1.一种硅异质结太阳能电池，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述绝缘减反层的折射率大于空气的折射率且小于所述导电层的折射率。
3.根据权利要求2所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述导电层的折射率为1.8-2.2；
4.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述绝缘减反层的厚度为85-100nm；
5.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属种子层的宽度比所述电极层的宽度大60-90μm。
6.根据权利要求5所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述金属种子层的宽度为80-120μm；
7.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述绝缘减反层为氧化硅层或氮化硅层；
8.根据权利要求1所述的硅异质结太阳能电池，其特征在于，所述掺杂层为p型掺杂层，所述钝化层设在所述背光面上。
9.一种制备权利要求1-8中任一项所述的硅异质结太阳能电池的方法，其特征在于，包括：
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，采用pvd方法形成所述绝缘减反层；
11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属掩膜版的材质包括sus304不锈钢、纯镍、镍钴合金、镍铁合金和铁镍钴合金中的至少一种；