1.一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，从下至上依次包括衬底(100)、下限制层(101)、下波导层(102)，有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上限制层(106)，其特征在于：下波导层(102)与下限制层(101)之间和下波导层(102)与有源层(103)之间设有范德瓦斯非线性层(107)。
2.如权利要求1所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)将非拓扑变换路径转变为拓扑变换路径，抑制有源层的in组分涨落和应变，提升峰值增益，改善热稳定性和热退化，提升界面质量，降低非辐射复合中心，提升激光元件的激射功率和斜率效率；范德瓦斯非线性层使有源层的顶部和底部形成不对称势垒，提升载流子的隧穿几率，提升空穴在有源层的输运和注入均匀性，增强限制因子并降低阀值，同时，产生非线性极化诱导的谐波效应、共振位移和受激拉曼效应，降低光场耗散，抑制光场泄漏到衬底，提升远场图像ffp质量。
3.如权利要求2所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)为3r-mos2、linbo3、lufe2o4、cr2ce2te6、fe3gete2、insno2n的任意一种或任意组合。
4.如权利要求3所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)的任意组合包括以下二元组合的异质结、超晶格、量子阱、核壳结构、量子点等结构但不限于以下结构：3r-mos2/linbo3,3r-mos2/lufe2o4,3r-mos2/cr2ce2te6,3r-mos2/fe3gete2,3r-mos2/insno2n,linbo3/lufe2o4,linbo3/cr2ce2te6,linbo3/fe3gete2,
5.如权利要求3所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)的任意组合包括以下三元组合的异质结、超晶格、量子阱、核壳结构、量子点等结构但不限于以下结构：
6.如权利要求3所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)的任意组合包括以下四元组合的异质结、超晶格、量子阱、核壳结构、量子点等结构但不限于以下结构：
7.如权利要求3所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)的任意组合包括以下五元、六元组合的异质结、超晶格、量子阱、核壳结构、量子点等结构但不限于以下结构:
8.如权利要求1所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述范德瓦斯非线性层(107)的厚度为5～500nm。
9.如权利要求1所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述下限制层(101)、下波导层(102)，有源层(103)、上波导层(104)、电子阻挡层(105)、上限制层(106)包括gan、algan、ingan、alingan、aln、inn、alinn、sic、ga2o3、bn、gaas、gap、inp、algaas、alingaas、algainp、ingaas、alinas、alinp、algap、ingap的任意一种或任意多元组合。
10.如权利要求1所述的一种设有范德瓦斯非线性层的半导体激光元件，其特征在于，所述衬底(100)包括蓝宝石、硅、ge、sic、aln、gan、gaas、inp、蓝宝石/sio2复合衬底、蓝宝石/aln复合衬底、蓝宝石/sinx、蓝宝石/sio2/sinx复合衬底、镁铝尖晶石mgal2o4、mgo、zno、zrb2、lialo2和ligao2复合衬底的任意一种。