1.一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，包括板状的载体结构，载体结构的一端面设置金属层，金属层设置结构凸出的金属基岛或mos芯片含有源极、栅极的一端面设置凸出的金属基岛，使得mos芯片含有源极、栅极的一端面通过金属基岛与金属层连接，mos芯片与金属层之间的空隙设置绝缘层填充，设置塑封体包覆mos芯片与金属层，mos芯片的另一端面通过互联结构与相邻的金属基岛连接。
2.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，载体结构表面附着可剥离的金属层，金属层通过图形电镀的方式形成金属基岛。
3.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，完成mos芯片与载体结构的连接后，使用流动的液态树脂填充mos芯片与金属层之间的空隙形成绝缘层。
4.根据权利要求3中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，绝缘层呈鼓包状，顶部与mos芯片接触，并在mos芯片的边缘外部呈弧面状包裹部分金属层。
5.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，载体结构设置若干个金属基岛，与mos芯片相邻的金属基岛上设置导电导热的垫高块，mos芯片通过互联结构、垫高块与相邻的金属基岛连接。
6.根据权利要求5中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，垫高块的顶高小于或等于mos芯片的顶高。
7.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，互联结构为键合线，mos芯片与键合线一同被塑封体包覆。
8.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，塑封体的上端面与mos芯片的上端面存在一定距离，塑封体设置金属化微孔结构，互联结构通过微孔结构分别与mos芯片及其相邻的金属基岛连接。
9.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，mos芯片的上端面设置电极引线层，塑封体的上端面与电极引线层的上端面平齐，互联结构通过与电极引线层与mos芯片连接。
10.根据权利要求1中所述的一种mos芯片的板级封装结构，其特征在于，载体结构为铜框架、单层pcb板材结构或1.5层板材结构。