1.一种半导体装置，其包括：
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述封装衬底上的所述导电点包括多个导电垫，每一导电垫耦合到所述多个柱中的对应柱的所述近端。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述多个柱是使用包括以下各项中的至少一者的半导体封装制造工艺形成于所述多个导电垫上：一或多个光致抗蚀剂膜施加工艺、一或多个图像转印工艺、一或多个图案转印工艺、一或多个材料镀敷工艺、一或多个光致抗蚀剂膜剥离工艺，或者一或多个回熔工艺。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中所述多个柱在所述封装衬底上形成为从所述封装衬底的底部层延伸，使得所述多个焊料球是通过在每一柱的所述焊料锚部分周围形成焊料壳而形成。
5.根据权利要求2所述的半导体装置，其中所述多个柱是使用线接合工艺形成于所述多个导电垫上。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中所述多个柱在所述封装衬底上形成为从所述封装衬底的底部层延伸，使得所述多个焊料球是通过将熔融焊料材料施加到每一柱的所述焊料锚部分而形成。
7.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述焊料锚部分具有包括以下各项中的一者的形状：球形、椭圆形、半球形、圆柱形、圆锥形、截头圆锥形、三角棱柱、立方体、矩形棱柱、五角棱柱、六角棱柱、八角棱柱或其它三维多边形。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个柱中的一或多个柱是穿过所述封装衬底的所述一或多个层中的两个或更多个衬底层形成，其中所述一或多个柱中的每一者的横截面在其延伸穿过所述两个或更多个衬底层时是连续的，在每一柱在所述两个或更多个衬底层中的邻近衬底层之间延伸时，每一柱的所述横截面中不存在超过所述横截面的宽度的一定比例的几何过渡。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中所述一或多个柱中的每一者的所述横截面是以下各项中的一者：在10％的阈值偏差量内是相同的，在其延伸穿过所述两个或更多个衬底层时连续扩大或连续缩小。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个柱中的两个或更多个柱经由一或多个横杆而彼此连接。
11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述多个柱中的每一者的所述支柱部分的所述长度不同于一或多个邻近柱的长度，其中每一柱的所述支柱部分的所述长度基于所述pcb上的对应接触点的高度且不仅仅基于所述封装衬底的翘曲，其中所述pcb上的所述对应接触点的所述高度是基于所述pcb的表面的扫描而确定。
12.一种方法，其包括：
13.根据权利要求12所述的方法，其进一步包括：
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述封装衬底包括第一层、第二层、形成于所述第一层与所述第二层之间的多个导电垫，及形成于所述第二层上或上方的第三层，其中：
15.根据权利要求14所述的方法，其中形成各自在所述对应柱的所述焊料锚部分上及周围的所述多个焊料球包括：
16.根据权利要求14所述的方法，其中所述多个柱是使用包括以下各项中的至少一者的半导体封装制造工艺形成于所述多个导电垫上：一或多个光致抗蚀剂膜施加工艺、一或多个图像转印工艺、一或多个图案转印工艺、一或多个材料镀敷工艺、一或多个光致抗蚀剂膜剥离工艺，或者一或多个回熔工艺。
17.根据权利要求13所述的方法，其中所述封装衬底包括第一层、第二层及形成于所述第一层与所述第二层之间的多个导电垫，其中在所述第二层中形成多个开口，借此暴露所述多个导电垫中的每一者的一部分，其中：
18.根据权利要求17所述的方法，其中形成各自在每一柱的所述焊料锚部分上及周围的所述多个焊料球包括：
19.根据权利要求17所述的方法，其进一步包括：
20.一种半导体装置，其包括：