内缺陷，减少多量子阱层5的非辐射复合，增加发光效率。二者，由于in原子的原子半径最大，ga原子次之，al原子最小，进一步细化了量子垒层52中的晶格常数逐渐减小再逐渐增大的趋势，缓解了整个多量子阱区对外延层张应力，减少多量子阱区的能带倾斜，以降低极化效应，提高发光效率，并且由于能带倾斜的减少，可以减少注入不同大小电流时波长产生的偏移。
28.具体的，在本发明的一个实施例中，algan层525中al组分的占比为0.005-0.01，示例性的，algan层525中al组分的占比为0.006、0.007、0.008、0.009，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例中，algan层525中al组分的占比为0.01-0.05，基于这种设置，更有利于保持晶格完整性，得到晶格质量好的量子垒层，也进一步提升了第一二维ingan层521、第二二维ingan层524中的in组分占比。具体的，第一二维ingan层521和第二二维ingan层524中in组分的占比为0.02-0.15，示例性的为0.03、0.04、0.05、0.06、0.07、0.08、0.09、0.10、0.11、0.12、0.13、0.14，但不限于此。
29.其中，algan层525的厚度为3nm-5nm，示例性的，algan层525的厚度为3.2nm、3.4nm、3.6nm、3.8nm、4.0nm、4.2nm、4.4nm、4.6nm、4.8nm，但不限于此。
30.其中，量子阱层51为ingan层，但不限于此。量子阱层51中in组分占比为0.2-0.3（大于第一二维ingan层521、第二二维ingan层524中的in组分占比），示例性的为0.21、0.22、0.23、0.24、0.25、0.26、0.27、0.28、0.29，但不限于此。需要说明的是，本发明对于波长更长，in组分更高的黄绿光，发光效率提升和波长偏移减少效果更明显。其中，量子阱层51的厚度为2nm-5nm，示例性的为2.5nm、3.0nm、3.5nm、4.0nm、4.5nm，但不限于此。
31.其中，衬底1可为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底，但不限于此。
32.其中，缓冲层2可为aln层和/或algan层，但不限于此。缓冲层2的厚度为20nm-100nm，示例性的为30nm、40nm、50nm、60nm、70nm、80nm或90nm，但不限于此。
33.其中，u-gan层3的厚度300nm-800nm，示例性的为350nm、400nm、450nm、500nm、550nm、600nm、650nm、700nm或750nm，但不限于此。
34.其中，n-gan层4的掺杂元素为si，但不限于此。n-gan层4的掺杂浓度为5
×
10
18
cm-3-1
×
10
19
cm-3
，厚度为1μm-3μm。
35.其中，电子阻挡层6为algan层或alingan层，但不限于此。优选的，在本发明的一个
实施例之中，电子阻挡层6为alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层交替生长的周期性结构，周期数为3-15；其中，a为0.05-0.2，b为0.1-0.5。电子阻挡层6的厚度为20nm-100nm。
36.其中，p-gan层7中的掺杂元素为mg，但不限于此。p-gan层7中mg的掺杂浓度为5
×
10
17
cm-3-1
×
10
20
cm-3
。p-gan层7的厚度为200nm-300nm。
37.相应的，参考图4，本技术还公开了一种用于mini-led的外延片的制备方法，用于制备上述的用于mini-led的外延片，其包括以下步骤：s100：提供衬底；具体的，该衬底为蓝宝石衬底、硅衬底、碳化硅衬底，但不限于此。优选的为蓝宝石衬底。
38.优选的，在本发明的一个实施例之中，将衬底加载至mocvd中，在1000℃-1200℃、200torr-600torr、氢气气氛下退火5min-8min，以去除衬底表面的颗粒、氧化物等杂质。
39.s200：在衬底上生长缓冲层；具体的，可采用mocvd生长algan层作为缓冲层，或采用pvd生长aln层作为缓冲层，但不限于此。优选的，采用mocvd生长algan层，其生长温度为500℃-700℃，生长压力为200torr-400torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。
40.s300：在缓冲层上生长u-gan层；具体地，在mocvd中生长u-gan层，生长温度为1100℃-1150℃，生长压力为100torr-500torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
41.s400：在u-gan层上生长n-gan层；具体的，在mocvd中生长n-gan层，生长温度为1100℃-1150℃，生长压力为100torr-500torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入sih4作为n型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
42.s500：在n-gan层上生长多量子阱层；具体的，在mocvd中周期性生长量子阱层和量子垒层，以形成多量子阱层。其中，量子阱层的生长温度为700℃-800℃，生长压力为100torr-500torr，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2作为载气，通入tega作为ga源，通入tmin作为in源。
43.具体的，在本发明的一个实施例之中，生长量子垒层包括以下步骤：s1：在量子阱上生长第一二维ingan层；具体的，在mocvd中生长第一二维ingan层。其生长条件与本领域常见的ingan层的生长条件相同。本领域技术人员知晓，由于量子阱层已经形成了二维生长，因此，在此步骤中，采用现有技术即可形成良好的二维生长。
44.优选的，在本发明的一个实施例之中，第一二维ingan层的生长温度为830℃-850℃，生长压力为100torr-150torr，v/iii比为600-1200；生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
45.通过较低的生长温度，保护量子阱中的in组分，有利于in的并入；在较低的生长温度下，nh3的裂解率相对偏低，因此采用高v/iii比保证第一二维ingan层生长质量更好，表
面更平整；通过低的生长压力，使得第一二维ingan层尽量横向生长成平滑表面，减少量子垒层的晶格失配；采用tega作为mo源，由于tega长速慢，使得第一二维ingan层更容易二维生长；采用氢气和氮气的混合气作为载气，有利于第一二维ingan层横向生长。
46.s2：在第一二维ingan层上生长三维gan层；具体的，可通过mocvd生长-icp刻蚀的工艺形成三维gan层，但不限于此。优选的，在本发明的一个实施例之中，在mocvd中生长三维gan层，三维gan层的生长温度为750℃-800℃，生长压力为300torr-500torr，v/iii比为100-300；生长时采用的mo源为tmga，采用的载气为氮气，通入nh3作为n源。
47.三维gan层的生长温度很低，有利于其纵向生长；通过高的生长压力，获得尺寸较大且均匀的、具有较好c轴去向的gan晶种，降低螺旋位错的密度；基于低的v/iii比，使得三维gan层更倾向于三维生长。采用tmga作为mo源，由于tmga长速快，使得三维gan层更容易纵向生长；采用氮气作为载气，有利于三维gan层纵向生长。
48.s3：在三维gan层上生长algan层；具体的，在mocvd中生长algan层，其生长条件与本领域常见的algan层的生长条件相同。优选的，在本发明的一个实施例之中，algan层生长温度为870℃-930℃，生长压力为150torr-300torr，v/iii比为300-600；生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1，通入tmal作为al源，通入nh3作为n源。
49.algan层的生长温度较高，有利于提高多量子阱区晶格质量；采用较高的v/iii比，使得algan层横向生长速率大于纵向生长速率，有利于位错在三维岛聚合界面处发生扭曲和湮灭；采用较低的生长压力，tega为mo源，氢气和氮气的混合气为载气，使得algan层尽量横向生长，增强位错与缺陷的相互作用，减少多量子阱内的位错缺陷。
50.s4：在algan层上生长二维gan层；具体的，在mocvd中生长二维gan层。其生长条件与本领域常见的gan层的生长条件相同。优选的，在本发明的一个实施例之中，二维gan层的生长温度为870℃-930℃，生长压力为150torr-300torr，v/iii比为300-600，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1，通入nh3作为n源。
51.二维gan层通过较高的生长温度，有利于提高晶格质量；采用较高的v/iii比，使得二维gan层横向生长速率大于纵向生长速率，进一步减少位错缺陷；采用较低的生长压力，tega为mo源，氢气和氮气的混合气为载气，进一步增强位错与缺陷的相互作用，同时为第二二维ingan层的生长做准备。
52.s5：在二维gan层上生长第二二维ingan层；具体的，在mocvd中生长第二二维ingan层。其生长条件与本领域常见的ingan层生长条件相同。优选的，在本发明的一个实施例之中，第二二维ingan层生长温度为830℃-850℃，生长压力为100torr-150torr，v/iii比600-1200，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为（0.5-2）:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
53.通过较低的生长温度，保护量子阱中的in组分，有利于in的并入，并且在较低的生长温度下，nh3的裂解率相对偏低，因此采用高v/iii比保证第二二维ingan层生长质量更好，表面更平整；通过低的生长压力，tega为mo源，氢气和氮气的混合气为载气，使得第二二
维ingan层尽量横向生长，起到良好的过渡作用，减少传统量子阱层与量子垒层直接接触产生的压应力，降低极化效应。
54.s600：在多量子阱层上生长电子阻挡层；具体的，在mocvd中周期性生长alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层，作为电子阻挡层。其中，alaga
1-a
n层的生长温度900℃-1000℃，生长压力为100torr-500torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。inbga
1-b
n层的生长温度900℃-1000℃，生长压力为100torr-500torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmin作为in源，通入tmga作为ga源。
55.s700：在电子阻挡层上生长p-gan层；具体的，在mocvd中生长p-gan层，生长温度为800℃-1000℃，生长压力为100torr-300torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入cp2mg作为p型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
56.下面以具体实施例对本发明进行进一步说明：实施例1本实施例提供一种用于mini-led的外延片，参考图1、图2，其包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、u-gan层3、n-gan层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p-gan层7。
57.其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为algan层，其厚度为30nm；u-gan层3的厚度400nm。n-gan层4中si的掺杂浓度为7
×
10
18
cm-3
，其厚度为2μm。
58.其中，多量子阱层5包括交替层叠的量子阱层51和量子垒层52，堆叠周期数为10个。每个量子垒层52包括依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、二维gan层523和第二二维ingan层524。
59.其中，量子阱层为ingan层，in组分占比为0.2，单层厚度为3.0nm。
60.其中，第一二维ingan层521中in组分占比为0.09，厚度为1nm；三维gan层522厚度为2nm；二维gan层523的厚度为1nm；第二二维ingan层524中in组分占比为0.09，厚度为1nm。
61.其中，电子阻挡层6为alaga
1-a
n层（a=0.12）和inbga
1-b
n层（b=0.3）交替生长的周期性结构，其周期数为8，单个alaga
1-a
n层的厚度为6nm，单个inbga
1-b
n层的厚度为6nm。p-gan层7的掺杂元素为mg，掺杂浓度为3.5
×
10
19
cm-3
，厚度为240nm。
62.本实施例中用于mini-led的外延片的制备方法，包括以下步骤：（1）提供衬底；将衬底加载至mocvd中，在1120℃、400torr、氢气气氛下退火6min。
63.（2）在衬底上生长缓冲层；具体的，采用mocvd生长algan层，生长温度为620℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。
64.（3）在缓冲层上生长u-gan层；具体地，采用mocvd生长u-gan层，生长温度为1100℃，生长压力为250tor，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
65.（4）在u-gan层上生长n-gan层；具体地，采用mocvd生长n-gan层，生长温度为1120℃，生长压力为150torr；生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入sih4作为n型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入
tmga作为ga源。
66.（5）在n-gan层上生长多量子阱层；具体的，在mocvd中周期性生长量子阱层和量子垒层，得到多量子阱层；其中，量子阱层的生长温度为750℃，生长压力为300torr，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2作为载气，通入tega作为ga源，通入tmin作为in源。
67.每个量子垒层的制备方法为：（ⅰ）生长第一二维ingan层；具体的，采用mocvd生长ingan层，作为第一二维ingan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
68.（ⅱ）在第一二维ingan层上生长三维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为三维gan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
69.（ⅲ）在三维gan层上生长二维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为二维gan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
70.（ⅳ）在二维gan层上生长第二二维ingan层；具体的，在mocvd中生长ingan层，作为第二二维ingan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
71.（6）在多量子阱层上生长电子阻挡层；具体的，在mocvd中周期性生长alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层，作为电子阻挡层。其中，alaga
1-a
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。inbga
1-b
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmin作为in源，通入tmga作为ga源。
72.（7）在电子阻挡层上生长p-gan层；具体的，在mocvd中生长p-gan层，生长温度为900℃，生长压力为200torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入cp2mg作为p型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
73.实施例2本实施例提供一种用于mini-led的外延片，参考图1和图3，其包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、u-gan层3、n-gan层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p-gan层7。
74.其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为algan层，其厚度为30nm；u-gan层3的厚度400nm。n-gan层4中si的掺杂浓度为7
×
10
18
cm-3
，其厚度为2μm。
75.其中，多量子阱层5包括交替层叠的量子阱层51和量子垒层52，堆叠周期数为10个。每个量子垒层52包括依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、algan层525、二维gan层523和第二二维ingan层524。
76.其中，量子阱层为ingan层，in组分占比为0.2，单层厚度为3.0nm。
77.其中，第一二维ingan层521中in组分占比为0.09，厚度为1nm；三维gan层522厚度为2nm；algan层525中al组分占比为0.009，厚度为4nm；二维gan层523的厚度为1nm；第二二维ingan层524中in组分占比为0.09，厚度为1nm。
78.其中，电子阻挡层6为alaga
1-a
n层（a=0.12）和inbga
1-b
n层（b=0.3）交替生长的周期性结构，其周期数为8，单个alaga
1-a
n层的厚度为6nm，单个inbga
1-b
n层的厚度为6nm。p-gan层7的掺杂元素为mg，掺杂浓度为3.5
×
10
19
cm-3
，厚度为240nm。
79.本实施例中用于mini-led的外延片的制备方法，包括以下步骤：（1）提供衬底；将衬底加载至mocvd中，在1120℃、400torr、氢气气氛下退火6min。
80.（2）在衬底上生长缓冲层；具体的，采用mocvd生长algan层，生长温度为620℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。
81.（3）在缓冲层上生长u-gan层；具体地，采用mocvd生长u-gan层，生长温度为1100℃，生长压力为250tor，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
82.（4）在u-gan层上生长n-gan层；具体地，采用mocvd生长n-gan层，生长温度为1120℃，生长压力为150torr；生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入sih4作为n型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
83.（5）在n-gan层上生长多量子阱层；具体的，在mocvd中周期性生长量子阱层和量子垒层，得到多量子阱层；其中，量子阱层的生长温度为750℃，生长压力为300torr，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2作为载气，通入tega作为ga源，通入tmin作为in源。
84.每个量子垒层的制备方法为：（ⅰ）生长第一二维ingan层；具体的，采用mocvd生长ingan层，作为第一二维ingan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
85.（ⅱ）在第一二维ingan层上生长三维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为三维gan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
86.（ⅲ）在三维gan层上生长algan层；具体的，在mocvd中生长algan层。algan层生长时采用的v/iii比为500。algan层的
生长温度为850℃，生长压力为250torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmal作为al源，通入nh3作为n源。
87.（ⅳ）在algan层上生长二维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为二维gan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
88.（
ⅴ
）在二维gan层上生长第二二维ingan层；具体的，在mocvd中生长ingan层，作为第二二维ingan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
89.（6）在多量子阱层上生长电子阻挡层；具体的，在mocvd中周期性生长alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层，作为电子阻挡层。其中，alaga
1-a
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。inbga
1-b
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmin作为in源，通入tmga作为ga源。
90.（7）在电子阻挡层上生长p-gan层；具体的，在mocvd中生长p-gan层，生长温度为900℃，生长压力为200torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入cp2mg作为p型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
91.实施例3本实施例提供一种用于mini-led的外延片，参考图1和图3，其包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、u-gan层3、n-gan层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p-gan层7。
92.其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为algan层，其厚度为30nm；u-gan层3的厚度400nm。n-gan层4中si的掺杂浓度为7
×
10
18
cm-3
，其厚度为2μm。
93.其中，多量子阱层5包括交替层叠的量子阱层51和量子垒层52，堆叠周期数为10个。每个量子垒层52包括依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、algan层525、二维gan层523和第二二维ingan层524。
94.其中，量子阱层为ingan层，in组分占比为0.28，单层厚度为3.0nm。
95.其中，第一二维ingan层521中in组分占比为0.12，厚度为1nm；三维gan层522厚度为2nm；algan层525中al组分占比为0.025，厚度为4nm；二维gan层523的厚度为1nm；第二二维ingan层524中in组分占比为0.12，厚度为1nm。
96.其中，电子阻挡层6为alaga
1-a
n层（a=0.12）和inbga
1-b
n层（b=0.3）交替生长的周期性结构，其周期数为8，单个alaga
1-a
n层的厚度为6nm，单个inbga
1-b
n层的厚度为6nm。p-gan层7的掺杂元素为mg，掺杂浓度为3.5
×
10
19
cm-3
，厚度为240nm。
97.本实施例中用于mini-led的外延片的制备方法，包括以下步骤：（1）提供衬底；将衬底加载至mocvd中，在1120℃、400torr、氢气气氛下退火6min。
98.（2）在衬底上生长缓冲层；
具体的，采用mocvd生长algan层，生长温度为620℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。
99.（3）在缓冲层上生长u-gan层；具体地，采用mocvd生长u-gan层，生长温度为1100℃，生长压力为250tor，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
100.（4）在u-gan层上生长n-gan层；具体地，采用mocvd生长n-gan层，生长温度为1120℃，生长压力为150torr；生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入sih4作为n型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
101.（5）在n-gan层上生长多量子阱层；具体的，在mocvd中周期性生长量子阱层和量子垒层，得到多量子阱层；其中，量子阱层的生长温度为750℃，生长压力为300torr，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2作为载气，通入tega作为ga源，通入tmin作为in源。
102.每个量子垒层的制备方法为：（ⅰ）生长第一二维ingan层；具体的，采用mocvd生长ingan层，作为第一二维ingan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
103.（ⅱ）在第一二维ingan层上生长三维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为三维gan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
104.（ⅲ）在三维gan层上生长algan层；具体的，在mocvd中生长algan层。algan层生长时采用的v/iii比为500。algan层的生长温度为850℃，生长压力为250torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmal作为al源，通入nh3作为n源。
105.（ⅳ）在algan层上生长二维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为二维gan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
106.（
ⅴ
）在二维gan层上生长第二二维ingan层；具体的，在mocvd中生长ingan层，作为第二二维ingan层。生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
107.（6）在多量子阱层上生长电子阻挡层；具体的，在mocvd中周期性生长alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层，作为电子阻挡层。其中，
alaga
1-a
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。inbga
1-b
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmin作为in源，通入tmga作为ga源。
108.（7）在电子阻挡层上生长p-gan层；具体的，在mocvd中生长p-gan层，生长温度为900℃，生长压力为200torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入cp2mg作为p型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
109.实施例4本实施例提供一种用于mini-led的外延片，参考图1和图3，其包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、u-gan层3、n-gan层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p-gan层7。
110.其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为algan层，其厚度为30nm；u-gan层3的厚度400nm。n-gan层4中si的掺杂浓度为7
×
10
18
cm-3
，其厚度为2μm。
111.其中，多量子阱层5包括交替层叠的量子阱层51和量子垒层52，堆叠周期数为10个。每个量子垒层52包括依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、algan层525、二维gan层523和第二二维ingan层524。
112.其中，量子阱层为ingan层，in组分占比为0.28，单层厚度为3.0nm。
113.其中，第一二维ingan层521中in组分占比为0.12，厚度为1nm；三维gan层522厚度为2nm；algan层525中al组分占比为0.025，厚度为4nm；二维gan层523的厚度为1nm；第二二维ingan层524中in组分占比为0.12，厚度为1nm。
114.其中，电子阻挡层6为alaga
1-a
n层（a=0.12）和inbga
1-b
n层（b=0.3）交替生长的周期性结构，其周期数为8，单个alaga
1-a
n层的厚度为6nm，单个inbga
1-b
n层的厚度为6nm。p-gan层7的掺杂元素为mg，掺杂浓度为3.5
×
10
19
cm-3
，厚度为240nm。
115.本实施例中用于mini-led的外延片的制备方法，包括以下步骤：（1）提供衬底；将衬底加载至mocvd中，在1120℃、400torr、氢气气氛下退火6min。
116.（2）在衬底上生长缓冲层；具体的，采用mocvd生长algan层，生长温度为620℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。
117.（3）在缓冲层上生长u-gan层；具体地，采用mocvd生长u-gan层，生长温度为1100℃，生长压力为250tor，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
118.（4）在u-gan层上生长n-gan层；具体地，采用mocvd生长n-gan层，生长温度为1120℃，生长压力为150torr；生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入sih4作为n型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
119.（5）在n-gan层上生长多量子阱层；具体的，在mocvd中周期性生长量子阱层和量子垒层，得到多量子阱层；其中，量子阱层的生长温度为750℃，生长压力为300torr，生长时，在mocvd反应室
中通入nh3作为n源，以n2作为载气，通入tega作为ga源，通入tmin作为in源。
120.每个量子垒层的制备方法为：（ⅰ）生长第一二维ingan层；具体的，采用mocvd生长ingan层，作为第一二维ingan层。生长时采用的v/iii比为1000，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
121.（ⅱ）在第一二维ingan层上生长三维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为三维gan层。生长时采用的v/iii比为200，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
122.（ⅲ）在三维gan层上生长algan层；具体的，在mocvd中生长algan层。algan层生长时采用的v/iii比为400。algan层的生长温度为850℃，生长压力为250torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmal作为al源，通入nh3作为n源。
123.（ⅳ）在algan层上生长二维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为二维gan层。生长时采用的v/iii比为400，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
124.（
ⅴ
）在二维gan层上生长第二二维ingan层；具体的，在mocvd中生长ingan层，作为第二二维ingan层。生长时采用的v/iii比为1000，生长温度为850℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
125.（6）在多量子阱层上生长电子阻挡层；具体的，在mocvd中周期性生长alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层，作为电子阻挡层。其中，alaga
1-a
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。inbga
1-b
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmin作为in源，通入tmga作为ga源。
126.（7）在电子阻挡层上生长p-gan层；具体的，在mocvd中生长p-gan层，生长温度为900℃，生长压力为200torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入cp2mg作为p型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
127.实施例5本实施例提供一种用于mini-led的外延片，参考图1和图3，其包括衬底1和依次设于衬底1上的缓冲层2、u-gan层3、n-gan层4、多量子阱层5、电子阻挡层6和p-gan层7。
128.其中，衬底1为蓝宝石衬底，缓冲层2为algan层，其厚度为30nm；u-gan层3的厚度400nm。n-gan层4中si的掺杂浓度为7
×
10
18
cm-3
，其厚度为2μm。
129.其中，多量子阱层5包括交替层叠的量子阱层51和量子垒层52，堆叠周期数为10个。每个量子垒层52包括依次层叠的第一二维ingan层521、三维gan层522、algan层525、二维gan层523和第二二维ingan层524。
130.其中，量子阱层为ingan层，in组分占比为0.28，单层厚度为3.0nm。
131.其中，第一二维ingan层521中in组分占比为0.12，厚度为1nm；三维gan层522厚度为2nm；algan层525中al组分占比为0.025，厚度为4nm；二维gan层523的厚度为1nm；第二二维ingan层524中in组分占比为0.12，厚度为1nm。
132.其中，电子阻挡层6为alaga
1-a
n层（a=0.12）和inbga
1-b
n层（b=0.3）交替生长的周期性结构，其周期数为8，单个alaga
1-a
n层的厚度为6nm，单个inbga
1-b
n层的厚度为6nm。p-gan层7的掺杂元素为mg，掺杂浓度为3.5
×
10
19
cm-3
，厚度为240nm。
133.本实施例中用于mini-led的外延片的制备方法，包括以下步骤：（1）提供衬底；将衬底加载至mocvd中，在1120℃、400torr、氢气气氛下退火6min。
134.（2）在衬底上生长缓冲层；具体的，采用mocvd生长algan层，生长温度为620℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。
135.（3）在缓冲层上生长u-gan层；具体地，采用mocvd生长u-gan层，生长温度为1100℃，生长压力为250tor，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
136.（4）在u-gan层上生长n-gan层；具体地，采用mocvd生长n-gan层，生长温度为1120℃，生长压力为150torr；生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入sih4作为n型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
137.（5）在n-gan层上生长多量子阱层；具体的，在mocvd中周期性生长量子阱层和量子垒层，得到多量子阱层；其中，量子阱层的生长温度为750℃，生长压力为300torr，生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2作为载气，通入tega作为ga源，通入tmin作为in源。
138.每个量子垒层的制备方法为：（ⅰ）生长第一二维ingan层；具体的，采用mocvd生长ingan层，作为第一二维ingan层。生长时采用的v/iii比为1000，生长温度为840℃，生长压力为120torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
139.（ⅱ）在第一二维ingan层上生长三维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为三维gan层。生长时采用的v/iii比为200，生长温度为770℃，生长压力为400torr。生长时，在mocvd反应室中通入tmga作为ga源，采用的载气为氮气，通入nh3作为n源。
140.（ⅲ）在三维gan层上生长algan层；具体的，在mocvd中生长algan层。algan层生长时采用的v/iii比为400。algan层的
生长温度为900℃，生长压力为200torr，生长时采用的mo源为tega，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmal作为al源，通入nh3作为n源。
141.（ⅳ）在algan层上生长二维gan层；具体的，在mocvd中生长gan层，作为二维gan层。生长时采用的v/iii比为400，生长温度为900℃，生长压力为200torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入nh3作为n源。
142.（
ⅴ
）在二维gan层上生长第二二维ingan层；具体的，在mocvd中生长ingan层，作为第二二维ingan层。生长时采用的v/iii比为1000，生长温度为840℃，生长压力为120torr。生长时，在mocvd反应室中通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
143.（6）在多量子阱层上生长电子阻挡层；具体的，在mocvd中周期性生长alaga
1-a
n层和inbga
1-b
n层，作为电子阻挡层。其中，alaga
1-a
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmal作为al源，通入tmga作为ga源。inbga
1-b
n层的生长温度950℃，生长压力为250torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，以n2和h2作为载气，通入tmin作为in源，通入tmga作为ga源。
144.（7）在电子阻挡层上生长p-gan层；具体的，在mocvd中生长p-gan层，生长温度为900℃，生长压力为200torr。生长时，在mocvd反应室中通入nh3作为n源，通入cp2mg作为p型掺杂源；以h2和n2作为载气，通入tmga作为ga源。
145.对比例1本对比例提供一种用于mini-led的外延片，其与实施例1的区别在于，量子垒层52为gan层，厚度为5nm，生长时采用的v/iii比为500，生长温度为850℃，生长压力为250torr，通入tega作为ga源，采用的载气为氢气和氮气的混合气，其中氢气和氮气的体积比为1:1，通入tmin作为in源，通入nh3作为n源。
146.对比例2本对比例提供一种用于mini-led的外延片，其与实施例1的区别在于，第一二维ingan层中in组分的占比为0.21；第二二维ingan层中in组分的占比为0.21，其余均与实施例1相同。
147.对比例3本对比例提供一种用于mini-led的外延片，其与实施例1的区别在于，量子垒层52中不包括第一二维ingan层521和第二二维ingan层524。相应的，在制备方法中，也不设置以上两个层的制备步骤，其余均与实施例1相同。
148.对比例4本对比例提供一种用于mini-led的外延片，其与实施例1的区别在于，量子垒层52中不包括第一二维ingan层521。相应的，在制备方法中，也不设置该层的制备步骤，其余均与实施例1相同。
149.对比例5
本对比例提供一种用于mini-led的外延片，其与实施例1的区别在于，量子垒层52中不包括第二二维ingan层524。相应的，在制备方法中，也不设置该层的制备步骤，其余均与实施例1相同。
150.将实施例1-5，对比例1-5所得的用于mini-led的外延片进行测试，具体测试方法如下：（1）测试其亮度；（2）将外延片进行电致荧光测试（具体参李阳锋. gan基黄绿光led外延生长及多量子阱中载流子输运特性研究[d].中国科学院大学(中国科学院物理研究所),2017.），测试电流分别为1ma和5ma，得到不同测试电流下的波长，波长偏移按照下式计算：波长偏移=测试波长1（1ma）-测试波长2（5ma）。
[0151]
具体结果如下：由表中可以看出，一者，当将传统的量子垒层（对比例1）变更为本发明中的量子垒层结构时，亮度由1.89mw提升至2.10mw，表明本发明中的量子垒层可有效提升亮度；二者，当将传统的量子垒层（对比例1）变更为本发明中的量子垒层结构时，注入不同大小的电流产生的波长偏移由7.6nm减小至4.6nm，表明本发明中的量子垒层结构可以有效提高波长一致性。
[0152]
此外，通过实施例1与对比例2-5的对比可以看出，当变更本技术中的量子垒层结构时，难以有效起到提升亮度和提高波长一致性的效果。
[0153]
以上所述是发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。