带电粒子光学器件部件及其制造的制作方法

本发明整体涉及带电粒子光学器件部件的领域。更具体地，本发明涉及用于带电粒子束显微镜或平版印刷的具有电极的有源带电粒子光学器件部件。

背景技术：

1、带电粒子束显微镜广泛用于成像和/或处理样本或其一部分。与光学显微镜相比，这些带电粒子束显微镜因带电粒子束的更短波长而通常提供更高分辨率。然而，与光学显微镜一样，带电粒子束显微镜也遭受透镜像差。这些像差可包括由显微镜部件的几何结构诸如产生旋转对称场的旋转对称电磁透镜引起的几何像差，诸如球面像差。像差还可包括由显微镜部件对束中不同能量的粒子的不同效应引起的色差诸如色散。这些像差的结果是降低了显微镜系统的分辨率。该降低可能是严重的，并且可使显微镜系统的分辨率例如从几十皮米(pm)变差到几十纳米(nm)。因此，像差校正器可在显微镜系统中、具体地在带电粒子束显微镜中具有显著优点，在该显微镜系统中低分辨率意指甚至小像差也可能是相关的。

2、像差校正器表示本技术的实施方案可涉及的示例性有源带电粒子光学器件部件。虽然这些像差校正器在减少像差方面可能是有利的，但像差校正器通常是包括多个不同多极元件的复杂部件。理想的是，在像差校正器中，这些多极元件应以前所未有的机械精度(通常低于5μm)被制造、对准并堆叠在一起。然而，通常情况并非如此，因为带电粒子光学器件部件及其元件的制造中的机械误差是典型的并且可能是制造工艺本身所固有的。例如，一种此种工艺可以是火花侵蚀工艺，在该火花侵蚀工艺中通过使用电极产生火花来制造带电粒子光学器件部件，这些火花帮助侵蚀带电粒子光学器件部件的工作材料。这些机械误差可导致显微镜系统的所谓的‘寄生’像差。补偿寄生像差可需要将像差校正器中的更多额外多极元件安装在显微镜系统中，从而产生昂贵的像差校正器。

技术实现思路

1、本发明的目的是提供具有更精确和/或更可靠性能和/或对带电粒子束显微镜系统的寄生像差具有减小贡献的带电粒子光学器件部件以及相应的制作方法。本技术的实施方案还涉及此类带电粒子光学器件部件的制造方法。

2、该目的或目标利用以下权利要求和实施方案来实现。

3、本发明涉及用于在带电粒子光学器件中使用的装置及其制造或制作方法。尽管并未明确陈述，但关于这些类别中的一种类别明确陈述的任何特征也适用于其它类别。

4、本发明包括具有至少两个电极或如本领域通常已知的多极部件的电极部件。这些电极中的每个电极可设置有形成游离电极的束相邻区段或端部区段。该区段是暴露于相当大电压的区段，并且仍然旨在关于在显微镜或平版印刷设备中引导和/或控制一束带电粒子束非常可靠且精确地工作。该相邻区段定位成位于带电粒子束附近或靠近该带电粒子束或者甚至更好地面向该带电粒子束。

5、束相邻区段或面向束的表面可具有小于期望最大绝对尺寸公差的绝对尺寸公差。期望最大绝对尺寸公差是可基于可施加到上述至少两个电极中的任一个电极的最大电压的。期望最大绝对尺寸公差也是可基于束能量、电极的有效长度、另一部件的像差系数或任何其它相关因素中的任一者的。

6、电极部件的束相邻区段可具有至少0.10μm、优选地至少100μm、更优选地至少500μm、更优选地至少1,000μm(1mm)的厚度或有效厚度。这具有以下优选优点：装置可在具有高粒子能量的带电粒子光学器件中使用，因为可增加电极的可适用表面。

7、有效厚度可通过一个电极层及其束相邻区段的相应厚度的经典布置或者通过多于一个电极层或电极堆叠及其聚集或组合厚度以及这些电极之间的距离建立。在两个电极的堆叠的情况下，有效厚度然后将产生相应电极的每个束相邻区段的组合厚度加上这些电极之间的距离。在三个电极的堆叠的情况下，有效厚度然后将由每个电极或电极层的每个束相邻区段的厚度加上这些电极之间的距离产生。

8、束相邻区段可具有被配置为面向束的表面。该表面可平行于束轴线或倾斜于束轴线。该表面可具有0.05μm的最大表面粗糙度ra。利用这种精确地制造的表面，可生成更精确和/或更高效的场，从而能够更精确地且更高效地控制该带电粒子束。

9、束相邻区段、具体地该束相邻区段面向带电粒子束的表面或其相关部分可具有1μm的最大绝对尺寸公差。这也能够更好、更精确地或更高效地控制带电粒子束。

10、术语绝对尺寸公差旨在意旨制造或制作的预设尺寸值的最大偏差。尺寸值可以是轮廓形貌，诸如作为面向束的表面的表面、线形貌、长度、直径等的值。

11、本技术的实施方案对于有源带电粒子光学器件部件的形成或制造可以是特别有利的，并且可向此类部件提供稳健、高效和精确的制造过程。有源带电粒子光学器件部件可被认为是在使用过程期间其物理效应可变化的部件。例如，在带电粒子显微镜系统的上下文中，广泛地使用静电多极，这些静电多极基于在静电多极内部生成的静电场的大小来致使带电粒子束偏转限定角度。静电多极中的静电场可例如通过向一对电极施加相等且相反的电压来生成。该电压可变化并且因此静电多极的偏转角度可根据需要改变。

12、本发明还可涉及另选的制造技术，该另选的制造技术在制造中具有固有的更高精度，因此，可不需要用于校正寄生像差的额外多极元件。

13、根据本发明，可提供电极堆叠，该电极堆叠包括沿束的轴线的至少两个电极层。在这种情况下，电极的有效厚度包括每个电极层的厚度和这些电极之间的距离。

14、该堆叠然后与坚固且更厚的单个电极层对应。

15、束相邻区段可具有最小厚度，该最小厚度被配置为与具有大于10kev的束能量的束一起使用。这可以更高效且精确的方式控制束。根据本发明的装置也可用于或配置用于更低的束能量。

16、术语厚度旨在包括电极沿束传播方向的尺寸。

17、束能量可被理解成包括束中粒子的中值/平均能量。该束能量还可包括束中粒子的最大能量。

18、本发明还涉及前述特征或实施方案中的至少两个或所有特征或实施方案的组合。

19、最小厚度可被配置为与具有以下束能量的束一起使用：至少15kev、至少20kev、更优选地至少30kev、更优选地至少50kev、甚至更优选地至少100kev、甚至更优选地至少150kev、甚至更优选地至少200kev、并且甚至最优选地至少300kev。

20、面向束的表面可具有0.04μm的最大表面粗糙度为ra、优选地0.03μm的最大表面粗糙度ra、更优选地0.02μm的最大表面粗糙度ra、更优选地0.01μm的最大表面粗糙度ra、甚至更优选地0.0075μm的最大表面粗糙度ra、并且最优选地0.005μm的最大表面粗糙度ra。这可帮助防止任何不想要的效应，诸如电极之间的不想要的或早期的放电和/或装置的更精确的操作和束的控制。

21、面向束的表面可具有0.9μm、优选地0.8μm、更优选地0.7μm、甚至更优选地0.6μm、甚至更优选地0.5μm、甚至更优选地0.4μm、甚至更优选地0.3μm、甚至更优选地0.2μm的最大绝对尺寸公差、甚至更优选地0.1μm、甚至更优选地0.05μm的最大绝对尺寸公差、并且最优选地0.02μm的最大绝对尺寸公差。这些公差取决于选取的高精度制造过程。这可有助于更可靠且精确地控制带电粒子束并且防止任何不想要的效应，诸如电极之间不想要的或提前的放电。

22、装置优选地作为像差校正器工作，其中所有前述特征帮助更高效地并且以更高精度工作。

23、本发明还包括形成电极的至少端部区段或束相邻区段。

24、该装置还可包括或可附接到用于支撑电极的优选地具有电绝缘特性的基底。因此，电极部件可被隔离或电屏蔽。基底可包括玻璃、派热克斯和/或覆盖有绝缘材料(诸如氧化硅)的(半)导电材料中的任一者。

25、基底可具有至少100μm、优选地至少500μm、更优选地至少1,000μm或1mm、优选地至少1,250μm、更优选地至少1,500μm、甚至更优选地至少2,000μm、甚至更至少2,500μm、甚至更至少3,000μm、并且最优选地至少5,000μm的厚度。这对于在较高束能量下应用这些元素是相关的或至关重要的。

26、基底可附接或固定到电极部件，并且可具有与面向束的表面齐平或对准的一个或多个基底束表面。电极部件和基底可直接地或通过中间层布置或固定在一起。这可通过晶片键合和/或通过胶合在一起来实现。

27、电极部件可具有被配置为与电压源连接的连接器。电极部件的厚度可在其延伸范围上相等或不同。连接器也可形成在电路板中和/或电路板上并且连接到电极。

28、电极部件可以是具有2xn个极的多极部件，其中n是整数。可提供2个、4个、6个、8个或甚至更多个，诸如16个、24个或32个极，仅举几个示例。电极的数量取决于光学元件的预期功能。

29、用于带电粒子束的至少两个通路可由一(an)或一个(one)电极部件提供。该电极部件、具体地其电极必须被形成以限定多个通路。例如，可提供用于两个带电粒子束中的每个带电粒子束的四极，其中一个共同电极定位在两个通路之间。因此，两个四极可共享共同电极。

30、电极部件可包括至少两个分度标记，以便具体地在组装时将电极部件与任何其它部件诸如基底对准。

31、分度标记可在这些部件中的至少一个部件(诸如电极部件)中包括四个微孔。对准公差在任何侧向或轴向取向上可总计为最多1μm。在任何侧向或轴向取向上的对准公差可总计为最多1μm。

32、这些部件在平面取向中的任何角取向上的对准公差可总计为最多5毫弧度、优选地3毫弧度。

33、在部件与彼此的任何倾斜取向上的对准公差总计为最多1毫弧度，从而意指电极部件和基底的平面的倾斜。

34、装置可通过高精度成形工艺形成。这包括具有最多1μm的制作公差的任何工艺，诸如平版印刷、反应离子蚀刻(rie)、深反应离子蚀刻(drie)、深干蚀刻、湿蚀刻、硅晶片成形、沉积涂覆(例如，溅射、cvd、ald)。

35、可由导电si晶片材料和/或具有金属涂层的半导体si晶片形成电极的至少相邻区段或整个电极。

36、下面是装置实施方案的列表。那些装置实施方案将用字母“d”表示。每当提及此类实施方案时，将通过提及“d”实施方案来实现。

37、d1.一种用于在带电粒子光学器件中使用的装置，包括：

38、电极部件(302)，该电极部件具有至少两个电极(302a,302b)，每个电极设置有束相邻区段，

39、该束相邻区段具有小于期望最大绝对尺寸公差的绝对尺寸公差，其中该期望最大绝对尺寸公差至少是基于要施加到该至少两个电极(302a,302b)中的任一个电极的最大电压的。

40、d2.一种用于在带电粒子光学器件中使用的装置，该装置包括：

41、电极部件(302)，该电极部件具有至少两个电极(302a,302b)，每个电极设置有束相邻区段，

42、该束相邻区段具有1μm的最大绝对尺寸公差。

43、d3.一种用于在带电粒子光学器件中使用的装置，包括：

44、电极部件(302)，该电极部件具有至少两个电极(302a,302b)，每个电极设置有束相邻区段，

45、该束相邻区段具有被配置为面向束的表面(302c)，该表面具有0.05μm的最大表面粗糙度ra。

46、d4.一种用于在带电粒子光学器件中使用的装置，包括：

47、电极部件(302)，该电极部件具有至少两个电极(302a,302b)，每个电极设置有具有最小有效厚度的束相邻区段，该最小有效厚度被配置为与大于10kev的束能量一起使用。

48、d5.根据前述装置实施方案中任一项的至少两者的组合所述的装置。

49、d6.根据任何前述装置实施方案所述的装置，具有电极堆叠，该电极堆叠包括沿该束的轴线的至少两个电极层。

50、d7.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中这些电极限定沿该束的该轴线的有效厚度(l)。

51、d8.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中这些电极的该有效厚度(l)包括每个电极层的厚度和这些电极之间的距离。

52、d9.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中期望最大绝对尺寸公差也是基于这些电极的该有效厚度(l)的。

53、d10.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段具有至少0.10μm的有效厚度(l)。

54、d11.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段具有至少100μm的有效厚度。

55、d12.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为500μm。

56、d13.根据相关前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为1,000μm。

57、d14.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为1,250μm。

58、d15.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为1,500μm。

59、d16.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为2,000μm。

60、d17.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为2,500μm。

61、d18.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为3,000μm。

62、d19.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为5,000μm。

63、d20.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少15kev的束能量一起使用。

64、d21.根据前三项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少20kev的束能量一起使用。

65、d22.根据前四项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少30kev的束能量一起使用。

66、d23.根据前五项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少50kev的束能量一起使用。

67、d24.根据前六项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少100kev的束能量一起使用。

68、d25.根据前七项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少150kev的束能量一起使用。

69、d26.根据前八项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少200kev的束能量一起使用。

70、d27.根据前九项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该最小有效厚度被配置为与至少300kev的束能量一起使用。

71、d28.根据前十项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该期望最大绝对尺寸公差也是基于该束能量的。

72、d29.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中面向束的表面(302c)具有0.04μm的最大表面粗糙度ra。

73、d30.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.03μm的最大表面粗糙度ra。

74、d31.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.025μm的最大表面粗糙度ra。

75、d32.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.02μm的最大表面粗糙度ra。

76、d33.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.01μm的最大表面粗糙度ra。

77、d34.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.0075μm的最大表面粗糙度ra。

78、d35.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.005μm的最大表面粗糙度ra。

79、d36.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.9μm的最大绝对尺寸公差。

80、d37.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.8μm的最大绝对尺寸公差。

81、d38.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.7μm的最大绝对尺寸公差。

82、d39.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.6μm的最大绝对尺寸公差。

83、d40.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.5μm的最大绝对尺寸公差。

84、d41.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.4μm的最大绝对尺寸公差。

85、d42.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.3μm的最大绝对尺寸公差。

86、d43.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.2μm的最大绝对尺寸公差。

87、d44.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.1μm的最大绝对尺寸公差。

88、d45.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.05μm的最大绝对尺寸公差。

89、d46.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该面向束的表面(302c)具有0.02μm的最大绝对尺寸公差。

90、d47.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该装置被配置用于在像差校正器中实现。

91、d48.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，还包括用于支撑电极的具有电绝缘性质的基底(306)。

92、d49.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该基底(306)包括玻璃、派热克斯和/或覆盖有绝缘材料(诸如氧化硅)的导电材料中的任一者。

93、d50.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该基底(306)具有至少100μm的厚度。

94、d51.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该基底(306)具有至少500μm的厚度。

95、d52.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该基底(306)具有至少1,000μm的厚度。

96、d53.根据前两项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)具有至少1,250μm的厚度。

97、d54.根据前三项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)具有至少1,500μm的厚度。

98、d55.根据前四项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)具有至少2,000μm的厚度。

99、d56.根据前五项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)具有至少2,500μm的厚度。

100、d57.根据前六项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)具有至少3,000μm的厚度。

101、d58.根据前七项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)具有至少5,000μm的厚度。

102、d59.根据前八项装置实施方案中任一项所述的装置，其中该基底(306)固定到该电极部件(302)并且具有与该面向束的表面(302c)齐平的至少一个面向基底束的表面。

103、d60.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该电极部件(302)和该基底(306)通过中间层(304)固定在一起。

104、d61.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该电极部件(302)和该基底(306)通过晶片键合固定在一起。

105、d62.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该电极部件(302)和该基底(306)被胶合在一起。

106、d63.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该电极部件(302)具有被配置为与电压源连接的连接器。

107、d64.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中该电极部件(302)是具有2xn个极的多极部件，其中n是整数。

108、d65.根据前述装置实施方案所述的装置，该装置形成用于带电粒子束的至少两个通路。

109、d66.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中针对该两个带电粒子束中的每个带电粒子束提供多极诸如四极。

110、d67.根据前一项装置实施方案所述的装置，其中该两个四极共享共同电极。

111、d68.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，其中电极部件(302)包括至少两个分度标记(408)，以便将该电极部件(302)与任何其它部件诸如该基板(306)对准。

112、d69.根据前两项装置部件中任一项所述的装置，其中这些分度标记(408)在这些部件中的至少一个部件(诸如电极部件)中包括四个微孔(408)。

113、d70.根据前三项装置实施方案中任一项所述的装置，其中对准公差在任何侧向或轴向取向上为最多1μm。

114、d71.根据前四项装置实施方案中任一项所述的装置，其中在任何侧向或轴向取向上的这些对准公差总计为最多1μm。

115、d72.根据前五项装置实施方案中任一项所述的装置，其中这些部件在平面取向上的任何角取向的这些对准公差总计为最多5毫弧度。

116、d73.根据前六项装置实施方案中任一项所述的装置，其中在这些部件与彼此的任何倾斜取向上的这些对准公差总计为最多1毫弧度。

117、d74.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置，该装置已通过高精度成形工艺形成。

118、d75.一种具有根据前述实施方案中任一项所述的装置的像差校正器。

119、下面是组件实施方案的列表。那些组件实施方案将用字母“a”表示。每当提及此类实施方案时，将通过提及“a”实施方案来实现。

120、a1.用于在带电粒子光学器件中使用的根据前述装置实施方案中任一项所述的装置的组件。

121、a2.具有根据前一项组件实施方案所述的组件的带电粒子束显微镜。

122、a3.一种具有根据组件实施方案a1所述的组件的带电粒子束平版印刷系统。

123、下面是方法实施方案的列表。那些方法实施方案将用字母“m”表示。每当提及此类实施方案时，将通过提及“m”实施方案来实现。

124、m1.用于在带电粒子光学器械中使用的装置的制造方法，包括以下步骤：形成具有至少两个电极的电极部件，每个电极设置有束相邻区段，该束相邻区段具有小于期望最大绝对尺寸公差的绝对尺寸公差，其中该期望最大绝对尺寸公差至少是基于要施加到该电极的最大电压的。

125、m2.用于在带电粒子光学器械中使用的装置的制造方法，包括以下步骤：形成具有至少两个电极的电极部件，每个电极设置有束相邻区段，该束相邻区段具有1μm的最大绝对尺寸公差。

126、m3.用于在带电粒子光学器械中使用的装置的制造方法，包括以下步骤：形成具有至少两个电极的电极部件，每个电极设置有束相邻区段，该束相邻区段具有被配置为面向所具有的最大表面粗糙度ra为0.05μm的束的表面。

127、m4.用于在带电粒子光学器件中使用的装置的制造方法，该装置包括：电极部件，该电极部件具有至少两个电极，每个电极设置有具有最小有效厚度的束相邻区段，该最小有效厚度被配置为与大于10kev的束能量一起使用。

128、m5.用于在带电粒子光学器件中使用的装置的制造方法，该装置包括：电极部件，该电极部件具有至少两个电极，每个电极设置有利用高精度成形工艺形成的束相邻区段。

129、m6.根据前述方法实施方案中任一项的至少两者的组合的方法。

130、m7.根据任何前述方法实施方案所述的方法，该方法具有以下步骤：形成电极堆叠，该电极堆叠包括沿该束的轴线的至少两个电极层。

131、m8.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中这些电极限定沿该束的该轴线的有效厚度(l)。

132、m9.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中这些电极的该有效厚度(l)包括每个电极层的厚度和这些电极之间的距离。

133、m10.根据前两项方法实施方案中任一项所述的方法，其中期望最大绝对尺寸公差也是基于这些电极的该有效厚度(l)的。

134、m11.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为0.10μm。

135、m12.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为100μm。

136、m13.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为500μm。

137、m14.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为1,000μm。

138、m15.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为1,250μm。

139、m16.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为1,500μm。

140、m17.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为2,000μm。

141、m18.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为2,500μm。

142、m19.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为3,000μm。

143、m20.根据前两项装置实施方案中任一项所述的方法，其中该束相邻区段的该最小有效厚度为5,000μm。

144、m21.根据前两项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少15kev的束能量一起使用。

145、m22.根据前三项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少20kev的束能量一起使用。

146、m23.根据前四项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少30kev的束能量一起使用。

147、m24.根据前五项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少50kev的束能量一起使用。

148、m25.根据前六项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少100kev的束能量一起使用。

149、m26.根据前七项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少150kev的束能量一起使用。

150、m27.根据前八项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少200kev的束能量一起使用。

151、m28.根据前九项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该最小有效厚度被配置为与至少300kev的束能量一起使用。

152、m29.根据前十项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该期望最大绝对尺寸公差也是基于束能量的。

153、m30.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中面向束的表面形成为具有0.04μm的最大表面粗糙度ra。

154、m31.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.03μm的最大表面粗糙度ra。

155、m32.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.02μm的最大表面粗糙度ra。

156、m33.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.01μm的最大表面粗糙度ra。

157、m34.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.0075μm的最大表面粗糙度ra。

158、m35.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.005μm的最大表面粗糙度ra。

159、m36.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.9μm的最大绝对尺寸公差。

160、m37.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.8μm的最大绝对尺寸公差。

161、m38.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.7μm的最大绝对尺寸公差。

162、m39.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.6μm的最大绝对尺寸公差。

163、m40.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面形成为具有0.5μm的最大绝对尺寸公差。

164、m41.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面(302c)具有0.4μm的最大绝对尺寸公差。

165、m42.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面(302c)具有0.3μm的最大绝对尺寸公差。

166、m43.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面(302c)具有0.2μm的最大绝对尺寸公差。

167、m44.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面(302c)具有0.1μm的最大绝对尺寸公差。

168、m45.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面(302c)具有0.05μm的最大绝对尺寸公差。

169、m46.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该面向束的表面(302c)具有0.02μm的最大绝对尺寸公差。

170、m47.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，该方法用于形成像差校正器。

171、m48.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，还包括以下步骤：提供用于支撑电极的具有电绝缘性质的基底。

172、d76.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中基底(306)包括玻璃、派热克斯(pyrex)和/或覆盖有绝缘材料(诸如氧化硅)的导电材料中的任一种。

173、m49.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该基底形成为具有至少100μm的厚度。

174、m50.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该基底形成为具有至少500μm的厚度。

175、m51.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该基底形成为具有至少1,000μm的厚度。

176、m52.根据前两项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为具有至少1,250μm的厚度。

177、m53.根据前三项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为具有至少1,500μm的厚度。

178、m54.根据前四项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为具有至少2,000μm的厚度。

179、m55.根据前五项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为具有至少2,500μm的厚度。

180、m56.根据前六项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为具有至少3,000μm的厚度。

181、m57.根据前七项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为具有至少5,000μm的厚度。

182、m58.根据前八项方法实施方案中任一项所述的方法，其中该基底形成为固定到该电极部件并且具有与该面向束的表面齐平的至少一个面向基底束的表面。

183、m59.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该电极部件和该基底形成为通过中间层固定在一起。

184、m60.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该电极部件和该基底形成为通过晶片键合固定在一起。

185、m61.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该电极部件和该基底形成为胶合在一起。

186、m62.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该电极部件形成为具有形成为与电压源连接的连接器。

187、m63.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该电极部件形成为具有带2xn个极的多极部件，其中n是整数。

188、m64.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，该方法进一步具有以下步骤：形成用于带电粒子束的至少一个通路。

189、m65.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，该方法进一步具有以下步骤：形成用于带电粒子束的至少两个通路。

190、m66.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中针对该两个带电粒子束中的每个带电粒子束形成四极。

191、m67.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该两个四极形成为共享共同电极。

192、m68.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中电极部件形成为具有至少两个分度标记(408)，以便将该电极部件与任何其它部件诸如该基板对准。

193、m69.根据前两项方法部件中任一项所述的方法，其中这些分度标记

194、(408)形成为在这些部件中的至少一个部件(诸如电极部件)

195、中包括四个微孔。

196、m70.根据前三项方法实施方案中任一项所述的方法，其中对准公差形成为在任何侧向或轴向取向上具有最多1μm。

197、m71.根据前四项方法实施方案中任一项所述的方法，其中在任何侧向或轴向取向上的这些对准公差形成为总计为最多1μm。

198、m72.根据前五项方法实施方案中任一项所述的方法，其中这些部件在平面取向上的任何角取向的这些对准公差形成为总计最多5毫弧度。

199、m73.根据前六项方法实施方案中任一项所述的方法，其中在这些部件的任何倾斜取向上的这些对准公差形成为彼此以最多1毫弧度取向。

200、m74.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，施加高精度成形工艺以用于形成至少该电极部件(300)。

201、m75.根据前述方法实施方案中的任一项所述的方法，当形成至少该束相邻区段时施加高精度成形工艺，诸如平版印刷、反应离子蚀刻(rie)、深反应离子蚀刻(drie)、深干蚀刻、湿蚀刻、氧化硅、氧化物、晶片键合、硅晶片成形和/或材料沉积。

202、m76.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中由导电si晶片材料和/或具有金属涂层的半导体si晶片形成至少该束相邻区段。

203、m77.根据前述方法实施方案中任一项所述的方法，其中该方法还包括：确定该期望最大绝对尺寸公差。

204、m78.根据前一项方法实施方案所述的方法，其中该方法还包括：基于该期望最大绝对尺寸公差来选择高精度成形工艺。

205、下面是操作实施方案的列表。那些操作实施方案将用字母“o”表示。每当提及此类实施方案时，将通过提及“o”实施方案来实现。

206、o1.带电粒子束显微镜的操作，该带电粒子束显微镜具有根据前述装置实施方案中任一项所述并且生成以下束能量的装置：大于10kev、优选地大于15kev、更优选地大于20kev、更优选地大于30kev、更优选地大于50kev、更优选地大于100kev、更优选地大于200kev并且甚至更优选地大于300kev。

207、o2.带电粒子束平版印刷的操作，该带电粒子束平版印刷具有根据前述装置实施方案中任一项所述并且生成以下束能量的装置：

208、大于10kev、优选地大于15kev、更优选地大于20kev、更优选地大于30kev、更优选地大于50kev、更优选地大于100kev、更优选地大于200kev并且甚至更优选地大于300kev。

209、下面是用途实施方案的列表。那些用途实施方案将用字母“u”表示。每当提及此类实施方案时，将通过提及“u”实施方案来实现。

210、u1.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置在带电粒子系统中的用途。

211、u2.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置作为带电粒子系统中的像差校正器的用途。

212、u3.根据前述装置实施方案中的任一项所述的装置作为带电粒子系统中的像差校正器的用途，其中多个装置以堆叠形式布置。

213、u4.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置在带电粒子显微镜中的用途。

214、u5.根据前述装置实施方案中任一项所述的装置在带电粒子平版印刷系统中的用途。