混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及存储介质与流程

1.本技术涉及半导体技术领域，特别是涉及一种混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及存储介质。


背景技术：

2.随着半导体技术的发展，在一些半导体制程中会采用混酸对残留的化合物进行去除，而为了维持混酸的刻蚀能力以及精准控制刻蚀速率，需要及时补充酸液。
3.常规的补酸方式是设定好每间隔一段时间便补入定量的酸液，这种采用固定时间和固定补充量的补酸方式，会出现补酸后初期的刻蚀速率较高以及末期的刻蚀速率较低，对刻蚀速率的控制不够精准，容易造成过刻或蚀刻不足的情况发生。


技术实现要素：

4.基于此，有必要针对上述问题提供一种混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及存储介质。
5.为了实现上述目的，一方面，本技术提供了一种混酸的补酸控制方法，包括：获取所述混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数；根据所述刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率；根据所述刻蚀速率、目标刻蚀速率和第一预设曲线获取所述混酸的刻蚀补充溶液的目标补充量，所述刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液；其中，所述第一预设曲线用于表征所述刻蚀速率与所述目标补充量之间的对应关系；根据所述目标补充量向所述混酸中注入所述刻蚀补充溶液。
6.在其中一个实施例中，所述刻蚀批次参数中历史批次数量为0，其中，所述根据所述刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，包括：对所述混酸进行激活；获取激活后的混酸对当前刻蚀批次的待刻蚀样品的初始刻蚀速率，所述初始刻蚀速率为当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
7.在其中一个实施例中，所述刻蚀批次参数中历史批次数量大于或等于1，所述根据所述刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，包括：获取前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率；基于前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率、前一批次与当前批次之间的闲置时间及第二预设曲线，获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率；其中，所述第二预设曲线用于表征刻蚀速率与闲置时间之间的对应关系。
8.在其中一个实施例中，所述第二预设曲线的关系式为：y=a2*t
²
+b2*t+c2其中，y为刻蚀速率，t为闲置时间，a2、b2、c2均为常数。
9.在其中一个实施例中，所述第一预设曲线的关系式为：
y=a1*v
²
+b1*v+c1其中，y为刻蚀速率，v为目标补充量，a1、b1、c1均为常数。
10.在其中一个实施例中，所述目标刻蚀速率小于目标上限，并大于目标下限；所述目标上限小于所述第二预设曲线中所述混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率的最大值。
11.在其中一个实施例中，所述混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率通过特征参数表征；其中，所述特征参数包括颜色特征、电导率特征、离子浓度特征和刻蚀前后待刻蚀样品的厚度差特征中的至少一种。
12.本技术还提供一种混酸的补酸控制装置，包括：参数获取模块，用于获取所述混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数；速率确定模块，用于根据所述刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率；曲线获取模块，用于获取第一预设曲线；其中，所述第一预设曲线用于表征所述刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系；计算模块，用于根据所述刻蚀速率、目标刻蚀速率和第一预设曲线获取所述混酸的刻蚀补充溶液的目标补充量，所述刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液；补充控制模块，用于根据所述目标补充量向所述混酸中注入所述刻蚀补充溶液。
13.本技术还提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述任一项方案所述的混酸的补酸控制方法的步骤。
14.本技术还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一项方案所述的混酸的补酸控制方法的步骤。
15.本技术的混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备及可读存储介质，通过第一预设曲线表征刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系，通过混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，在获知当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率和目标刻蚀速率的基础上，可以得知刻蚀速率和目标刻蚀速率之间的差值，结合第一预设曲线，可以获得需要补充的刻蚀补充溶液的量，即获得目标补充量，向混酸中注入目标补充量的刻蚀补充溶液，以使得当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率可以在补充后达到目标刻蚀速率，便于以精准的刻蚀速率对待刻蚀样品进行刻蚀，不会造成过刻或者蚀刻不足的情况。
附图说明
16.为了更清楚地说明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
17.图1为一实施例中提供的混酸的补酸控制方法的流程图；图2为一实施例中提供的混酸的补酸控制方法中根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率的流程图；图3为一实施例中提供的第一预设曲线的示意图；
图4为另一实施例中提供的混酸的补酸控制方法中根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率的流程图；图5为一实施例中提供的第二预设曲线的示意图；图6为另一实施例中提供的第一预设曲线的示意图；图7为再一实施例中提供的第一预设曲线的示意图；图8为一实施例中提供的混酸的补酸控制装置的结构框图；图9为一实施例中提供的计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
18.为了便于理解本技术，下面将参照相关附图对本技术进行更全面的描述。附图中给出了本技术的首选实施例。但是，本技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本技术的公开内容更加透彻全面。
19.除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本技术的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本技术。
20.应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。
21.空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可以用于描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。此外，器件也可以包括另外地取向(譬如，旋转90度或其它取向)，并且在此使用的空间描述语相应地被解释。
22.在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白，当术语“组成”和/或“包括”在该说明书中使用时，可以确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。同时，在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。
23.随着半导体技术的发展，在一些半导体制程中会采用混酸对残留的化合物进行去除，而为了维持混酸的刻蚀能力以及精准控制刻蚀速率，需要及时补充酸液。
24.常规的补酸方式是设定好每间隔一段时间便补入定量的酸液，这种采用固定时间和固定补充量的补酸方式，会出现补酸后初期的刻蚀速率较高以及末期的刻蚀速率较低，对刻蚀速率的控制不够精准，容易造成过刻或蚀刻不足。另外，在酸槽处于闲置状态一段时间，即酸槽经过一段闲置时间后，混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率会下降，但因为常规补酸方式是一次性补充定量的酸液，因此也没有考虑到经过闲置时间后需要对混酸进行补充，导致闲置后重新开始制程时混酸对首批待刻蚀样品蚀刻不足，造成化合物残留，影响产品良
率。
25.基于此，有必要针对上述问题提供一种混酸的补酸控制方法、装置、计算机设备、可读存储介质及计算机程序产品。
26.为了解决上述问题，如图1所示，本技术提供了一种混酸的补酸控制方法，包括如下s101至s104步骤：s101：获取混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数。
27.其中，待刻蚀样品可以是待刻蚀晶圆。在一些示例中，可以将本技术的混酸的补酸控制方法用于半导体结构的制备工艺中，譬如应用于co（钴）制程之后的去除残留co和tin（氮化钛）的过程中，可以获得精准的刻蚀速率，以避免半导体结构被过刻蚀或氮化钛刻蚀不足而残留在结构中。在一些示例中，混酸可以包括：磷酸、硝酸、醋酸和水；其中，混酸中的磷酸、硝酸、醋酸和水的比例可以为：40:1:2:3，以和过氧化氢溶液共同作用实现对待刻蚀样品的刻蚀。
28.s102：根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
29.其中，刻蚀批次参数是指每次换酸后，重新统计的该次混酸已经刻蚀过的样品批次的数量。混酸使用一段时间后，需要重新更换，换酸便是指整个混酸的更换，采用换新后的混酸对待刻蚀样品进行刻蚀时，第一批和第一批之后的待刻蚀样品的刻蚀速率的计算方式不同，因此需要根据刻蚀批次参数来适应性地获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
30.s103：根据刻蚀速率、目标刻蚀速率和第一预设曲线获取混酸的刻蚀补充溶液的目标补充量，刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液；其中，第一预设曲线用于表征刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系。
31.其中，刻蚀速率是指当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，由前述可知，混酸使用一段时间后，需要重新更换混酸，为使混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率可以达到目标刻蚀速率，因此需要在刻蚀前加入过氧化氢溶液，使混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率可以达到目标刻蚀速率，而目标刻蚀速率与目标补充量之间存在对应关系，因此便可计算出所需的过氧化氢溶液的目标补充量。
32.示例性的，可以使用大量等效样品分别与加入不同含量过氧化氢溶液的混酸反应，通过实验收集足够多的刻蚀速率与目标补充量的数据，对数据结果进行整理和曲线拟合，以获得第一预设曲线。
33.示例性的，因刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液，即补充后的混酸中包含过氧化氢，在将本技术的混酸的补酸控制方法用于去除残留tin（氮化钛）的过程中，反应过程可以参考以下公式：2tin+h2o2+h2o
→
2ti(oh)2+2nh4oh
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（1）其中，h2o2为过氧化氢，h2o为水，ti(oh)2为氢氧化钛，nh4oh为氢氧化铵。
34.s104：根据目标补充量向混酸中注入刻蚀补充溶液。
35.其中，目标刻蚀速率与目标补充量之间存在对应关系，计算出所需的过氧化氢溶液的目标补充量并向混酸中注入目标补充量的刻蚀补充溶液后，可以使当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率达到目标刻蚀速率，以帮助精准刻蚀待刻蚀样品，避免出现过刻或蚀刻不足。
36.需要说明的是，举例所说的氮化钛作为待刻蚀膜层仅是为了更好地理解本技术的方案，并不用于限制本技术的适用范围，在其他实施例中，本技术的混酸的补酸控制方法可以用于各种各样的待刻蚀样品，本实施例不做限制。
37.上述实施例中的混酸的补酸控制方法，通过第一预设曲线表征刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系，通过混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，在获知当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率和目标刻蚀速率的基础上，可以得知刻蚀速率和目标刻蚀速率之间的差值，结合第一预设曲线，可以获得需要补充的刻蚀补充溶液的量，即获得目标补充量，向混酸中注入目标补充量的刻蚀补充溶液，以使得当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率可以在补充后达到目标刻蚀速率，便于以精准的刻蚀速率对待刻蚀样品进行刻蚀，不会造成过刻或者蚀刻不足的情况，降低对半导体结构造成异常的几率，帮助提升半导体器件的良率。
38.在一个实施例中，刻蚀批次参数中历史批次数量可以为0，其中，参阅图2，根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，可以包括如下步骤：s201：对混酸进行激活；s202：获取激活后的混酸对当前刻蚀批次的待刻蚀样品的初始刻蚀速率，初始刻蚀速率为当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
39.其中，刻蚀批次参数中历史批次数量可以为0，可以理解为当前刻蚀批次便是换酸后的第一批待刻蚀样品；每次换酸后的初始混酸中不含有过氧化氢溶液，对混酸进行激活可以理解为采用控片（monitor wafer）进行酸槽过货，从而触发当前批次对酸槽进行过氧化氢溶液补充，以使初始混酸对待刻蚀样品具有一定的初始刻蚀速率，此时的初始刻蚀速率即为当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。获得初始刻蚀速率后，基于刻蚀速率与目标刻蚀速率以及第一预设曲线中刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系，计算得到需要补充的过氧化氢溶液的目标补充量，向初始混酸中加入目标补充量的过氧化氢溶液，使得得到的混酸对当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率可以达到目标刻蚀速率。
40.示例性的，第一预设曲线可以参阅图3，其中，r0表示初始刻蚀速率，在刻蚀批次参数中历史批次数量可以为0，即当前刻蚀批次便是换酸后的第一批待刻蚀样品时，r0便是当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，rt是目标刻蚀速率，r1表示目标刻蚀速率的目标上限，r2表示目标刻蚀速率的目标下限；根据第一预设曲线，可以计算得知所需目标补充量为rt对应的补充量vt与r0对应的补充量v0之间的差值。
41.在一个实施例中，刻蚀批次参数中历史批次数量可以大于或等于1，参阅图4，根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，可以包括如下步骤：s401：获取前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率；s402：基于前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率、前一批次与当前批次之间的闲置时间及第二预设曲线，获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率；其中，第二预设曲线用于表征刻蚀速率与闲置时间之间的对应关系。
42.其中，刻蚀批次参数中历史批次数量大于或等于1，可以理解为当前刻蚀批次的待刻蚀样品不是换酸后的第一批样品，且当前刻蚀批次与前一批次的已刻蚀样品之间存在闲置时间。示例性的，可以通过，因此获得前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率，再结合刻蚀速率与闲置时间之间的对应关系，便可以得知当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻
蚀速率。获得当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率后，基于刻蚀速率与目标刻蚀速率以及第一预设曲线中刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系，可以计算得到需要补充的过氧化氢溶液的目标补充量，向混酸中加入目标补充量的过氧化氢溶液，使得得到的混酸对当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率可以达到目标刻蚀速率。
43.示例性的，可以通过实验收集足够多的刻蚀速率与闲置时间对应的数据，对数据结果进行整理和曲线拟合，以获得第二预设曲线。
44.示例性的，第二预设曲线可以参阅图5，在刻蚀批次参数中历史批次数量可以大于1或等于1，即当前刻蚀批次不是换酸后的第一批样品，图5中rt是目标刻蚀速率，r1表示目标刻蚀速率的目标上限，r2表示目标刻蚀速率的目标下限；rn表示前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率，tn便是前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率对应的闲置时间，由于前一批次的已刻蚀样品与当前刻蚀批次的待刻蚀样品之间的闲置时间一般为预先设定的已知时间
△
t，其中，t（n+1）等于tn加上
△
t，因此根据第二预设曲线、tn和
△
t，可以计算得知当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率r（n+1）。结合图6所示的第一预设曲线，其中，当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率r（n+1）对应的补充量为v（n+1），根据目标刻蚀速率rt对应的补充量vt、v（n+1）以及第一预设曲线，可以计算得知当前刻蚀批次的待刻蚀样品所需目标补充量为vt与v（n+1）之间的差值。
45.在一个实施例中，仍可参阅图5，第二预设曲线的关系式可以为：y=a2*t
²
+b2*t+c2ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（2）其中，y为刻蚀速率，t为闲置时间，a2、b2、c2均为常数。
46.其中，a2、b2、c2均为经过大量数据拟合得到的常数，本实施例中的第二预设曲线的关系式是为了便于理解而给出的一个实施例，并不表示第二预设曲线仅可以采用上述关系式表示，在其他实施例中，第二预设曲线的关系式可以是多种多样的，本实施例不做限制。
47.在一个实施例中，仍参阅图3，第一预设曲线的关系式可以为：y=a1*v
²
+b1*v+c1ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（3）其中，y为刻蚀速率，v为目标补充量，a1、b1、c1均为常数。
48.其中，a1、b1、c1均为经过大量数据拟合得到的常数，本实施例中的第一预设曲线的关系式是为了便于理解而给出的一个实施例，并不表示第一预设曲线仅可以采用上述关系式表示，在其他实施例中，第一预设曲线的关系式可以是多种多样的，本实施例不做限制。
49.在其他实施例中，第一预设曲线也可以拟合为其他类型的曲线，如图7所示，第一预设曲线的关系式可以为：y= d*v5+e*v4+ f*v3+g*v
²
+h*v+k
ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ
（4）其中，y为刻蚀速率，v为目标补充量，d、e、f、g、h和k均为常数；即本实施例中，第一预设曲线可以是一元五次曲线；在其他实施例中，基于待刻蚀样品的种类不同以及根据拟合的便利性，第一预设曲线对应的公式可以是其他公式，本实施例不做限制。
50.在一个实施例中，目标刻蚀速率小于目标上限，并大于目标下限；目标上限小于第二预设曲线中混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率的最大值。
51.其中，参阅图3、图5和图6，r1表示目标刻蚀速率的目标上限，r2表示目标刻蚀速率的目标下限，r2至r1便形成了目标刻蚀速率所在的误差区间，在此误差区间内不需要补充过氧化氢溶液，在误差区间外，基于当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率与目标刻蚀速
率之间的差值，计算得到需要补充的过氧化氢溶液的量，对应补充过氧化氢溶液至混酸中。
52.在一个实施例中，参阅图5，第二预设曲线中刻蚀速率的初始值大于目标刻蚀速率的目标上限。
53.可以理解为，因刻蚀速率随着闲置时间的延长而逐渐下降，因此前期数据收集时，获得第二预设曲线所采集的刻蚀速率数据中需要有一部分刻蚀速率的值大于目标刻蚀速率的目标上限，以使第二预设曲线中刻蚀速率的覆盖范围足够大，便于后续计算使用。
54.在一个实施例中，混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率通过特征参数表征；其中，特征参数包括颜色特征、电导率特征、离子浓度特征和刻蚀前后待刻蚀样品的厚度差特征中的至少一种。
55.其中，刻蚀前后待刻蚀样品的厚度差，可以理解为混酸在一定时间内刻蚀待刻蚀样品的膜层，根据刻蚀前膜层的膜厚、刻蚀后膜层的膜厚以及刻蚀时间，可以计算出混酸对待刻蚀样品的刻蚀速率。
56.应该理解的是，虽然如上各实施例的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，各实施例的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个阶段，这些步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
57.基于同样的发明构思，本技术实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的混酸的补酸控制方法的混酸的补酸控制装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个混酸的补酸控制装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于混酸的补酸控制方法的限定，在此不再赘述。
58.如图8所示，本技术还提供一种混酸的补酸控制装置，包括：参数获取模块801、速率确定模块802、曲线获取模块803、计算模块804和补充控制模块805，其中：参数获取模块801，用于获取混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数。
59.速率确定模块802，用于根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
60.曲线获取模块803，用于获取第一预设曲线；其中，第一预设曲线用于表征刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系。
61.计算模块804，用于根据刻蚀速率、目标刻蚀速率和第一预设曲线获取混酸的刻蚀补充溶液的目标补充量，刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液。
62.补充控制模块805，用于根据目标补充量向混酸中注入刻蚀补充溶液。
63.上述实施例中的混酸的补酸控制装置，通过第一预设曲线表征刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系，通过混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率，在获知当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率和目标刻蚀速率的基础上，可以得知刻蚀速率和目标刻蚀速率之间的差值，结合第一预设曲线，可以获得需要补充的刻蚀补充溶液的量，即获得目标补充量，向混酸中注入目标补充量的刻蚀补充溶液，以使得当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率可以在补充后达到目标刻蚀速率，便于以精准的
刻蚀速率对待刻蚀样品进行刻蚀，不会造成过刻或者蚀刻不足的情况。
64.在一个实施例中，速率确定模块802还用于对混酸进行激活以及获取激活后的混酸对当前刻蚀批次的待刻蚀样品的初始刻蚀速率，初始刻蚀速率为当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
65.在一个实施例中，曲线获取模块803还用于获取第二预设曲线；其中，第二预设曲线用于表征刻蚀速率与闲置时间之间的对应关系。
66.在一个实施例中，计算模块804还用于基于前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率、前一批次与当前批次之间的闲置时间及第二预设曲线，获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
67.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是终端，其内部结构图可以如图9所示。该计算机设备包括处理器、存储器、输入/输出接口、通信接口、显示单元和输入装置。其中，处理器、存储器和输入/输出接口通过系统总线连接，通信接口、显示单元和输入装置通过输入/输出接口连接到系统总线。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质和内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的输入/输出接口用于处理器与外部设备之间交换信息。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过wifi、移动蜂窝网络、nfc（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种混酸的补酸控制方法。该计算机设备的显示单元用于形成视觉可见的画面，可以是显示屏、投影装置或虚拟现实成像装置。显示屏可以是液晶显示屏或者电子墨水显示屏，该计算机设备的输入装置可以是显示屏上覆盖的触摸层，也可以是计算机设备外壳上设置的按键、轨迹球或触控板，还可以是外接的键盘、触控板或鼠标等。
68.本领域技术人员可以理解，图9中示出的结构，仅仅是与本技术方案相关的部分结构的框图，并不构成对本技术方案所应用于其上的电子设备的限定，具体的电子设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。
69.在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现以下步骤：获取混酸对待刻蚀样品的刻蚀批次参数；根据刻蚀批次参数获取当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率；根据刻蚀速率、目标刻蚀速率和第一预设曲线获取混酸的刻蚀补充溶液的目标补充量，刻蚀补充溶液包括过氧化氢溶液；其中，第一预设曲线用于表征刻蚀速率与目标补充量之间的对应关系；根据目标补充量向混酸中注入刻蚀补充溶液。
70.在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：对混酸进行激活；获取激活后的混酸对当前刻蚀批次的待刻蚀样品的初始刻蚀速率，初始刻蚀速率为当前刻蚀批次的待刻蚀样品的刻蚀速率。
71.在一个实施例中，处理器执行计算机程序时还实现以下步骤：获取前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率；基于前一批次的已刻蚀样品在刻蚀完成时的刻蚀速率、前一批次与当前批次之间的闲置时间及第二预设曲线，获取
memory，rom）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（reram）、磁变存储器（magnetoresistive random access memory，mram）、铁电存储器（ferroelectricrandom access memory，fram）、相变存储器（phase change memory，pcm）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（random access memory，ram）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，ram可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（static random access memory，sram）或动态随机存取存储器（dynamic random access memory，dram）等。本技术所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本技术所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。
79.以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
80.以上所述实施例仅表达了本技术的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本技术的保护范围。因此，本技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。