晶圆键合的控制方法、控制装置、处理器和键合系统与流程

本技术涉及半导体领域，具体而言，涉及一种晶圆键合的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器和键合系统。

背景技术：

1、现有的三维闪存(3demension nand flash memory，简称3d nand)的x堆叠(x-stacking)构架中，键合(bonding)的对准精度对生产良率影响巨大，尤其是晶圆边缘区域的曝光区域(shot)的良率影响直接决定了x-stacking构架的有效晶片晶圆体(wafer diechip)范围。在x-stacking构架中，上下的晶圆之间以及x和y方向的膨胀匹配程度直接影响bonding的对准精度，如图1所示，cmos(complementary metal oxide semiconductor，互补金属氧化物半导体)晶圆以及array(阵列)晶圆的x和y方向的膨胀程度不一致，导致后续的绑定工艺将x和y方向的膨胀系数进行等比例调整后，cmos晶圆和array晶圆两晶圆仍无法对准。因此，亟需一种方法来对晶圆的x和y方向的膨胀系数进行精准补偿，保证后续bonding的对准精度。

2、在背景技术部分中公开的以上信息只是用来加强对本文所描述技术的背景技术的理解，因此，背景技术中可能包含某些信息，这些信息对于本领域技术人员来说并未形成在本国已知的现有技术。

技术实现思路

1、本技术的主要目的在于提供一种晶圆键合的控制方法、控制装置、计算机可读存储介质、处理器和键合系统，以解决现有技术中无法对晶圆的x和y方向的膨胀系数进行精准补偿的问题。

2、根据本技术实施例的一个方面，提供了一种晶圆键合的控制方法，包括：调整第一晶圆的第一倍率差值和/或第二晶圆的第二倍率差值，使得所述第一倍率差值和所述第二倍率差值相同，其中，所述第一倍率差值为第一曝光区域在第一方向上的第一放大倍率与在第二方向上的第二放大倍率的差值，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一方向和所述第二方向分别与所述第一晶圆的厚度方向垂直，所述第一晶圆包括多个所述第一曝光区域，所述第二倍率差值为第二曝光区域在所述第一方向上的第三放大倍率与所述第二方向上的第四放大倍率的差值，所述第二晶圆包括多个所述第二曝光区域；调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率，使得所述第一放大倍率和所述第三放大倍率相同，且使得所述第二放大倍率和所述第四放大倍率相同；在所述调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率后，控制将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。

3、可选地，调整第一晶圆的第一倍率差值和/或第二晶圆的第二倍率差值，使得所述第一倍率差值和所述第二倍率差值相同，包括：确定第一晶圆的第一倍率差值；确定第二晶圆的第二倍率差值；调整所述第二曝光区域的大小，使得调整后的所述第二倍率差值和所述第一倍率差值相同。

4、可选地，调整所述第二曝光区域的大小，使得调整后的所述第二倍率差值和所述第一倍率差值相同，包括：将所述第一倍率差值与所述第二倍率差值作差，得到子倍率差值；根据所述子倍率差值，确定所述第二曝光区域的大小的调整值；根据所述调整值，调整所述第二曝光区域在所述第一方向上的宽度和/或在所述第二方向上的宽度，使得调整后的所述第二倍率差值和所述第一倍率差值相同。

5、可选地，确定第一晶圆的第一倍率差值，包括：根据所述第一曝光区域在所述第一方向上的实际宽度值和设计值的比值，得到所述第一放大倍率；根据所述第一曝光区域在所述第二方向上的实际宽度值和设计值的比值，得到所述第二放大倍率；将所述第一放大倍率与所述第二放大倍率作差，得到所述第一倍率差值。

6、可选地，确定第二晶圆的第二倍率差值，包括：根据所述第二曝光区域在所述第一方向上的实际宽度值和设计值的比值，得到所述第三放大倍率；根据所述第二曝光区域在所述第二方向上的实际宽度值和设计值的比值，得到所述第四放大倍率；将所述第三放大倍率与所述第四放大倍率作差，得到所述第二倍率差值。

7、可选地，调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率，使得所述第一放大倍率和所述第三放大倍率相同，且使得所述第二放大倍率和所述第四放大倍率相同，包括：确定第三倍率差值，所述第三倍率差值为所述第一放大倍率和所述第三放大倍率的差值；将所述第一放大倍率和所述第二放大倍率均调整所述第三倍率差值，使得调整后的所述第一放大倍率与所述第三放大倍率相同，且使得调整后的所述第二放大倍率与所述第四放大倍率相同。

8、根据本技术实施例的另一方面，还提供了一种晶圆键合的控制装置，包括第一调整单元、第二调整单元和控制单元，其中，所述第一调整单元用于调整第一晶圆的第一倍率差值和/或第二晶圆的第二倍率差值，使得所述第一倍率差值和所述第二倍率差值相同，其中，所述第一倍率差值为第一曝光区域在第一方向上的第一放大倍率与在第二方向上的第二放大倍率的差值，所述第一方向与所述第二方向垂直，所述第一方向和所述第二方向分别与所述第一晶圆的厚度方向垂直，所述第一晶圆包括多个所述第一曝光区域，所述第二倍率差值为第二曝光区域在所述第一方向上的第三放大倍率与所述第二方向上的第四放大倍率的差值，所述第二晶圆包括多个所述第二曝光区域；所述第二调整单元用于调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率，使得所述第一放大倍率和所述第三放大倍率相同，且使得所述第二放大倍率和所述第四放大倍率相同；所述控制单元用于在所述调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率后，控制将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。

9、根据本技术实施例的再一方面，还提供了一种计算机可读存储介质，所述存储介质包括存储的程序，其中，所述程序执行任意一种所述的方法。

10、根据本技术实施例的又一方面，还提供了一种处理器，所述处理器用于运行程序，其中，所述程序运行时执行任意一种所述的方法。

11、根据本技术实施例的另一方面，还提供了一种键合系统，包括晶圆的键合装置和晶圆键合的控制装置，其中，所述晶圆键合的控制装置用于执行任意一种所述的方法。

12、本技术提供了一种晶圆键合的控制方法，所述的晶圆键合的控制方法，首先调整第一晶圆的第一倍率差值和/或第二晶圆的第二倍率差值，使得所述第一倍率差值和所述第二倍率差值相同，保证了调整后的两片晶圆的曝光区域的倍率差值相同，所述倍率差值为曝光区域在第一方向上和第二方向上的放大倍率的差值；然后调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率，使得所述第一放大倍率和所述第三放大倍率相同，且使得所述第二放大倍率和所述第四放大倍率相同，保证了调整后的两片晶圆的曝光区域在第一方向上的宽度相同，并且保证了调整后的两片晶圆的曝光区域在第二方向上的宽度相同，便于后续键合能基本对准；最后，在所述调整所述第一放大倍率和所述第二放大倍率，或者调整所述第三放大倍率和所述第四放大倍率后，控制将所述第一晶圆与所述第二晶圆键合。该方法进行了两次调整，不仅包括对所述第一放大倍率和所述第三放大倍率调整至相同的数值，和/或对所述第二放大倍率和所述第四放大倍率调整至相同的数值，还在之前对第一倍率差值和/或第二倍率差值进行调整，使得第一倍率差值和第二倍率差值相同，从而实现了对晶圆的膨胀系数的精确补偿，进而保证两片晶圆的对准精度较好，进而避免键合对准精度低对后续工艺的影响以及生产良率的影响。