1.一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述单晶硅衬底为soi衬底或体硅衬底。
3.根据权利要求2所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述单晶硅衬底为soi衬底时，所述单晶硅衬底自下而上包含了硅衬底、埋氧化硅层和顶硅层三个部分。
4.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述多晶硅层厚度0.05~0.2微米，表面掺杂浓度为1x1018~5x1020 cm-3。
5.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述氮化硅厚度为0.05~0.3微米。
6.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述氧化硅通过两次沉积，分别沉积第一氧化硅层和第二氧化硅层，所述第一氧化硅层用于定义锗外延窗口，所述第二氧化硅层用于定义接触孔。
7.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述高温快速热退火温度范围为700~900℃。
8.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述高温快速热退火在惰性气氛下进行，退火时间为5~300秒。
9.根据权利要求1所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法，其特征在于：所述单晶锗层包括非掺杂外延锗层和掺杂外延锗层。
10.一种锗光电探测器，其特征在于：通过权利要求1-9中任一项所述的一种通过应力记忆技术提高锗光电探测器长波响应的方法制得。