网格完整性检查的制作方法

本发明涉及用于表征粒子束装置的屏蔽元件的方法、用于表征屏蔽元件的表征装置、粒子束装置以及相应的计算机程序。

背景技术：

1、已知的设备中，来自粒子束源的粒子束指向样本。例如，通过提供粒子束，可以在过程中观察样本(例如，用电子显微镜)。然而，也可以在粒子束诱导过程(例如，粒子束诱导蚀刻和/或沉积)中用粒子束照射样本。

2、这里已知的是在样本和粒子束源之间设置屏蔽元件。例如，屏蔽元件可以用于在空间上限制源自样本的电场。为此目的，屏蔽元件通常布置在离样本一定距离处(尽可能近)，使得电场对入射粒子束的影响可以保持得较低。特别地，如果粒子束具有可以与电场相互作用的带电粒子(例如，电子和/或离子)，则可以使用屏蔽元件。屏蔽元件可在空间上限制这种相互作用，因此例如可以最小化粒子束的不受控制的束偏转。

3、在de102020124307a1中描述了一种用粒子束分析和/或处理样本的装置。该装置具有屏蔽元件，用于屏蔽由样本上积累的电荷产生的电场，其中该屏蔽元件具有通孔，粒子束穿过该通孔到达样本。

4、然而，屏蔽元件可能不总是具有合适的目标状态。例如，在装置的组装和/或维护期间，常规操作可能导致偏离目标状态。例如，屏蔽元件可能具有缺陷和/或变形，使得样本可能被屏蔽元件损坏。为了避免这种情况，例如，迄今为止已知的方法是通过粒子束来观察屏蔽元件，以便推断偏差。然而，粒子束并不能到达屏蔽元件的所有区域，这意味着不能总是精确地分析屏蔽元件。

5、因此，以前的方法只能部分地防止屏蔽元件对样本的损坏。

6、因此，本发明的目的是缓解这个问题。

技术实现思路

1、这个目的至少部分地通过本发明的各个方面来实现。

2、第一方面涉及一种用于表征粒子束装置的屏蔽元件的方法，该屏蔽元件用于屏蔽样本位置和粒子束源之间的电场。该方法包括：将用于表征屏蔽元件的表征装置定位在屏蔽元件的面向样本位置的一侧。

3、因此，本发明可以使得屏蔽元件的面向样本的一侧可用于屏蔽元件的表征。

4、屏蔽元件的面向样本的一侧也可以称为样本侧。屏蔽元件的面向粒子束源的一侧在这里也可以称为屏蔽元件的入射侧，因为来自粒子束源的粒子束可以入射到该侧上。

5、该方法因此能够有利地表征屏蔽元件。例如，在以前的方法中，最多能够表征屏蔽元件的入射侧的表面(例如，通过用粒子束进行图像记录)。然而，屏蔽元件的入射侧上的偏差(例如，缺陷)并不总是在操作过程中对样本造成损害性影响。例如，可以想到的是，入射侧上的缺陷(例如，设置在其上的粒子)可能无法机械地影响样本，因为缺陷不是设置在样本和屏蔽元件之间，而是设置在屏蔽元件和粒子束源之间。因此，入射侧的表征不能总是提供确定屏蔽元件在操作期间是否会损坏样本所需的所有信息。在仅表征入射侧的情况下，样本侧的特性最多可以通过重建来确定。然而，屏蔽元件也可以包括部分区域，或者屏蔽元件可以以样本侧无法被重建的方式整体构造。在这种情况下，相对于样本侧的偏差，表征屏蔽元件的入射侧将是“盲目的”。

6、然而，事实上可能是屏蔽元件的样本侧的表面上的偏差造成了对样本的损坏，因为它可以直接与样本的表面相互作用。首先，屏蔽元件的样本侧的表面直接面向样本的表面，从而发生直接的相互作用。其次，在粒子束装置的操作过程中，屏蔽元件通常紧邻样本而布置。这允许在空间上限制电场对粒子束的影响，所述电场例如来源于样本。然而，由于该紧邻性，屏蔽元件的样本侧的偏差更容易损坏或损害样本。例如，屏蔽元件的样本侧上的偏差可能包括可能划伤样本表面的缺陷位置，或者屏蔽元件的缺陷位置也可能在样本表面上引入不希望的颗粒。

7、本发明能够实现样本侧的直接和/或完全表征，因为表征装置位于样本侧，它可以不受阻碍地接近屏蔽元件的样本侧的表面。因此，可以获得关于屏蔽元件的样本侧的可靠信息。

8、例如，表征装置可以静态地放置在粒子束装置中。表征装置可以例如以使得可对屏蔽元件的样本侧进行表征(例如，无需进一步移动表征装置)的方式固定(或附接)在粒子束装置中。

9、例如，定位可以包括：初始地将表征装置引入粒子束装置中。随后，可以进一步将表征装置定位在粒子束装置中，使得它处于屏蔽元件的样本侧的位置上。

10、定位可以例如通过定位装置(例如定位器)来执行，将表征装置搁置和/或紧固在该定位装置上。例如，定位装置可以包括样本架和/或可在粒子束装置内空间移动的平台。例如，表征装置也可以牢固地集成到样本架中。

11、在一个示例中，该方法包括：至少部分地利用表征装置来表征屏蔽元件的面向样本位置的一侧。因此，通过将表征装置定位在样本侧，可以以合适的方式表征屏蔽元件的样本侧上的表面。定位和/或表征可以作为粒子束装置的例如技术评估、维护措施、技术服务等的一部分进行。

12、在一个示例中，表征包括：捕获屏蔽元件的拓扑，其中该拓扑是在屏蔽元件的面向样本位置的一侧捕获的。例如，拓扑可以包括屏蔽元件的样本侧的高度轮廓。高度轮廓可以包括，例如，屏蔽元件的样本侧的第一(空间)坐标的至少第一高度值和第二(空间)坐标的第二高度值。此外，高度轮廓可以相应地包括至少三个高度值、至少四个高度值、至少五个高度值和/或至少十个高度值。在其他示例中，代替高度轮廓，仅单个高度值也可以被记录为拓扑(例如，最大值或最小值)。

13、拓扑的捕获也可以包括，例如，捕获的高度轮廓的内插和/或外插。

14、例如，拓扑的捕获还可以包括捕获参考平面，该参考平面可以用作拓扑的参考平面。

15、在一个示例中，表征包括：至少部分地基于拓扑的目标状态和捕获的拓扑来确定拓扑中的异常。例如，可将捕获的拓扑与拓扑的目标状态进行比较。例如，目标状态可以包括特征性拓扑(例如，特征性的高度轮廓)，确定其与捕获的拓扑的偏差。例如，可以将捕获的高度轮廓的走向(course)与高度轮廓的目标状态的走向进行比较，以便确定缺陷是否作为异常改变了目标走向。例如，缺陷可以在拓扑中引起非特征性的(局部)高度和/或非特征性的(局部)凹陷，并因此使其自身为人所知。此外，目标状态还可以包括特征性拓扑的目标值(例如，拓扑的最大值和/或最小值的目标值、特征性拓扑相对于参考平面的高度的目标值等)。

16、在一个示例中，表征包括：确定屏蔽元件是否延伸到样本位置中。样本位置可以包括粒子束装置中样本(或其表面)的位置，其中，例如在样本的处理和/或观察期间，采用该样本位置。样本位置在这里可以对应于处于样本位置的样本的表面和屏蔽元件之间的距离。延伸到样本位置中可以包括：屏蔽元件延伸到处于样本位置的样本的表面中，或者延伸到处于样本位置的样本的表面所跨越的平面中(或者，如果插入样本，它将延伸)。如果确定屏蔽元件延伸到样本位置中，则可以假设屏蔽元件与处于样本位置的样本接触。屏蔽元件是否延伸到样本位置的确定可以至少部分地基于捕获的拓扑。例如，可将样本位置(或者处于样本位置的样本的表面离屏蔽元件的距离)与拓扑的走向进行比较。

17、因此，该方法可以用于至少部分地基于捕获的拓扑来确定屏蔽元件是否接触(或将接触)处于样本位置的样本。

18、在一个示例中，表征装置包括用于测量拓扑的传感器，并且拓扑的捕获至少部分地基于使用传感器的拓扑测量。传感器在这里可以以通信方式联接至粒子束装置。例如，可以通过该装置设置传感器，或者可以通过粒子束装置接收数据(例如，拓扑的测量结果)。例如，粒子束装置可以评估测量结果(例如，通过评估单元)。此外，传感器也可以联接至外部装置(例如，通过电缆和/或以无线方式)。例如，可以想到的是，对于该方法，粒子束装置的腔室是开口的，以允许表征装置接近屏蔽元件的样本侧。然后，传感器可以被定位在粒子束装置内，其中其电缆可以通过开口的腔室连接至外部装置。外部装置可以包括例如评估单元、计算机等。

19、在一个示例中，传感器包括共焦传感器，并且拓扑的测量至少部分地基于共焦测量原理。

20、在一个示例中，传感器包括干涉传感器，并且拓扑的测量至少部分地基于干涉测量原理。

21、为了用传感器进行测量(例如，根据共焦测量原理和/或根据干涉测量原理的测量)，可能需要在空间上移动传感器。因此，该方法可以包括：将表征装置(例如，传感器)附接在样本和/或样本架上。因此，表征装置可以以合适的方式定位，以测量拓扑。例如，对于根据共焦测量原理的测量来说，共焦传感器逐点测量屏蔽元件的样本侧的表面(例如，在限定的测量距离处)可能是必要的。通过表征装置的相应定位，可以使表面的逐点扫描成为可能，这可以相对于测量过程进行调整和控制。例如，如果粒子束装置和/或外部装置与传感器以通信方式联接，则可以在测量期间由粒子束装置和/或外部装置控制表征装置的定位。此外，还可以想到的是，对于测量，表征装置是手动定位的(例如，通过操作者)。

22、在一个示例中，表征装置可以定位在距屏蔽元件预定距离处；其中，预定距离对应于样本和屏蔽元件之间的目标距离。在这种情况下，目标距离可以对应于从样本表面到屏蔽元件的样本侧的表面的距离。目标距离于是可以对应于特定样本位置处的样本和屏蔽元件之间的距离。在这种情况下，表征装置因此会受到可能在样本距屏蔽元件的目标距离处发生的效应的影响。因此，通过该表征装置，例如可以直接“测试”屏蔽元件是否延伸到样本位置(如本文所述)中。

23、在一个示例中，该方法还包括：检测表征装置和屏蔽元件之间是否存在接触。例如，检测可以被理解为也意味着捕获拓扑，因为在存在接触的情况下，屏蔽元件的至少一个拓扑级(topology stage)接触表征装置。

24、在一个示例中，检测包括：检测当存在接触时引起的接触信号。

25、在一个示例中，该方法包括：表征装置在屏蔽元件方向上的接近，以将表征装置定位在距屏蔽元件预定距离处。如果在接近期间检测到接触信号，则可以中止在屏蔽元件方向上的进一步接近，从而例如防止对屏蔽元件的损坏。

26、在一个示例中，表征装置被安装为可在垂直方向上移动(例如，通过弹簧元件)。可以沿着垂直方向(相对于表征装置)实现在屏蔽元件方向上的接近。如果在接近期间发生接触，则表征装置可以发生与接近运动相反的运动。因此，可以最小化接触期间对屏蔽元件和/或表征装置的损坏影响。

27、在一个示例中，表征装置至少部分地导电，并且检测包括：在存在接触的情况下检测流过表征装置和屏蔽元件的电流。接触信号在这里可以由粒子束装置提供。例如，可以想到的是，装置被配置为检测屏蔽元件与样本和/或样本架的接触。该检测可以至少部分地基于在该接触期间流过屏蔽元件以及样本和/或样本架的电流的检测。通过提供至少部分导电的表征装置，该功能可用于表征屏蔽元件(如本文所述)。接触信号例如也可以从粒子束装置传送到外部装置，该外部装置控制例如表征装置的接近(以及定位)。

28、在一个示例中，该方法还包括：在平行于处于样本位置的样本的表面的横向方向上移动表征装置。例如，可以在预定距离处实现横向方向上的移动。例如，在接近之后，可以在横向方向上进行移动。例如，在预定距离处不存在接触信号的情况下，可以确认这在横向运动的情况下(或者在横向运动之后)是否也成立。此外，在横向移动期间，可以记录接触信号(或其存在或不存在)，以便得出关于屏蔽元件的特性的结论(例如，关于屏蔽元件的拓扑)。

29、在一个示例中，表征装置包括接触表面，该接触表面被安装为可在横向方向上移动(例如，通过弹簧元件)。拓扑的捕获还可以包括：将表征装置沿横向方向从第一位置向第二位置移动预定距离(或预定移动距离)；确定由在横向方向上移动表征装置引起的、接触表面的距离(或移动距离)。

30、表征装置的接触表面被安装为可在横向方向上移动，该横向方向可以垂直于表征装置的垂直方向(在此描述的)。因此，横向方向可以对应于表征装置的水平方向(或水平轴线)。

31、表征装置的移动可以通过例如样本架来实现(例如，定义)，表征装置可以安装在该样本架上。在这种情况下，可以将(样本支架的)预定移动距离输入到粒子束装置中，该粒子束装置相应地移动该表征装置(或样本支架)。

32、在该示例中，可以确定以可横向移动的方式安装的接触表面是否根据表征装置的横向移动而附随地移动。例如，如果表征装置的预定移动距离(基本上)对应于接触表面的确定的移动距离，则是这种情况。屏蔽元件的样本侧的表面可以通过比较各自的移动距离来表征。在其他示例中，该方法可替代地或附加地包括：使表征装置在横向方向上移动，并且测试该接触表面是否附随地移动和/或(完全)移动(或已经移动)。

33、在一个示例中，该方法还包括：如果接触表面已经移动了该预定移动距离，则检测不存在接触。在这种情况下，可以推断出以可横向移动的方式安装的接触表面没有受到屏蔽元件的效应的影响(例如接触)。因此，可以检测到屏蔽元件与表征装置没有(不希望的)接触。

34、此外，该方法可以包括：如果接触表面没有移动该预定移动距离(或者，例如，如果它根本没有移动或者没有显著移动)，则检测到存在接触。在这种情况下，可以推断出以可横向移动的方式安装的接触表面受到屏蔽元件的效应的影响(例如接触)。相应地，可以检测到屏蔽元件与表征装置存在(不希望的)接触。此外，可以想到的是，从接触表面的预定移动距离和确定的移动距离之间的偏差的阈值开始检测到存在接触。例如，如果接触表面的移动距离偏离预定移动距离至少1％、至少2％、至少3％和/或至少5％，则可以检测到存在接触。

35、在一个示例中，确定移动距离包括：在表征装置的第一位置记录该接触表面的参考结构的第一图像；在表征装置的第二位置记录该接触表面的参考结构的第二图像；确定第一图像中的参考结构和第二图像中的参考结构之间的距离，以便确定该接触表面的移动距离。

36、这里，图像可以通过粒子束装置的粒子束来记录(例如，图像可以包括粒子束图像，例如扫描力电子图像)。此外，图像也可以通过粒子束装置的光学系统来记录(例如，图像可以包括光学图像)。

37、这里，参考结构可以包括表征装置的表面上的合适结构。例如，参考结构可以以该方法的目标方式安装在表征装置上。例如，参考结构可以包括表征装置的表面上的特征结构(例如，边缘、表面结构、粒子等)。

38、在一个示例中，该方法还包括：检测表征装置上的划痕，该划痕是由横向方向上的移动引起的。

39、划痕可以例如在粒子束装置中被原位检测到。这里，例如，可以用粒子束装置记录一个粒子束图像和/或多个粒子束图像(例如，一个或多个扫描力电子图像)。此外，还可以设想垂直于横向方向记录一个或多个粒子束图像(如本文所述)。因此，在存在划痕的情况下，一个或多个粒子束图像将(基本上)垂直于划痕。如果在粒子束图像中检测到刮痕的一部分，则可以沿着该刮痕记录一个或多个粒子束图像，以便完整地记录该刮痕。粒子束图像可以包括例如具有小于4μm、小于6μm、小于10μm、小于20μm和/或小于100μm的长度尺寸的视场。长度尺寸在这里可以理解为表示x方向上的尺寸，也可以表示y方向上的尺寸。

40、在另一个示例中，可以想到的是，通过光学系统(例如，借助于光或光子束)来检测划痕。例如，光学系统可以包含在粒子束装置中，使得划痕的检测也可以在原位进行。此外，还可以想到的是，通过光学系统在装置外部进行非原位检测。该方法可以包括：在表征之后(如本文所述)，从粒子束装置中移除表征装置。随后，可以通过(外部)光学系统对表征装置进行分析，以便检测划痕。

41、第二方面涉及一种用于表征粒子束装置的屏蔽元件的表征装置，其中，用于屏蔽电场的屏蔽元件被布置在样本位置和粒子束源之间。表征装置可以包括传感器，用于捕获屏蔽元件的拓扑和/或捕获用于接触屏蔽元件的、可移动的、优选弹簧加载的接触表面。此外，表征装置可以被配置为安装在粒子束装置的样本架上。

42、例如，可以通过表征装置的形状来确保与样本架的紧密结合。在另一个示例中，表征装置的下侧可以用于可靠地附接在样本架上(例如，通过相应的粗糙度，其可以可靠地支持例如与样本的附接)。

43、此外，例如，表征装置可以被配置为安装在样本上，该样本可以被安装在装置的样本架上。

44、例如，样本可以包括掩模坯体。掩模坯体可以包括例如用于(微米和/或纳米)光刻(例如i线光刻、duv光刻、euv光刻等)的掩模的掩模坯体)。粒子束装置可以被配置为例如观察和/或处理光刻掩模(例如，用于掩模修复)。

45、在一个示例中，表征装置还包括基座，其中，接触表面优选地垂直于接触表面、经由弹簧元件可移动地联接至基座。例如，基座可以包括框架结构。框架结构的下侧可以布置在接触表面的对面。至少一个弹簧元件可以安装在基座的下侧上，其将接触表面垂直地联接至基座(或基座的下侧)。例如，弹簧元件可以包括弹簧。此外，由两个或更多个弹簧构成的弹簧系统也是可能的。此外，框架结构可以包括垂直于下侧安装的侧面结构。例如，侧面结构可以从下侧延伸，使得侧面结构和下侧形成整体式结构。侧面结构可以在接触表面的区域中包括保持区域，该保持区域可以平行于接触表面而形成。保持区域可以在其外围区域中至少部分地(主动地)包围接触表面。保持区域可以用于限制接触表面从下侧开始在垂直方向上的偏转。例如，弹簧元件可以被配置为使得可以经由抵靠着保持区域的接触表面、在垂直方向上施加(限定的)力。因此，可以确保限定在一个平面中的接触表面，然而，如果施加垂直力，该接触表面也可以在下侧的方向上屈服。例如，在与屏蔽元件接触的情况下(例如，在接近期间，如本文所述)，这可能是有利的，因为屏蔽元件因此通过接触表面的屈服而得到某种程度的保护。

46、在一个示例中，接触表面优选地经由弹簧元件、沿着接触表面的平面可移动地联接至基座。例如，接触表面可以通过弹簧元件联接至基座的侧面结构。这可以确保接触表面在该接触表面的平面内或垂直于侧面结构的悬挂。接触表面因此可以平行于下侧的平面可移动地安装。这可以使得能够在表征装置的横向移动期间进行接触检测(如本文所述)。例如，如果接触表面通过与屏蔽元件的接触而被保持或固定，则由于该可移动的联接，表征装置的基座可以继续沿着接触表面的平面移动。然而，接触表面的运动将(至少部分地)受到阻碍。如果存在接触，基座的移动距离将因此不对应于接触表面的移动距离。可以以这种方式推断是否存在接触(如本文所述)。

47、在一个示例中，接触表面具有相对于基座的第一平面和第二平面；其中，第一平面位于第二平面下方；其中，第二平面的尺寸使得它与屏蔽元件的外围区域重合。各平面的空间布置可以参考基座(例如基座的下侧)。因此，较低的第一平面可以比较高的第二平面离屏蔽元件(当用于本文所述的方法中时)更远。这两个平面允许在此描述的方法具有安全裕度。例如，当将表征装置定位在距屏蔽元件预定距离处时，可以选择相对于第一平面的表面的预定距离。因此，屏蔽元件的外围区域中的偏差更可能经由第二平面被检测到，因为第二平面比第一平面更靠近屏蔽元件。具体而言，第二平面可能在接近期间(如本文所述)过早地导致与屏蔽元件的接触。

48、例如，屏蔽元件可以(典型地)包括外围区域中的保持元件。保持元件可以例如具有比屏蔽元件的其他元件更宽的几何结构，并且例如用作屏蔽元件的连接元件。例如，保持元件可以被配置为在屏蔽元件的内部区域中固定相对较薄的网格结构。例如，保持元件可以具有优选延伸到样本位置中的拓扑(例如，与屏蔽元件的其他元件相反)。例如，保持元件可以被成形为使得其表面比屏蔽元件更靠近样本位置(或样本架)。因此，保持元件的区域(即，外围区域)中的缺陷或偏差能够以更大的概率影响处于样本位置的样本。

49、此外，还可以通过第二和第一平面的渐变来考虑操作期间屏蔽元件和/或样本的倾斜。例如，在倾斜的情况下，屏蔽元件与样本在屏蔽元件的外围区域的接触是可以预期的。由于该渐变，上方的第二平面因此可以作为安全裕度。如果在表征装置距屏蔽元件的预定距离处(从第一元件的表面开始)没有检测到接触，则可以假设，例如，如果存在轻微倾斜，则也是这种情况，因为在预定距离处的第二平面也没有引起接触。

50、还应该提到的是，第一元件的尺寸可以例如以与屏蔽元件的网格结构(或中心区域)相一致的方式确定。

51、还应该提到的是，本发明的一个方面包括使用至少一个根据第二方面的表征装置作为根据第一方面的方法中的表征装置。

52、另一方面涉及传感器的使用，该传感器被配置为测量拓扑，作为根据第一方面的方法中的表征装置。

53、第三方面涉及一种用粒子束照射样本的粒子束装置，其包括：用于屏蔽电场的屏蔽元件，其中，屏蔽元件设置在样本位置和粒子束源之间；根据第二方面的用于表征屏蔽元件的表征装置，其定位在屏蔽元件的面向样本位置的一侧。粒子束装置可以包括例如用于修复光刻掩模的粒子束装置。例如，粒子束装置可以被配置为执行掩模修复(例如，作为自动、半自动和/或手动修复过程的一部分)。

54、表征装置可以例如永久地或长期地安装在粒子束装置中。然而，表征装置也可以在短时间内或在限定的时间段内包含在粒子束装置中，作为屏蔽元件的表征的一部分(如本文所述)。

55、粒子束装置的粒子束源可以例如发射包括带电粒子(例如，电子和/或离子)的粒子束。此外，粒子束装置可以被配置为经由粒子束观察样本(例如，借助于用于记录电子图像的电子)。此外，粒子束装置可以被配置为用于样本的粒子束诱导蚀刻和/或样本上材料的粒子束诱导沉积(例如，作为掩模修复的一部分)。例如，粒子束装置可以用于修复euv光刻、duv光刻的掩模和/或用于修复其他类型光刻方法的掩模。

56、第四方面涉及一种包括指令的计算机程序，当由计算机和/或根据第三方面的粒子束装置运行时，该指令使得计算机和/或粒子束装置执行根据第一方面的方法。

57、替代地或附加地，计算机程序可以包括用于执行在此描述的进一步的方法步骤或者用于执行或实现在此描述的装置(或系统)的功能的指令。例如，计算机程序可以使装置(或系统)的某些部件(或构件)在开环或闭环中受到控制，从而可以(自动)实现该方法的步骤和/或该装置的功能。因此，可以基于计算机程序和与装置部件(或构件)的接口，在开环和/或闭环中控制该装置。

58、第五方面涉及一种用粒子束照射样本的粒子束装置，其中，该粒子束装置包括根据第四方面的计算机程序。例如，粒子束装置可以包括包含(或存储)计算机程序的(非易失性)存储器。第五方面的粒子束装置可以例如包括根据第三方面的粒子束装置和表征装置(如本文所述)。

59、另一方面涉及在此描述的具有存储器的装置，该存储器包括用于装置的至少部分自动控制的计算机程序。此外，一个方面的装置可以具有用于运行该计算机程序的构件。替代地，计算机程序也可以存储在别处(例如，存储在云中)，并且该装置可以仅具有用于接收在别处运行该程序而产生的指令的构件。无论哪种方式，这都可以允许例如该方法在系统和/或装置内以自动或自主的方式运行。因此，可以最小化例如通过手动测量的干预，从而可以降低装置(或系统)操作期间的复杂性。

60、此外，可以想象的是，在执行在此描述的其中一个方法时，创建协议。该协议可以包括例如在该方法的过程中在此描述的其中一个参数(例如表征装置的位置、捕获的拓扑、控制信号等)。然后，该协议可以例如实现该方法的执行以及在稍后的时间(例如作为错误评估、审计、服务行为等的一部分)获取其细节(例如，表征装置的位置)。该协议可以包括例如协议文件(例如，日志文件)，其可以存储在例如装置和/或计算机中。

61、在此提到的方法(或计算机程序)的特征(和示例)也可以相应地应用或适用于前述装置(或系统)。在此提到的装置(或系统)的特征(和示例)也可以相应地应用或适用于在此描述的方法(和计算机程序)。