1.异质结绝缘栅场效应管，包括：第一材料结构；
2.根据权利要求1所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，所述半导体结构具有电流扩散区、沟道区及第一源接触区，所述电流扩散区与所述第一源接触区具有第一掺杂类型，所述沟道区具有第二掺杂类型；
3.根据权利要求2所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，还具有第二源接触区，所述第二源接触区具有所述第二掺杂类型，所述第二源接触区位于所述第一源接触区背离所述延伸栅的一侧，且所述第二源接触区完全处于所述第二材料结构。
4.根据权利要求3所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，所述第一氧化部包括对应所述电流扩散区的第一氧化段和对应所述第一源接触区的第二氧化段，所述第二源接触区沿所述堆叠的方向贯穿所述电流扩散区。
5.根据权利要求1所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，所述半导体结构具有沿所述堆叠的方向依次堆叠的电流扩散区、沟道区及第一源接触区，所述电流扩散区与所述第一源接触区具有第一掺杂类型，所述沟道区具有第二掺杂类型；
6.根据权利要求5所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，还具有第二源接触区，所述第二源接触区具有所述第二掺杂类型，所述第二材料结构包括位于所述第二源接触区的第二源接触部，所述第二源接触部位于所述第一沟道部背离所述栅极的一侧。
7.根据权利要求5所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，还具有第二源接触区，所述第二源接触区具有所述第二掺杂类型，所述第一材料结构包括位于所述第二源接触区的第三源接触部，所述第三源接触部沿所述堆叠的方向比所述第一沟道部远离所述第一源接触区。
8.根据权利要求5至权利要求7中任一项所述的异质结绝缘栅场效应管，其特征在于，所述第二材料结构包括位于所述电流扩散区的第二电流扩散部，所述栅极包括贯穿所述沟道区的第一延伸段和贯穿所述第二电流扩散部的第二延伸段，所述第二电流扩散部与所述第一延伸段部分地投影重合。
9.用于制造异质结绝缘栅场效应管的方法，包括：形成半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括堆叠的第一材料结构和第二材料结构，所述第二材料结构的碳含量小于所述第一材料结构的碳含量；
10.根据权利要求9所述的用于制造异质结绝缘栅场效应管的方法，其特征在于，所述形成半导体结构的步骤包括：
11.根据权利要求10所述的用于制造异质结绝缘栅场效应管的方法，其特征在于，所述形成半导体结构的步骤还包括：
12.根据权利要求11所述的用于制造异质结绝缘栅场效应管的方法，其特征在于，还包括：形成源极沟槽，所述源极沟槽与所述栅极沟槽间隔设置，且延伸入所述第一材料结构或所述第二材料结构；及形成源极。
13.半导体器件，包括：