用于保护引线框架的方法、引线框架组合、盒和外部容器与流程

本技术涉及集成电路，尤其涉及用于保护引线框架的方法、引线框架组合、盒和外部容器。

背景技术：

1、引线框架是许多集成电路的芯片载体。引线框架的保质期在很大程度上受到引线框架的氧化/腐蚀的影响。引线框架的轻微氧化/腐蚀可能严重影响介质的结合性或影响结合介质中的信号传递。

2、常规的保护引线框架的引线框架的氧化/腐蚀解决方案有些不令人满意。例如，改变引线框架的合金状况也可能影响引线框架的其他机械性能。涂覆引线框架通常意味着涉及其他加工的电化学程序，例如掩模和激光直接成像(laser direct imaging，ldi)，这会增加引线框架的加工成本。此外，引线框架上涂覆的不同物质具有不同的表面能，这会影响引线框架的性能，如环氧树脂渗出。

3、鉴于上述情况，需要一种保护引线框架的新方法、一种新的引线框架组合、一个新的盒和一个新的外部容器。

技术实现思路

1、本技术实施例的一方面涉及一种用于保护引线框架的方法，其包括以下步骤：提供具有第一标准电极电位的引线框架；提供具有第二标准电极电位的保护物质，所述第二标准电位低于所述第一标准电极电位；以及使所述保护物质与所述引线框架接触，使得所述保护物质充当牺牲阳极，以保护作为阴极的所述引线框架免受腐蚀/氧化。

2、一些实施例中，在提供具有第一标准电极电位的引线框架的所述步骤中提供的所述引线框架包括铜或铁，并且在提供具有第二标准电极电位的保护物质的所述步骤中提供的所述保护物质包括铝、钡、铍、钙、铯、铍、锂、镁、钾、镭、铷、钠、锶和锌中的至少一种。

3、一些实施例中，在提供具有第一标准电极电位的引线框架的所述步骤中提供的所述引线框架包括铜合金或铁合金，并且在提供具有第二标准电极电位的保护物质的所述步骤中提供的所述保护物质包括铝、钡、铍、钙、铯、铍、锂、镁、钾、镭、铷、钠、锶和锌中的至少一种。

4、一些实施例中，通过使用标准氢电极，所述第一标准电极电位在-0.5v至0.8v的范围内。

5、一些实施例中，通过使用标准氢电极，所述第二标准电极电位在-3.5v至-0.7v的范围内。

6、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：使所述保护物质与所述引线框架直接接触。

7、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：使所述保护物质与所述引线框架间接接触。

8、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：用包括所述保护物质的盒包装所述引线框架。

9、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：用由所述保护物质构成的盒包装所述引线框架。

10、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：用包括所述保护物质和可移动壁的盒包装所述引线框架。

11、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：用盒包装所述引线框架，所述盒包括可与所述引线框架的一侧接触的保护物质。

12、一些实施例中，所述盒包括可与所述保护物质和所述引线框架的所述一侧接触的导电介质。

13、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：将所述引线框架与所述保护物质在盒中堆叠。

14、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：使所述保护物质与盒中的所述引线框架的表面接触。

15、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：将所述保护物质与盒中的所述引线框架面对面地布置。

16、一些实施例中，使所述保护物质与所述引线框架接触的所述步骤包括：将包装所述引线框架的盒容纳在包括所述保护物质的外部容器的空间中。

17、本技术实施例的另一方面涉及一种引线框架组合，其包括：具有第一标准电极电位的引线框架；以及保护物质，其与所述引线框架接触并且具有低于所述第一标准电极电位的第二标准电极电位，以充当牺牲阳极，以保护作为阴极的所述引线框架免受腐蚀/氧化。

18、一些实施例中，所述引线框架包括铜或铁，并且所述保护物质包括铝、钡、铍、钙、铯、铍、锂、镁、钾、镭、铷、钠、锶和锌中的至少一种。

19、一些实施例中，所述引线框架包括铜合金或铁合金，并且所述保护物质包括铝、钡、铍、钙、铯、铍、锂、镁、钾、镭、铷、钠、锶和锌中的至少一种。

20、一些实施例中，通过使用标准氢电极，所述第一标准电极电位在-0.5v至0.8v的范围内。

21、一些实施例中，通过使用标准氢电极，所述第二标准电极电位在-3.5v至-0.7v的范围内。

22、一些实施例中，所述保护物质与所述引线框架直接接触。

23、一些实施例中，所述保护物质与所述引线框架间接接触。

24、一些实施例中，所述引线框组合包括：包装所述引线框架并由所述保护物质构成的盒。

25、一些实施例中，所述引线框架组合包括：包装所述引线框架并包括所述保护物质的盒。

26、一些实施例中，所述盒包括可移动壁。

27、一些实施例中，所述保护物质与所述盒中的所述引线框架的一侧接触。

28、一些实施例中，所述盒包括与所述保护物质和所述引线框架的所述一侧接触的导电介质。

29、一些实施例中，所述保护物质与所述盒中的所述引线框架堆叠。

30、一些实施例中，所述保护物质与所述盒中的所述引线框架的表面接触。

31、一些实施例中，所述保护物质与所述盒中的所述引线框架面对面地设置。

32、一些实施例中，所述引线框架组合包括：外部容器，其包括所述保护物质和用于容纳包装所述引线框架的盒的空间。

33、本技术实施例的又一方面涉及一种用于包装具有第一标准电极电位的引线框架的盒，其包括：保护物质，其可与所述引线框架接触，并且具有低于所述第一标准电极电位的第二标准电极电位，以充当牺牲阳极，以保护作为阴极的所述引线框架免受腐蚀/氧化。

34、一些实施例中，所述用于包装具有第一标准电极电位的引线框架的盒由所述保护物质构成。

35、一些实施例中，所述用于包装具有第一标准电极电位的引线框架的盒包括可移动壁。

36、一些实施例中，所述保护物质可与所述引线框架的一侧接触。

37、一些实施例中，所述用于包装具有第一标准电极电位的引线框架的盒包括可与所述保护物质和所述引线框架的所述一侧接触的导电介质。

38、一些实施例中，所述保护物质可与所述盒中的所述引线框架堆叠。

39、一些实施例中，所述保护物质可与所述盒中的所述引线框架的表面接触。

40、一些实施例中，所述保护物质可与所述盒中的所述引线框架面对面地设置。

41、本技术实施例的再一方面涉及一种用于保护具有第一标准电极电位的引线框架的外部容器，其包括：用于容纳包装所述引线框架的盒的空间；以及保护物质，其可与所述引线框架接触，并且具有低于所述第一标准电极电位的第二标准电极电位，以充当牺牲阳极，以保护作为阴极的所述引线框架免受腐蚀/氧化。

42、在技术条件允许的情况下，本技术中各实施例的技术特征可以重新任意组合、形成保护范围内新的实施例。