1.一种芯片，其特征在于，包括：衬底和器件层，所述衬底包括支撑层和散热层，所述支撑层和所述散热层沿所述芯片的厚度方向层叠连接；所述器件层层叠于所述支撑层背离所述散热层的表面；
2.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，多个所述第一散热缝隙还贯穿所述散热部朝向所述支撑层的表面。
3.根据权利要求2所述的芯片，其特征在于，所述支撑层设有多个第二散热缝隙，多个所述第二散热缝隙贯穿所述支撑层朝向所述散热层的表面；任意相邻的两个所述第二散热缝隙之间均形成第二散热翅片；沿所述芯片的厚度方向，多个所述第二散热翅片与多个所述第一散热翅片相对，多个所述第二散热缝隙与多个所述第二散热缝隙相对且连通。
4.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，至少部分所述第一散热缝隙还贯穿所述散热部的侧面。
5.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述散热部还包括连接部，所述连接部层叠于所述支撑层的表面，所述第一散热翅片连接于所述连接部背离所述支撑层的表面。
6.根据权利要求1所述的芯片，其特征在于，所述第一散热翅片包括第一散热侧面，所述第一散热侧面朝向所述第一散热缝隙，所述第一散热侧面相对所述芯片的厚度方向倾斜。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，所述散热层的热辐射系数大于所述支撑层的热辐射系数。
8.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述支撑层的材质包括硅，所述散热层的材质包括二氧化硅。
9.根据权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述支撑层的材质包括硅，所述散热层的材质包括氮化硅。
10.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，所述散热部为两个，两个所述散热部对称的分布于所述间隔部的两侧。
11.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，沿所述芯片的厚度方向，所述散热层的厚度尺寸h1介于10微米至20微米之间。
12.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，所述第一散热缝隙的宽度尺寸k1介于5微米至12微米之间。
13.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，沿垂直于所述芯片的厚度方向的方向，所述第一散热翅片的厚度尺寸h2介于3微米至7微米之间。
14.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，所述散热层在所述支撑层的表面的正投影的面积为第一面积s1，所述散热部在所述支撑层的表面的正投影的面积为第二面积s2，所述第一面积s1和所述第二面积s2满足以下关系：0.3s1≤s2≤0.7s1。
15.根据权利要求1至6中任一项所述的芯片，其特征在于，所述衬底的材质包括硅、二氧化硅、碳化硅、氮化硅和砷化镓中至少一种。
16.一种电子设备，其特征在于，包括：电路板和权利要求1至15中任一项所述的芯片，所述芯片安装于所述电路板，且所述器件层朝向所述电路板，所述散热层背离所述电路板。