1.一种垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，并在所述纳米孔洞内采用原子沉积的方式沉积第一钝化层，再在所述纳米孔洞内的第一钝化层上采用电子束曝光的方式形成填充孔并沉积al金属颗粒；沉积al金属颗粒后采用钝化材料填充纳米孔洞，所述钝化材料包裹al金属颗粒，所述al金属颗粒、所述光子晶体结构与所述第一钝化层、所述钝化材料形成含有al金属颗粒的光子晶体层包括：
3.根据权利要求2所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述纳米孔洞呈阵列形式。
4.根据权利要求2所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述提供复合衬底，并在所述复合衬底上形成发光外延片，包括：
5.根据权利要求4所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述远离所述导电衬底的一侧进行研磨或电感耦合等离子体刻蚀直至n型掺杂的algan层，之后在n型掺杂的algan层上进行选区刻蚀形成微纳米孔洞，包括：
6.根据权利要求2所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述在所述纳米孔洞的内采用原子沉积的方式沉积第一钝化层，之后在纳米孔洞内的第一钝化层上采用电子束曝光的方式形成填充孔并沉积al金属颗粒包括：
7.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述在所述含有al金属颗粒的光子晶体层上沉积p电极与al金属反射镜，之后通过金属键合层与导电衬底连接，并剥离复合衬底，包括：
8.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的材料包括al2o3或者sio2。
9.根据权利要求1所述的垂直结构深紫外led器件的制备方法，其特征在于，所述刻蚀发光外延片形成纳米孔洞，形成光子晶体结构，并在所述纳米孔洞内采用原子沉积的方式沉积第一钝化层，再在所述纳米孔洞内的第一钝化层上采用电子束曝光的方式形成填充孔并沉积al金属颗粒；沉积al金属颗粒后采用钝化材料填充纳米孔洞，所述钝化材料包裹al金属颗粒，所述al金属颗粒、所述光子晶体结构与所述第一钝化层、所述钝化材料形成含有al金属颗粒的光子晶体层包括：
10.一种垂直结构深紫外led器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述垂直结构深紫外led器件的制备方法制备而成。