1.一种集成式led芯片，其特征在于，包括生长衬底(1)；
2.一种集成式led芯片，其特征在于，包括第一生长衬底(1-1)；
3.一种集成式led芯片，其特征在于，包括生长衬底(1)；
4.如权利要求2所述的集成式led芯片，其特征在于，第一外延结构(2-1)由下到上包括依次层叠设置的负极性层、量子阱发光层和正极性层；
5.如权利要求1或3所述的集成式led芯片，其特征在于，所述外延结构(2)由下到上独立的包括依次层叠设置的负极性层、量子阱发光层和正极性层。
6.如权利要求1或3所述的集成式led芯片，其特征在于，所述扩展电极(4)包括正极型扩展电极和负极型扩展电极；
7.如权利要求1～3任一项所述的集成式led芯片，其特征在于，所述扩展电极(4)由下到上优选包括依次层叠设置的欧姆接触粘结层、反射层、阻挡层和粘结层；
8.如权利要求6所述的集成式led芯片，其特征在于，所述布线线路(7)包括区域一、区域二、区域三和区域四；
9.如权利要求2所述的集成式led芯片，其特征在于，所述布线线路(7)包括区域一、区域二、区域三和区域四；
10.如权利要求1～3任一项所述的集成式led芯片，其特征在于，所述透明绝缘层窗口(6)、反射绝缘层窗口(10)和绝缘层窗口(14)的形状为圆形、椭圆形、方形或菱形；