技术特征：
1.一种浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有硬掩模层，所述硬掩模层中具有开口，所述基底的部分上表面从所述开口中露出；形成侧墙材料层，所述侧墙材料层覆盖所述硬掩模层的上表面和侧表面，以及覆盖所述基底露出的上表面；执行第一刻蚀步骤，向下刻蚀所述侧墙材料层，露出所述硬掩模层的上表面和所述基底的部分上表面，所述硬掩模层侧表面上的侧墙材料层被保留并作为侧墙；以所述硬掩模层和所述侧墙为掩模，执行第二刻蚀步骤，刻蚀所述基底以在所述基底中形成浅沟槽；以及执行第三刻蚀步骤，刻蚀去除所述侧墙，所述侧墙被去除而露出的所述基底作为所述浅沟槽的肩部；其中，所述第一刻蚀步骤、所述第二刻蚀步骤和所述第三刻蚀步骤在同一干法刻蚀设备中完成。2.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层为无定形碳层；所述无定形碳层采用物理气相沉积工艺或化学气相沉积工艺形成。3.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层为聚合物层；所述聚合物层在所述干法刻蚀设备中形成。4.如权利要求3所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在所述干法刻蚀设备中形成所述聚合物层的工艺条件为：反应气体包括ch3f、ch2f2和he，反应腔体内的气压为3mtorr~8mtorr，反应腔体内的温度为80℃~120℃。5.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤中，采用的刻蚀气体包括hbr、cl2和o2，反应腔体内的气压为5mtorr~10mtorr，反应腔体内的温度为80℃~120℃。6.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第二刻蚀步骤中，首先采用cl2、n2和o2作为刻蚀气体，然后采用hbr、o2和he作为刻蚀气体，反应腔体内的气压维持在10mtorr~15mtorr的范围内，反应腔体内的温度维持在80℃~120℃的范围内。7.如权利要求1所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第三刻蚀步骤中，采用的刻蚀气体包括o2，反应腔体内的温度为100℃~120℃。8.如权利要求1至7任意一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述侧墙材料层的厚度为10nm~50nm。9.如权利要求1至7任意一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，所述第一刻蚀步骤、所述第二刻蚀步骤和所述第三刻蚀步骤由所述干法刻蚀设备的同一程式控制执行。10.如权利要求1至7任意一项所述的浅沟槽隔离结构的形成方法，其特征在于，在执行所述第三刻蚀步骤之后，所述形成方法包括：形成填充材料层，所述填充材料层填满所述浅沟槽且覆盖所述浅沟槽的肩部。
技术总结
本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法。所述形成方法包括：提供基底，基底上形成有具有开口的硬掩模层；形成侧墙材料层，侧墙材料层覆盖硬掩模层的上表面和侧表面，以及覆盖基底露出的上表面；执行第一刻蚀步骤，向下刻蚀侧墙材料层，露出硬掩模层的上表面和基底的部分上表面，硬掩模层侧表面上的侧墙材料层被保留并作为侧墙；以硬掩模层和侧墙为掩模，执行第二刻蚀步骤，刻蚀基底形成浅沟槽；以及执行第三刻蚀步骤，刻蚀去除侧墙，露出的基底作为浅沟槽的肩部；其中，第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤在同一干法刻蚀设备中完成，如此中途不需要将基底从干制程转出至湿制程，有助于缩短浅沟槽隔离结构的生产周期。有助于缩短浅沟槽隔离结构的生产周期。有助于缩短浅沟槽隔离结构的生产周期。
技术研发人员：王冉 林子荏 林祐丞 张二冬 段厚成
受保护的技术使用者：合肥晶合集成电路股份有限公司
技术研发日：2023.03.27
技术公布日：2023/5/5