一种厚引线框架的制造方法与流程

本技术涉及半导体领域，更具体地说，它涉及一种厚引线框架的制造方法。

背景技术：

1、引线框架是半导体集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接的重要连接件，是和外部导线连接的桥梁，是电子信息产业中重要的基础材料。

2、随着科技的发展，对引线框架的要求越来越高，大功率引线框架在市场上的应用越来越广泛。此类大功率的引线框架在后端使用过程中电流进入流出，功率越大，电流就越大。当电流越大，在固定电阻的情况下，发热越大，局部越容易烧点。但是在产品pkg（pkg即产品的包装方式）定下来以后，引线框架在xy方向上的尺寸就无法改变，也就无法通过改变引线框架的尺寸来改善引线框架被烧坏的问题。为解决上述问题，通常采用增加引线框架的厚度的方式，以避免大功率的引线框架出现局部烧点。

3、引线框架可采用冲压、蚀刻两种方式制作成型。基于上述情况，若采用冲压方式加工厚引线框架，存在有周期长、模具费用高等问题。若采用蚀刻方式加工，由于引线框架过厚，所需的刻蚀时间长，容易引发侧蚀，导致引线框架图形不准确。因此，还有待改善。

技术实现思路

1、为了改善厚引线框架在制备过程中图形不准确的问题，本技术提供一种厚引线框架的制造方法。

2、第一方面，本技术提供一种厚引线框架的制造方法，采用如下的技术方案：

3、一种厚引线框架的制造方法，包括：

4、s1、提供厚度在0.5mm以上的金属卷带；

5、s2、在所述金属卷带上表面与下表面分别贴附第一感光干膜与第二感光干膜；

6、s3、图案化所述第一感光干膜与第二感光干膜以分别形成第一干膜图案层与第二干膜图案层，所述第一干膜图案层具有第一引脚补偿扩大图案，所述第二干膜图案层具有第二引脚补偿扩大图案，所述第一引脚补偿扩大图案与第二引脚补偿扩大图案相互对应；所述第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案之间一体连接有第一间隙维持条，所述第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间一体连接有第二间隙维持条，所述第一间隙维持条与第二间隙维持条的任一条宽度小于等于对应第一引脚补偿扩大图案或第二引脚补偿扩大图案的图像轮廓补偿距离；

7、s4、在所述第一干膜图案层与第二干膜图案层的刻蚀阻挡下，对所述金属卷带的上表面、下表面进行双面过度蚀刻，所述金属卷带形成的内侧蚀引脚缩于第一引脚补偿扩大图案与第二引脚补偿扩大图案，以形成多个厚引线框架一体连接的卷带；所述厚引线框架的引脚内溃缩侧蚀使得第一间隙维持条与第二间隙维持条的内表面不残留有贴附金属。

8、通过采用上述技术方案，采用双向蚀刻的方式同时对金属卷材的两面进行蚀刻，有利于缩短蚀刻的时间，缓解了由于金属卷材厚所引发的严重侧蚀现象。其次，设置了第一引脚补偿扩大图案、第二引脚补偿扩大图案，提前预留了供侧蚀发生的空间，以保证最终图形的准确性。

9、金属卷材的形式可以有效减少空间占有率。但是在实践中发现，在收放金属卷材时，已经贴在金属卷材两侧的第一感光干膜、第二感光干膜会因为收放卷而拉伸、卷缩，增大了相邻的第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案不经意粘连在一起的几率（尤其是一些间距很小的部分），从而影响后续刻蚀出来的产品的图形准确度。

10、于是，在第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案之间设置了第一间隙维持条，在第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间设置有第二间隙维持条。在收卷金属卷材时，由于第一间隙维持条、第二间隙维持条的存在，相邻的部分相当于被隔开，从而不容易粘连。而在蚀刻时，随着时间的推移，侧蚀现象产生，则会将与第一间隙维持条、第二间隙维持条接触的金属刻蚀掉，不影响最终的产品图形。

11、优选的，在步骤s3中，所述第一间隙维持条或/与第二间隙维持条对金属卷带的附着力大于等于30μm。

12、贴在金属卷材两侧的第一感光干膜、第二感光干膜要经过显影、曝光、刻蚀等一系列工序，而第一间隙维持条/第二间隙维持条与金属卷材的接触面积尤为小，故进一步限定第一间隙维持条/第二间隙维持条对金属卷带的附着力，使第一间隙维持条/第二间隙维持条牢固粘接在金属卷材上以起到防止粘连的效果。也可以降低了由于第一感光干膜、第二感光干膜附着力差而带来蚀刻不均、破坏图形的问题，使得制得的厚引线框架的图形更加准确、流畅。

13、优选的，在步骤s3中，所述第一间隙维持条位于第一感光干膜对应引脚处的内端，所述第二间隙维持条位于第二感光干膜对应引脚处的内端。

14、金属卷材收放时，第一感光干膜、第二感光干膜也随收放发生形变。通过采用上述技术方案，进一限定第一间隙维持条/第二间隙维持条的位置，降低了第一间隙维持条/第二间隙维持条在收放时被拉扯断或粘连在一起的几率。

15、另外，蚀刻通常会从金属卷材的外侧开始朝内侧移动，第一间隙维持条/第二间隙维持条的位置设置也有利于更长效维持图形，提高准确度。

16、优选的，在步骤s3中，所述第一间隙维持条/第二间隙维持条的长度大于等于0.2mm，以维持相邻的所述第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案之间的最小宽度。

17、第一间隙维持条/第二间隙维持条的长度太长，与其接触的金属卷材不容易被完全侧蚀，或被完全侧蚀后过度侧蚀其他部分。第一间隙维持条/第二间隙维持条的长度太短，则起不到理想的隔开效果。

18、通过采用上述技术方案，进一步限定第一间隙维持条/第二间隙维持条的长度第一间隙维持条/第二间隙维持条即可以隔开相邻的第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案，又能在预定范围内被侧蚀掉，保证图形准确度。

19、优选的，在步骤s3中，所述第一间隙维持条与第二间隙维持条错位设置。

20、第一间隙维持条与第二间隙维持条完成将相邻第一引脚补偿扩大图案/第二引脚补偿扩大图案隔开的任务后，与其接触的金属卷材要被完全侧蚀才能不影响产品的图形。

21、如果第一间隙维持条与第二间隙维持条对称设置，被夹持的金属卷材部分相对不容易发生侧蚀，引脚侧表面会形成ε形状。ε形状使产品有更稳定连接的贴面形状。

22、如果将第一间隙维持条与第二间隙维持条错开，在不影响第一间隙维持条、第二维持条功能的前提下，使得侧蚀现象更容易发生，不残留对应部分的金属。

23、优选的，在步骤s4中，线宽补偿中的补偿值在0.9-1.2mm。

24、从设计端将产品尺寸空间进行控制，针对进药水难、其他地方不成比例等问题，设计端充分考虑到蚀刻药水压力和速度作用下正向蚀刻与侧蚀之间的比例值，将补偿值由原来的1.4mm，优化到0.9-1.2mm，满足蚀刻极限压力值下产品尺寸的成型。

25、优选的，在步骤s3中，所述第一干膜图案层具有第一锁孔图案，所述第二干膜图案层具有第二锁孔图案，所述第一锁孔图案/第二锁孔图案的孔径范围在0.025-0.045mm。

26、针对锁孔位置对药水更敏感的特性，将锁孔位置做到1-1.5mm，既满足锁孔位置药水进入效果，也不会因为设计的减小造成其他地方药水过剩所带来尺寸过大问题，设计验证满足产品试产条件。

27、优选的，在步骤s1中，所述金属卷带的厚度为0.5-1.5mm。

28、本技术技术方案适用于厚金属卷带，尤其是在金属卷带厚度为0.5-1.5mm时，效果最佳，图形准确度保持效果最好。

29、第二方面，本技术提供一种厚引线框架，采用如下的技术方案：

30、一种厚引线框架，所述厚引线框架包括芯片基岛以及若干个引脚。

31、第三方面，本技术提供一种半导体封装构造，采用如下的技术方案：

32、一种半导体封装构造,包括：厚引线框架、安装在厚引线框架上的芯片、以及密封芯片的模封胶体。

33、综上所述，本技术具有以下有益效果：

34、1、采用双向蚀刻的方式同时对金属卷材的两面进行蚀刻，有利于缩短蚀刻的时间，缓解了由于金属卷材厚所引发的严重侧蚀现象。

35、2、设置了第一引脚补偿扩大图案、第二引脚补偿扩大图案，提前预留了供侧蚀发生的空间，以保证最终图形的准确性。

36、3、在第一干膜图案层的相邻第一引脚补偿扩大图案之间设置了第一间隙维持条，在第二干膜图案层的相邻第二引脚补偿扩大图案之间设置有第二间隙维持条。收卷金属卷材时，由于第一间隙维持条、第二间隙维持条的存在，相邻的部分相当于被隔开，从而不容易粘连。而在蚀刻时，随着时间的推移，侧蚀现象产生，则会将与第一间隙维持条、第二间隙维持条接触的金属刻蚀掉，不影响最终的产品图形。