1.一种高耐压的增强型cavet，其特征在于，包括：衬底，具有相对设置的第一表面和第二表面；缓冲层设置于所述第一表面上；
2.根据权利要求1的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，所述第一电流阻挡层的掺杂浓度小于第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层的掺杂浓度小于第三电流阻挡层，所述电流阻挡层的掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1017cm-3。
3.根据权利要求1的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，所述第一电流阻挡层的厚度大于所述第二电流阻挡层的厚度，所述第二电流阻挡层的厚度大于所述第三电流阻挡层的厚度，所述电流阻挡层的厚度为200～400nm。
4.根据权利要求1至3任一项的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，第一p型gan帽层区域、第二p型gan帽层区域和第三p型gan帽层区域均由第一掺杂浓度的p型gan帽层和第二掺杂浓度的p型gan帽层层叠而成。
5.根据权利要求4的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，所述第一掺杂浓度的p型gan帽层和第二掺杂浓度的p型gan帽层的厚度之和为10nm～100nm之间。
6.根据权利要求4的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，第一掺杂浓度的p型gan帽层的掺杂浓度大于第二掺杂浓度的p型gan帽层，所述p型gan帽层的掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1017cm-3。
7.根据权利要求5或6的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，所述沟道层为gan沟道层，其厚度为40～50nm。
8.根据权利要求5或6的所述高耐压的增强型cavet，其特征在于，所述势垒层为algan势垒层，其厚度为10～20nm，al组分为20％～30％之间。
9.一种高耐压的增强型cavet的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9的所述制备方法，其特征在于，所述第一电流阻挡层的掺杂浓度小于第二电流阻挡层，所述第二电流阻挡层的掺杂浓度小于第三电流阻挡层，所述电流阻挡层的掺杂浓度为1×1017cm-3～5×1017cm-3。