1.一种发光二极管，其特征在于，从下至上依次包括：衬底、第一缓冲层、第二缓冲层、第三缓冲层、第四缓冲层、n型半导体层、发光层和p型半导体层，其中，所述第一缓冲层为alon层和第一algan层交替生长形成的周期性结构，所述第二缓冲层为第二algan层，所述第三缓冲层为第三algan层和第四algan层交替生长形成的周期性结构，所述第四缓冲层为第五algan层和ingan层交替生长形成的周期性结构。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，从所述第一缓冲层至所述第四缓冲层，al组分呈渐变递减趋势。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一algan层为alaga1-an层，a的取值范围为0.9～1。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，沿着所述第一缓冲层至所述第四缓冲层的方向，每个周期的所述alon层的o组分占比逐渐降低和/或每个周期的所述alon层的单层厚度逐渐降低。
5.如权利要求4所述的发光二极管，其特征在于，所述第一缓冲层的最靠近所述衬底的周期中的alon层的o组分占比为0.1～0.2，且所述第一缓冲层的最靠近所述第二缓冲层的周期中的alon层的o组分占比为0.005～0.1。
6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述第二algan层为albga1-bn层，b的取值范围为0.8～1，且a≥b。
7.如权利要求6所述的发光二极管，其特征在于，所述第三algan层为alcga1-cn层，所述第四algan层为aldga1-dn层，c的取值范围为0.6～0.7，d的取值范围为0.2～0.4，且a≥b＞c＞d。
8.如权利要求7所述的发光二极管，其特征在于，所述第五algan层为alega1-en层，e的取值范围为0.1～0.3，所述ingan层为infga1-fn层，f的取值范围为0.01～0.05，且a≥b＞c＞d≥e＞f。
9.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或图形化蓝宝石衬底。
10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第一缓冲层的周期数为3～10，且在所述第一缓冲层的每个周期中，所述alon层和所述第一algan层的厚度均为1nm～3nm。
11.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度为5nm～30nm。
12.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第三缓冲层的周期数为3～7，且在所述第三缓冲层的每个周期中，所述第三algan层的厚度为50nm～55nm，所述第四algan层的厚度为45nm～50nm。
13.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述第四缓冲层的周期数为3～7，且在所述第四缓冲层的每个周期中，所述第五algan层和所述ingan层的厚度均为45nm～50nm。
14.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括非故意掺杂层，所述非故意掺杂层位于所述第四缓冲层与所述n型半导体层之间，且所述非故意掺杂层的材料包括gan和algan中的一种。
15.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述发光二极管还包括n型电极和p型电极，所述n型电极与所述n型半导体层电连接，所述p型电极与所述p型半导体层电连接。
16.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
17.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，从所述第一缓冲层至所述第四缓冲层，al组分呈渐变递减趋势。
18.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一algan层为alaga1-an层，a的取值范围为0.9～1。
19.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，沿着所述第一缓冲层至所述第四缓冲层的方向，每个周期的所述alon层的o组分占比逐渐降低和/或每个周期的所述alon层的单层厚度逐渐降低。
20.如权利要求19所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层的最靠近所述衬底的周期中的alon层的o组分占比为0.1～0.2，且所述第一缓冲层的最靠近所述第二缓冲层的周期中的alon层的o组分占比为0.005～0.1。
21.如权利要求18所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二algan层为albga1-bn层，b的取值范围为0.8～1，且a≥b。
22.如权利要求21所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第三algan层为alcga1-cn层，所述第四algan层为aldga1-dn层，c的取值范围为0.6～0.7，d的取值范围为0.2～0.4，且a≥b＞c＞d。
23.如权利要求22所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第五algan层为alega1-en层，e的取值范围为0.1～0.3，所述ingan层为infga1-fn层，f的取值范围为0.01～0.05，且a≥b＞c＞d≥e＞f。
24.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述衬底为蓝宝石衬底或图形化蓝宝石衬底。
25.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第一缓冲层的周期数为3～10，且在所述第一缓冲层的每个周期中，所述alon层和所述第一algan层的厚度均为1nm～3nm。
26.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第二缓冲层的厚度为5nm～30nm。
27.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第三缓冲层的周期数为3～7，且在所述第三缓冲层的每个周期中，所述第三algan层的厚度为50nm～55nm，所述第四algan层的厚度为45nm～50nm。
28.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，所述第四缓冲层的周期数为3～7，且在所述第四缓冲层的每个周期中，所述第五algan层和所述ingan层的厚度均为45nm～50nm。
29.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括在所述第四缓冲层与所述n型半导体层之间形成非故意掺杂层，且所述非故意掺杂层的材料包括gan和algan中的一种。
30.如权利要求16所述的发光二极管的制备方法，其特征在于，还包括形成n型电极和p型电极，所述n型电极与所述n型半导体层电连接，所述p型电极与所述p型半导体层电连接。