半导体封装构造及其制造方法与流程

本揭露是有关一种半导体封装构造及一种半导体封装构造的制造方法。

背景技术：

1、在动态随机存取存储器(dynamic random access memory,dram)的数据速率在进入第五代双倍数据率同步动态随机存取存储器(double data rate fifth-generationsynchronous dram,ddr5 sdram)的时代后显著提升，数据速率将高达8000兆赫(megahertz,mhz)，传统的窗型球栅陈列封装结构由于只有单一存储器晶片，因此无法在如此高的数据速率之下工作。

2、其中一种业界常用的解法是使用堆叠式晶片封装(high stacked package)，其中多个存储器晶片会互相电性连接及一起封装。但若是要使用传统的窗型球栅陈列封装结构，存储器晶片的焊接垫是面向下的。当要堆叠第二个存储器晶片时，第二个存储器晶片的焊接垫会面向上，这会让左右两边的焊接垫位置互换，这样会导致当接合线要将第二个存储器晶片与第一个存储器晶片下方的基板连接时，基板右边的接合线必须接到第二个存储器晶片左边的焊接垫，反之也然。这会导致接合线中间有交叉，让接合线之间短路的可能性增高。

技术实现思路

1、本揭露的一技术态样为一种半导体封装构造。

2、根据本揭露的一实施方式，一种半导体封装构造包括第一基板、第一半导体晶片、第一接合线、第二基板、第二半导体晶片以及第二接合线。第一基板具有穿透第一基板的中间部的视窗。第一半导体晶片位于第一基板上，其中第一半导体晶片具有焊接垫。第一接合线位于第一基板的视窗中，电性连接第一半导体晶片的焊接垫与第一基板。第二基板位于第一半导体晶片上，具有穿透第二基板的中间部的视窗，其中第二基板电性连接第一基板。第二半导体晶片位于第二基板上，其中第二半导体晶片具有焊接垫。第二接合线位于第二基板的视窗中，电性连接第二半导体晶片的焊接垫与第二基板。

3、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括模压材，具有第一部分与第二部分，其中第一部分的模压材位于第一基板的上表面上且覆盖第二基板与第二半导体晶片，且第二部分的模压材位于第一基板的视窗内且延伸至第一基板的下表面。

4、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括第一下导电箔以及第二下导电箔。第一下导电箔位于第一基板的下表面上，其中第一下导电箔通过第一接合线与第一半导体晶片的焊接垫电性连接。第二下导电箔位于第二基板的下表面上，其中第二下导电箔通过第二接合线与第二半导体晶片的焊接垫电性连接。

5、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括第一上导电箔、第二上导电箔以及第三接合线。第一上导电箔位于第一基板的上表面上。第二上导电箔位于第二基板的上表面上。第三接合线电性连接第一上导电箔与第二上导电箔。

6、在本揭露的一实施方式中，第一基板还包括导电通道、导电区域以及焊料球。导电通道位于第一基板内且穿透第一基板的上表面及第一基板的下表面，其中导电通道电性连接第一下导电箔与第一上导电箔。导电区域位于第一基板的下表面上，电性连接导电通道的底端。焊料球位于导电区域上。

7、在本揭露的一实施方式中，第二基板还包括导电通道，位于第二基板内且穿透第二基板的上表面及第二基板的下表面，其中导电通道电性连接第二下导电箔与第二上导电箔。

8、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括粘着结构，位于第一基板的上表面上且延伸至第二半导体晶片的下表面上，其中粘着结构还包含第一粘着层、第二粘着层以及第三粘着层。第一粘着层位于第一基板与第一半导体晶片之间。第二粘着层位于第一基板与第二基板之间、第二基板与第一半导体晶片之间及第二基板的视窗内。第三粘着层位于第二基板与第二半导体晶片之间。

9、在本揭露的一实施方式中，粘着结构的第二粘着层环绕第一半导体晶片，且有边缘与第二基板的边缘切齐。

10、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括第三基板、第三半导体晶片、第四接合线、第四基板、第四半导体晶片以及第五接合线。第三基板位于第二半导体晶片上，具有穿透第三基板的中间部的视窗，其中第三基板电性连接第一基板。第三半导体晶片位于第三基板上，其中第三半导体晶片具有焊接垫。第四接合线位于第三基板的视窗中，电性连接第三半导体晶片的焊接垫与第三基板；第四基板位于第三半导体晶片上，具有穿透第四基板的中间部的视窗，其中第四基板电性连接第一基板。第四半导体晶片位于第四基板上，其中第四半导体晶片具有焊接垫。第五接合线位于第四基板的视窗中，电性连接第四半导体晶片的焊接垫与第四基板。

11、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括第三下导电箔以及第四下导电箔。第三下导电箔位于第三基板的下表面上，其中第三下导电箔通过第四接合线与第三半导体晶片的焊接垫电性连接。第四下导电箔位于第四基板的下表面上，其中第四下导电箔通过第五接合线与第四半导体晶片的焊接垫电性连接。

12、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括第三上导电箔以及导电通道。第三上导电箔位于第三基板的上表面上，其中第三上导电箔通过第六接合线与第一基板电性连接。导电通道位于第三基板内且穿透第三基板的上表面及第三基板的下表面，其中导电通道电性连接第三下导电箔与第三上导电箔。

13、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括第四上导电箔以及导电通道。第四上导电箔位于第四基板的上表面上，其中第四上导电箔通过第七接合线与第一基板电性连接。导电通道位于第四基板内且穿透第四基板的上表面及第四基板的下表面，其中导电通道电性连接第四下导电箔与第四上导电箔。

14、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造还包括粘着结构，位于第一基板的上表面上且延伸至第四半导体晶片的下表面上，其中粘着结构还包含第一粘着层、第二粘着层、第三粘着层、第四粘着层、第五粘着层、第六粘着层以及第七粘着层。第一粘着层位于第一基板与第一半导体晶片之间。第二粘着层位于第一基板与第二基板之间、第二基板与第一半导体晶片之间及第二基板的视窗内。第三粘着层位于第二基板与第二半导体晶片之间。第四粘着层位于第二基板与第三基板之间、第三基板与第二半导体晶片之间及第三基板的视窗内。第五粘着层位于第三基板与第三半导体晶片之间。第六粘着层位于第三基板与第四基板之间、第四基板与第三半导体晶片之间及第四基板的视窗内。第七粘着层位于第四基板与第四半导体晶片之间。

15、在本揭露的一实施方式中，粘着结构的第二粘着层环绕第一半导体晶片，且有边缘与第二基板的边缘切齐，粘着结构的第四粘着层环绕第二半导体晶片，且有边缘与第三基板的边缘切齐，粘着结构的第六粘着层环绕第三半导体晶片，且有边缘与第四基板的边缘切齐。

16、本揭露的另一技术态样为一种半导体封装构造的制造方法。

17、根据本揭露的一些实施方式，一种半导体封装构造的制造方法包括在第一基板的中间部形成穿透第一基板的视窗；将第一基板的第一表面附接于第一半导体晶片的第一表面上；通过第一接合线电性连接第一半导体晶片的焊接垫与位于第一基板的第一表面相反的第二表面上的第一下导电箔，使第一接合线位于第一基板的视窗内；在第二基板的中间部形成穿透第二基板的视窗；将第二基板的第一表面附接于第二半导体晶片的第一表面上；通过第二接合线电性连接第二半导体晶片的焊接垫与位于第一基板的第一表面相反的第二表面上的第二下导电箔，使第二接合线位于第二基板的视窗内；将第二基板附接于第一基板与第一半导体晶片上；以及通过第三接合线电性连接位于第一基板的第一表面上的第一上导电箔与位于第二基板的第一表面上的第二上导电箔。

18、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包含在第一基板的第一表面上形成第一部分的模压材及在第一基板的视窗内形成第二部分的模压材，其中第一部分的模压材覆盖第二基板与第二半导体晶片，且第二部分的模压材延伸至第一基板的第二表面。

19、在本揭露的一实施方式中，第一基板包含位于第一基板内的导电通道与位于第一基板的第二表面上的导电区域，半导体封装构造的制造方法还包含将焊料球焊接在导电区域上，使焊料球电性连接导电通道。

20、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包含在第三基板的中间部形成穿透第三基板的视窗；将第三基板的第一表面附接于第三半导体晶片的第一表面上；通过第四接合线电性连接第三半导体晶片的焊接垫与位于第三基板的第一表面相反的第二表面上的第三下导电箔，使第四接合线位于第三基板的视窗内；将第三基板附接于第二基板与第二半导体晶片上；电性连接第三基板与第一基板；在第四基板的中间部形成穿透第四基板的视窗；将第四基板的第一表面附接于第四半导体晶片的第一表面上；通过第五接合线电性连接第四半导体晶片的焊接垫与位于第四基板的第一表面相反的第二表面上的第四下导电箔，使第五接合线位于第四基板的视窗内；将第四基板附接于第三基板与第三半导体晶片上；以及电性连接第四基板与第一基板。

21、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包含通过第六接合线电性连接位于第一基板的第一表面上的第一上导电箔与位于第三基板的第一表面上的第三上导电箔。

22、在本揭露的一实施方式中，半导体封装构造的制造方法还包含通过第七接合线电性连接位于第一基板的第一表面上的第一上导电箔与位于第四基板的第一表面上的第四上导电箔。

23、在本揭露上述实施方式中，由于第二接合线位于第二基板的视窗内且电性连接第二半导体晶片的焊接垫与第二基板，第一基板可以通过一条电性连接第一基板与第二基板的接合线来和第二半导体晶片电性连接。如此一来，半导体封装构造可以在一个封装结构内封装超过一个半导体晶片，并且并不需要将焊接垫换边及将接合线交叉，从而避免了接合线短路的可能性。再者，半导体封装构造的制造方法因为不需要将堆叠在第一半导体晶片上的另一个半导体晶片的焊接垫做换边的设计，可以有效地减少工艺的周期与成本。