1.一种feconizrx中熵合金软磁薄膜，其特征在于，所述中熵合金软磁薄膜包括fe、co、ni和zr，其中，fe、co、ni和zr的原子百分比为fe:co:ni:zr＝1:1:1:x，x＝0-1。
2.根据权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述中熵合金软磁薄膜的电阻率为58.5-179.8μω·cm。
3.根据权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，0.2≤x≤0.6。
4.根据权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，x＝0.4。
5.根据权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于，所述软磁薄膜的厚度为500～1500nm。
6.根据权利要求1所述的软磁薄膜，其特征在于：所述软磁薄膜通过共溅射工艺制备。
7.权利要求1-6任一项所述软磁薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中制备的feconi三元合金靶材的厚度0mm＜h≤2mm。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中zr靶材的共溅射功率标定具体包括以下步骤：
10.一种中熵合金软磁薄膜的应用，将权利要求1～5任一所述的中熵合金软磁薄膜用于磁存储器、磁传感器、磁感应器或纳米变压器。