1.一种封装基板，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述电源互连结构还包括位于介质层内的侧壁连接线，所述侧壁连接线用于电连接所述第一焊盘或第二焊盘至所述侧壁导电结构。
3.根据权利要求2所述的封装基板，其特征在于，电源互连结构还包括位于介质层内的电源插塞，所述电源插塞连接所述第一焊盘或第二焊盘，并经所述侧壁连接线电连接至所述侧壁导电结构。
4.根据权利要求3所述的封装基板，其特征在于，所述电源插塞为多个，且沿垂直于所述基板表面的方向依次堆叠。
5.根据权利要求1所述的封装基板，其特征在于，所述侧壁导电结构为线状结构，一侧壁导电结构对应相对的一第一焊盘和一第二焊盘；
6.一种封装基板的形成方法，其特征在于，包括：
7.根据权利要求6所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构的步骤中，还在所述介质层内形成侧壁连接线；
8.根据权利要求7所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构的步骤中，还在所述介质层内形成电源插塞，所述电源插塞与所述侧壁连接线相接；
9.根据权利要求8所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述在所述介质层内形成电源插塞的步骤中，所述电源插塞为多个，且沿垂直于所述基板表面的方向依次堆叠。
10.根据权利要求7所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述介质层包括多个子介质层，所述在所述基板的底面和顶面形成介质层和位于所述介质层中的信号互连结构，包括：
11.根据权利要求10所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述形成子介质层和位于所述子介质层内的信号互连结构，包括：
12.根据权利要求11所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述形成覆盖第一导电层和信号导电沟槽的目标导电材料层，包括：
13.根据权利要求11所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述图形化所述第一导电层和所述子介质层，形成信号导电沟槽之后，所述形成覆盖第一导电层和信号导电沟槽的目标导电材料层之前，还包括：
14.根据权利要求13所述的封装基板的形成方法，其特征在于，在所述形成中间掩膜层的步骤中，所述预设图形暴露用于形成所述信号互连结构和侧壁连接线的区域；
15.根据权利要求13所述的封装基板的形成方法，其特征在于，在所述图形化所述第一导电层和所述子介质层，形成信号导电沟槽的步骤中，同时形成电源导电沟槽；
16.根据权利要求11所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述基板包括多个器件区，一个器件区对应一封装基板，且相邻器件区间包括间隔区；
17.根据权利要求16所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述在所述辅助开口内形成侧壁导电结构，包括：
18.根据权利要求16所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述在所述间隔区内形成辅助开口之后，所述在所述辅助开口内形成侧壁导电结构之前，还包括：
19.根据权利要求18所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述对所述辅助开口进行预处理，包括：
20.根据权利要求16所述的封装基板的形成方法，其特征在于，所述形成子介质层和位于子介质层上的第一导电层的步骤执行至顶层的子介质的步骤时，
21.一种封装结构，其特征在于，包括权利要求1～6任一项所述的封装基板。