技术特征：
1.一种半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，包括：提供一具有待填充区的目标膜层，所述待填充区包括接触孔、通孔和沟槽中的至少一种；在化学气相沉积方法的第一站点内且在第一温度下，通入乙硼烷，所述乙硼烷在所述第一温度下在所述待填充区内形成硼膜层，所述第一温度为280-310℃；通入第一六氟化钨，所述第一六氟化钨与所述硼膜层进行反应，在所述待填充区内形成第一钨膜层；将所述沉积有第一钨膜层的所述目标膜层转移至在设置有第二温度的第二站点，通入第一氢气和第二六氟化钨，所述第一氢气与所述第二六氟化钨进行反应，在所述第一钨膜层上形成第二钨膜层，所述第二温度为300-350℃；将沉积有所述第一钨膜层以及所述第二钨膜层的所述目标膜层转移至设置有第三温度的第三站点中，在所述第三温度下通入第二氢气和第三六氟化钨，所述第二氢气与所述第三六氟化钨进行反应，在所述第二钨膜层上形成第三钨膜层，所述第三温度为380-420℃；以及将沉积有所述第一钨膜层、所述第二钨膜层以及所述第三钨膜层的所述目标膜层转移至设置有所述第二温度的第四站点中，在所述第二温度下，通入第三氢气和第四六氟化钨进行反应直至所述待填充区填充完全，以形成第四钨膜层。2.根据权利要求1所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一温度为300-310℃，所述第二温度为300-320℃，所述第三温度为400-420℃。3.根据权利要求2所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一温度为300℃，所述第二温度为300℃，所述第三温度为400℃。4.根据权利要求3所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述乙硼烷以第一氩气为载气通入所述第一站点中，所述第一氩气的流量为2500-4500sccm，所述乙硼烷的流量为300-500sccm。5.根据权利要求4所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一氩气的流量为3000-3500sccm，所述乙硼烷的流量为450sccm。6.根据权利要求5所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一六氟化钨以第二氩气为载气通入所述目标膜层上，所述第二氩气的流量为8000-15000sccm，所述第一六氟化钨的流量为200-350sccm。7.根据权利要求6所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一钨膜层的厚度为4-16nm。8.根据权利要求7所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一氢气以及所述第二氢气的流量为8000-17000sccm，所述第二六氟化钨以及所述第三六氟化钨的流量为200-350sccm。9.根据权利要求8所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，所述第一氢气以及所述第二氢气的流量较优为15000-16000sccm。10.根据权利要求9所述的半导体器件中的钨填充方法，其特征在于，在所述将沉积有所述第一钨膜层以及所述第二钨膜层的所述目标膜层转移至设置有第三温度的第三站点中，在所述第三温度下通入第二氢气和第三六氟化钨，所述第二氢气与所述第三六氟化钨
进行反应，在所述第二钨膜层上形成第三钨膜层之后，以及所述将沉积有所述第一钨膜层、所述第二钨膜层以及所述第三钨膜层的所述目标膜层转移至设置有所述第二温度的第四站点中，在所述第二温度下，通入第三氢气和第四六氟化钨进行反应直至所述待填充区填充完全，以形成第四钨膜层之前，还包括：将沉积有所述第一钨膜层、所述第二钨膜层以及所述第三钨膜层的所述目标膜层转移至设置有所述第二温度的第四站点中；对所述目标膜层的表面通入第三氩气，对所述目标膜层的背面通入第四氩气，所述第三氩气的流量为5000-8000sccm，所述第四氩气的流量为1000-4500sccm。
技术总结
本申请提供一种半导体器件中的钨填充方法，包括：提供具有待填充区的目标膜层；在化学气相沉积方法的第一温度下通入乙硼烷，其在待填充区内形成硼膜层；通入第一六氟化钨与硼膜层进行反应，在待填充区内形成第一钨膜层；在第二温度下通入第一氢气和第二六氟化钨，并进行反应，在第一钨膜层上形成第二钨膜层；将目标膜层传至第三温度下，通入第二氢气和第三六氟化钨，并进行反应，在第二钨膜层上形成第三钨膜层；将目标膜层传至第二温度下，并通入第三氢气和第四六氟化钨进行反应，在第三钨膜层上形成第四钨膜层，第一温度为280-310℃，第二温度为300-350℃，第三温度为380-420℃，以减小钨塞中的空洞或缝隙的产生。小钨塞中的空洞或缝隙的产生。小钨塞中的空洞或缝隙的产生。
技术研发人员：卢金德 庄琼阳 贾晓峰 陈献龙
受保护的技术使用者：广州粤芯半导体技术有限公司
技术研发日：2023.02.24
技术公布日：2023/3/21