阵列基板、显示面板和显示装置的制作方法

本公开的实施例涉及一种阵列基板、显示面板和显示装置。

背景技术：

1、低温多晶硅薄膜晶体管(low-temperature polycrystalline silicon thinfilm transistor,ltps tft)技术已经日渐成熟，相比于非晶硅薄膜晶体管和金属氧化物薄膜晶体管，低温多晶硅薄膜晶体管具有更高的载流子迁移率，能够增强采用该低温多晶硅薄膜晶体管的显示器件的驱动能力，以降低功耗。目前的低温多晶硅薄膜晶体管的结构为顶栅结构(top gate structure)，在将低温多晶硅薄膜晶体管用于液晶显示面板时，需要设计遮光层对沟道区进行完全覆盖，否则低温多晶硅的沟道区会产生漏光的现象。

技术实现思路

1、本公开至少一实施例提供一种阵列基板、显示面板和显示装置，在该阵列基板中，遮光层在衬底基板上的正投影至少覆盖第一沟道区和第一过孔结构在衬底基板上的正投影，该阵列基板通过调整遮光层的设计可以减少后续形成的显示面板的漏电流，以提升像素电容的保持能力，从而可以改善低频下闪烁的问题，而且还可以保证后续形成的显示面板的开口率。

2、本公开至少一实施例提供一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板和层叠设置在所述衬底基板上的半导体层和遮光层，所述半导体层包括相对设置的第一分支部和第二分支部，以及连接所述第一分支部和所述第二分支部的连接部，所述第一分支部包括第一沟道区，所述第二分支部包括第二沟道区，在所述第一分支部的远离所述衬底基板的一侧具有第一过孔结构，且所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一分支部的远离所述连接部的端部在所述衬底基板上的正投影之内；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影至少覆盖所述第一沟道区和所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影。

3、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述第二分支部的远离所述衬底基板的一侧具有第二过孔结构，且所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第二分支部的远离所述连接部的端部在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二过孔结构与所述连接部之间的最小距离大于或者等于所述第一过孔结构与所述连接部之间的最小距离。

4、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影之外。

5、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述衬底基板上设置有多个薄膜晶体管，所述遮光层的对应于不同的所述薄膜晶体管的部分相互间隔，所述遮光层的对应于同一个所述薄膜晶体管的所述第一沟道区和所述第二沟道区的部分为一个整体结构。

6、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述第一分支部和所述第二分支部均沿第一方向延伸，所述连接部沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一分支部、所述第二分支部和所述连接部围设形成开口区域，所述遮光层覆盖至少部分所述开口区域。

7、例如，本公开至少一实施例提供的阵列基板还包括设置在所述半导体层的远离所述衬底基板的一侧的第一金属层，所述第一金属层包括在所述第二方向上延伸的栅线，所述栅线包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影和所述第一沟道区在所述衬底基板上的正投影交叠，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影和所述第二沟道区在所述衬底基板上的正投影交叠。

8、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，在所述第一方向上所述遮光层和所述连接部之间具有间隙。

9、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述衬底基板上设置有多个薄膜晶体管，所述遮光层的对应于不同的所述薄膜晶体管的部分相互间隔，所述遮光层的对应于同一个所述薄膜晶体管的所述第一沟道区和所述第二沟道区的部分分别为第一子遮光部和第二子遮光部，且所述第一子遮光部和所述第二子遮光部相互间隔。

10、例如，在本公开至少一实施例提供的阵列基板中，所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子遮光部在所述衬底基板上的正投影内，所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子遮光部在所述衬底基板上的正投影之外。

11、本公开至少一实施例还提供一种显示面板，该显示面板包括相对设置的第一基板和第二基板，其中，所述第一基板包括衬底基板和层叠设置在所述衬底基板上的半导体层和遮光层；所述第二基板包括黑矩阵；所述半导体层包括相对设置的第一分支部和第二分支部，以及连接所述第一分支部和所述第二分支部的连接部，所述第一分支部包括第一沟道区，所述第二分支部包括第二沟道区，在所述第一分支部的远离所述衬底基板的一侧具有第一过孔结构，且所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一分支部的远离所述连接部的端部在所述衬底基板上的正投影之内；所述遮光层在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影之内，且至少覆盖所述第一沟道区和所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影。

12、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二分支部的远离所述连接部的端部对应第二过孔结构，所述第二过孔结构相对于所述第一过孔结构更远离所述连接部。

13、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述遮光层的材料包括导电金属，所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影，且所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述遮光层在所述衬底基板上的正投影之外。

14、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一基板上设置有多个薄膜晶体管，所述遮光层的对应于不同的所述薄膜晶体管的部分相互间隔，所述遮光层的对应于同一个所述薄膜晶体管的所述第一沟道区和所述第二沟道区的部分为一个整体结构。

15、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一分支部和所述第二分支部均沿第一方向延伸，所述连接部沿与所述第一方向交叉的第二方向延伸，所述第一分支部、所述第二分支部和所述连接部围设形成开口区域，所述遮光层覆盖至少部分所述开口区域。

16、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一基板还包括设置在所述半导体层的远离所述衬底基板的一侧的第一金属层，所述第一金属层包括在所述第二方向上延伸的栅线，所述栅线包括第一栅极和第二栅极，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影和所述第一沟道区在所述衬底基板上的正投影交叠，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影和所述第二沟道区在所述衬底基板上的正投影交叠。

17、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一栅极在所述衬底基板上的正投影在所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影之内，所述第二栅极在所述衬底基板上的正投影在所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影之内。

18、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，在所述第一方向上所述遮光层和所述连接部之间具有间隙。

19、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述遮光层的对应所述第一分支部的部分的靠近所述连接部的边缘在所述衬底基板上的正投影与所述黑矩阵的对应所述第一分支部的部分的靠近所述连接部的边缘在所述衬底基板上的正投影交叠。

20、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述遮光层的对应所述第一分支部的部分的最远离所述连接部的边缘在所述衬底基板上的正投影和所述黑矩阵的对应所述第一分支部的部分的最远离所述连接部的边缘在所述衬底基板上的正投影相交叠。

21、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述遮光层的远离所述连接部的边在所述衬底基板上的正投影包括位于所述第一过孔结构的远离所述连接部的一侧的第一部分和位于所述第二过孔结构的远离所述连接部的一侧的第二部分，所述第二部分在所述衬底基板上的正投影位于所述黑矩阵的最远离所述第二过孔结构的边在所述衬底基板上的正投影之内。

22、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一基板上设置有多个薄膜晶体管，所述遮光层的对应于不同的所述薄膜晶体管的部分相互间隔，所述遮光层的对应于同一个所述薄膜晶体管的所述第一沟道区和所述第二沟道区的部分分别为第一子遮光部和第二子遮光部，且所述第一子遮光部和所述第二子遮光部相互间隔。

23、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第一子遮光部在所述衬底基板上的正投影内，所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影位于所述第二子遮光部在所述衬底基板上的正投影之外。

24、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第二分支部的远离所述连接部的端部对应第二过孔结构，所述第二过孔结构和所述连接部之间的最大距离等于所述第一过孔结构和所述连接部之间的最大距离。

25、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述遮光层的材料包括非导电遮光材料，所述黑矩阵在所述衬底基板上的正投影和所述遮光层在所述衬底基板上的正投影均覆盖所述第二过孔结构在所述衬底基板上的正投影。

26、例如，在本公开至少一实施例提供的显示面板中，所述第一基板上设置有多个薄膜晶体管，所述遮光层的对应于不同的所述薄膜晶体管的部分相互间隔，所述遮光层的对应于同一个所述薄膜晶体管的所述第一沟道区和所述第二沟道区的部分为整体结构或者为相互间隔的结构。

27、本公开至少一实施例还提供一种显示装置，该显示装置包括上述任一实施例所述的阵列基板，或者如上任一实施例所述的显示面板。