1.一种含电荷捕获层的复合基底，其特征在于，依次包括：衬底基板、缺陷层、隔离层和电荷捕获层；所述电荷捕获层是对缺陷层的上表面进行离子注入掺杂或界面热扩散掺杂，然后对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后制得。
2.根据权利要求1所述的含电荷捕获层的复合基底，其特征在于，对掺杂处理后的缺陷层进行部分氧化后，掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为电荷捕获层，未掺杂有离子的缺陷层的部分被氧化为隔离层。
3.根据权利要求1所述的含电荷捕获层的复合基底，其特征在于，所述离子注入掺杂的方式为：使用ge+和/或p5+进行离子注入掺杂；所述离子注入的剂量≤1×1014ions/cm2，离子注入的能量为20～30kev。
4.根据权利要求1所述的含电荷捕获层的复合基底，其特征在于，所述界面热扩散掺杂的方式为：将缺陷层的上表面与ge片进行贴片键合，在真空或惰性气氛条件下通过界面热扩散退火达到键合，退火后清洗剥离ge片并干燥。
5.一种含电荷捕获层的复合薄膜，其特征在于，包括权利要求1所述的复合基底以及复合于基底的电荷捕获层上的薄膜层。
6.根据权利要求5所述的含电荷捕获层的复合薄膜，其特征在于，电荷捕获层用于捕获隔离层与薄膜层界面间的电荷。
7.一种制备权利要求5所述的含电荷捕获层的复合薄膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：
8.根据权利要求7所述的含电荷捕获层的复合薄膜的方法，其特征在于，步骤s1中，衬底基板的材料选自硅、蓝宝石、石英、碳化硅、氮化硅、铌酸锂、钽酸锂、石英玻璃中的至少一种；薄膜基体的材料选自铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、砷化镓、硅、陶瓷、四硼酸锂、砷化镓、磷酸钛氧钾、磷酸钛氧铷晶体或石英中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，步骤s3中，基于离子注入法对薄膜基体的工艺面进行注入离子得到薄膜基体注入片时，注入离子选自氢离子、氦离子、氮离子、氧离子、氩离子中的一种；通过调整离子注入的深度和剂量调整薄膜层的厚度和注入层的扩散宽度。
10.权利要求1所述的含电荷捕获层的复合基底或权利要求5所述的含电荷捕获层的复合薄膜在制备电子元器件中的应用。