技术特征：1.一种横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于包括下述步骤：
2.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
3.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
4.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
5.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
6.根据权利要求5所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
7.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
8.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
9.根据权利要求1所述的横模可控的光发射器的制备方法，其特征在于：
技术总结本发明提供了一种横模可控的光发射器的制备方法，采用化学气相沉积法和高真空电子束蒸镀法分别制备正三角形的1L‑TMDs和平面微腔，利用湿法转移将WS2嵌入到微腔中，空间分辨荧光成像表征证明了在嵌入平面微腔的单层TMDs三角形中创建了横向离散的发射模式，当增益介质的横向尺寸降至微米级时，弱耦合激子发射表现出尺寸依赖性特征，其中三角波导谐振起着关键作用。本发明中将化学气相沉积法生长的不同尺寸正三角形单层二硫化钨嵌入到微腔中，利用在单层半导体及其周围腔材料之间的一维闭合边界处存在由全内反射引起的平面内三角形波导共振实现了横向模式的局域化，并通过改变三角形边长实现横模数量和发光波长的有效调控。
技术研发人员：尚景智,张学文,张欣雨,胡韩伟,肖卫东
受保护的技术使用者：西北工业大学
技术研发日：技术公布日：2024/3/4