1.一种电容器件，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第一夹角的范围为100度至130度；所述第二夹角的范围为100度至130度。
3.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，还包括：所述衬底内具有位于所述第一区内的第一下金属层和位于所述第三区内的第二下金属层；位于所述金属层结构表面的第二介质层；位于所述第二介质层上相互分立的第一上金属层和第二上金属层；所述第一导电插塞还连接所述第一下金属层和所述第一上金属层；所述第二导电插塞还连接所述第二下金属层和所述第二上金属层。
4.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述金属层结构的层数为单数，且位于最下层的为第一电极层，所述电容器件还包括：位于所述第三区上的最上层的所述第二电极层上的虚设电极层，所述虚设电极层与所述第一电极层相互分立；所述金属层结构的层数为单数，且位于最下层的为第二电极层，所述电容器件还包括：位于所述第一区上最上层的所述第一电极层上的虚设电极层，所述虚设电极层与所述第二电极层相互分立。
5.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第一电极层的材料包括tin、tan、ta、w、tio、ti、pt和ni中的一者或多者的结合；所述第二电极层的材料包括tin、tan、ta、w、tio、ti、pt和ni中的一者或多者的结合。
6.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第一介质层的材料包括hfo、alo、zro和lao中的一者或多者的结合。
7.如权利要求1所述的电容器件，其特征在于，所述第一电极层的厚度范围为300埃至800埃；所述第二电极层的厚度范围为300埃至800埃。
8.一种电容器件的形成方法，其特征在于，包括：
9.如权利要求8所述的电容器件的形成方法，其特征在于，相邻的第一电极层和第二电极层的形成方法包括：在所述衬底上形成第一电极材料层，或者在上层第二电极层上形成所述第一介质层和位于所述第一介质层上的第一电极材料层；图形化所述第一电极材料层，形成所述第一电极层；所述第一电极层上形成所述第一介质层和位于所述第一介质层上的第二电极材料层；图形化所述第二电极材料层，以形成所述第二电极层。
10.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，图形化所述第一电极材料层的工艺包括干法刻蚀工艺。
11.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，图形化所述第二电极材料层的工艺包括干法刻蚀工艺。
12.如权利要求9所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一电极材料层的形成工艺包括物理气相沉积工艺；所述第二电极材料层的形成工艺包括物理气相沉积工艺。
13.如权利要求8所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述衬底内具有位于所述第一区内的第一下金属层和位于所述第三区内的第二下金属层；所述第一导电插塞还连接所述第一下金属层；所述第二导电插塞还连接所述第二下金属。
14.如权利要求13所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电插塞和所述第二导电插塞的形成方法包括：在所述金属层结构表面形成第二介质层；在所述第一区内、以及所述第一区上的所述金属层结构和所述第二介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔底部暴露出所述第一下金属层；在所述第三区内、以及所述第三区上的所述金属层结构和所述第二介质层内形成第二接触孔，所述第二接触孔底部暴露出所述第二下金属层；在所述第一接触孔内形成所述第一导电插塞；在所述第二接触孔内形成所述第二导电插塞。
15.如权利要求14所述的电容器件的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介质层之后，还形成相互分立的第一上金属层和第二上金属层，所述第一导电插塞还连接所述第一上金属层，所述第二导电插塞还连接所述第二上金属层。
16.如权利要求15所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一导电插塞、所述第二导电插塞、所述第一上金属层和所述第二上金属层的形成方法还包括：在形成所述第一接触孔和所述第二接触孔之后，在所述第二介质层表面、所述第一接触孔和所述第二接触孔内形成导电材料层；刻蚀所述导电材料层，直到暴露出所述第二介质层表面，形成所述第一导电插塞和位于所述第一导电插塞上的所述第一上金属层，形成所述第二导电插塞和位于所述第二导电插塞上的所述第二上金属层。
17.如权利要求8所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述金属层结构的层数为单数，且位于最下层的为第一电极层，所述方法还包括：在形成最上层的第一电极层时，还在所述第三区上最上层的所述第二电极层上形成虚设电极层，所述虚设电极层与所述第一电极层相互分立；所述金属层结构的层数为单数，且位于最下层的为第二电极层，所述方法还包括：在形成最上层的第二电极层时，还在所述第一区上最上层的所述第一电极层上形成虚设电极层，所述虚设电极层与所述第二电极层相互分立。
18.如权利要求8所述的电容器件的形成方法，其特征在于，所述第一夹角的范围为100度至130度；所述第二夹角的范围为100度至130度。